(1 中国科学技术大学物理学院) (2 台湾师范大学物理系) (3 华盛顿大学物理系和材料系) 本文选自《物理》2024年第4期 摘要 文章回顾了电子的拓扑几何理论发展的初期,大约二十多年的历史。首先介绍拓扑陈数在凝聚态物理中的两个重要应用。其一关于量子霍尔效应,绝缘条件下霍尔电导可以写成一个陈数拓扑不变量,从而解释实验结果的精确量子化。其二关于绝热泵浦,它描述布洛赫能带的绝热电流响应,与电子极化有密切联系。拓扑陈数是布里渊区上贝里曲率的积分,后者本身也有独立的物理意义。接着介绍贝里曲率对电子动力学的影响,包括反常速度和轨道磁化等概念。作者还将这个理论推广到多带情况,使其可以应用到自旋输运等现象。最后,文中展示了再量子化方法,从半经典模型来获得布洛赫电子的有效量子理论。在非相对论极限下,泡利—薛定谔方程可以看作是狄拉克电子在正能谱上的等效量子理论,其中的自旋轨道耦合即是一种几何物理效应。 关键词 贝里相位,贝里曲率,拓扑陈数,量子霍尔效应,绝热泵浦,半经典动力学,反常速度,相空间态密度,泡利—薛定谔方程,广义派尔斯替换 前文《电子粒子观的蜕变》(详见《物理》2024年第1期)回顾了百多年来人们对固体中电子的认识历程。从经典的自由粒子假设开始,经过量子力学的初步改造,人们有了布洛赫粒子的概念,获得了金属、半导体、绝缘体的基本图像。二战后,经过对多体相互作用的细致梳理,并发展对布洛赫能带有效的计算方法,人们开始了基于第一性原理的对固体物理的定量研究。上世纪八十年代初,索利斯等人发现分布在布里渊区上的布洛赫态可拥有整体的、非平庸的拓扑结构。支撑这个拓扑结构的几何量被称为贝里曲率,它刻画了布洛赫态在动量空间里的微分结构。本文将展开讨论这些拓扑几何概念如何进一步刷新人们对固体中电子的认识。 BOX 1 考虑一个由哈密顿量描述的系统,其中R=(R1,R2,…)是一组随着时间缓慢变化的外界参数。量子绝热定理说,如果体系初始处在一个非简并的瞬时本征态|n(R(t=0))>,以后它就会待在|n(R(t))>上,其中瞬时本征态满足。这个状态的相位由含时薛定谔方程确定。除了由能量的时间积分给出的动力学相位,还有一部分可以写为参数空间一个线积分的几何相位。贝里注意到,如果系统在参数空间的演化是一个回路,这个几何相位 还具有规范不变性,也就是不依赖于瞬时本征态的相位如何选取,只要在参数空间里保持单值即可。由于他的深刻见解,我们经常把几何相位称为贝里相位,把An(R)称为贝里联络。根据斯托克斯定理,贝里相位也可以写为 其中被积函数称为贝里曲率。 我们考虑一个具体的例子:一个用哈密顿量描述的两能级系统,其中σ是泡利矩阵。它的两个本征态的能量分别是±h。对于低能级,它的贝里曲率是。我们看到贝里曲率描述了一个位于h=0的磁单极子的磁场,在h=0处两个能级变为简并能级:简并点因此表现为贝里曲率通量的源或漏。沿闭合路径的贝里相位由h在单位球上路径的立体角的一半给出(图1)。如果对整个球体上的贝里曲率进行积分,我们会发现。一般来说,贝里曲率在闭合流形上的积分是以2π为单位量子化,等于内部单极子的数量,这个数被称为陈数,因陈省身先生在微分几何方面的工作而得名。 图1 量子态的绝热演化产生贝里相位的示意图 1980年,冯·克利青对半导体界面上一层二维电子气做了低温强磁场条件下的霍尔效应测量[6]。电子气在厚度方向处在量子基态,因而只有平面上两个自由度。磁场加在垂直方向,平面上一个方向通电流,另一方向测得电压,电压与电流的比值就是霍尔电阻(Box 2)。霍尔电阻随磁场的变化在低场段就是一条过零点的直线,这也是前文讲到的德鲁德经典理论所预言,而且还可以从直线的斜率读出电子的密度来。 BOX 2 1980年冯·克利青发现,在强磁场下,二维电子气的霍尔电阻以为单位精确量子化,同时纵向电阻消失(图2)。严格的量子化是一个意外惊喜,索利斯与合作者把这个现象解释为电子状态的一个拓扑特性。他们考虑了周期势场和磁场作用下的所谓磁布洛赫能带,发现在满带情况下,电场会引起一个垂直方向的电流,对应电导可以写成 其中unk(x)是磁布洛赫函数的系数部分。从贝里相位的角度来看,这里的参数空间就是动量的布里渊区,具有环面的拓扑结构(图3)。因而,这个式子代表了一个以为单位的拓扑陈数,必须是量子化的。 图2 整数量子霍尔效应(摘自Tsui D. Reviews of Modern Physics,1999,71:891) 图3 二维布里渊区等价于环面 Laughlin在1981年论证霍尔电导量子化的时候,提出了下述的理想实验[23]。假设可以将二维电子系统弯成一个圆柱面,然后在它的中心穿过一个缓慢增加的磁通,而原本的垂直于二维电子系统的磁场此时变为与柱面相垂直。根据法拉第效应,变化的磁通自然会在圆周方向感应出来一个电动势,这个电动势在垂直柱面的外磁场下通过霍尔效应又会在柱面的纵向造成一个电流。这个霍尔电流会有多大呢?Laughlin发现,磁通增加一个量子h/e的时候,体系内部相当于做了一个规范变换,能谱和本征态都没有发生变化;如果内部有整数个朗道能级被填充,磁通缓慢增加是个绝热过程,不会在内部引起激发。唯一的可能只是有整数个电子在磁通增加的过程中从柱面的一端转移到了另一端,而这个整数就是量子霍尔电导中的整数。 BOX 3 索利斯考虑了一维绝缘体经历循环绝热演化的电荷泵浦问题。在这种情况下,参数空间是二维的,由晶体动量和时间t 张成,构成一个环面。索利斯发现,泵浦电荷等于Q=,因此也是量子化的一个拓扑陈数。绝热电荷泵浦可以作为一个电流量子基准,它与量子霍尔效应和超导约瑟夫森效应一起,把电流I、电压V 和频率f 用两个自然常数联系了起来(图4)。 图4 电流—电压—频率的量子基准关系 前面讲到,索利斯等人发现的拓扑陈数是布里渊区上贝里曲率的积分,那么后者是否还有独立的物理意义呢?为了理解Hofstadter能谱的分形结构[38],在单元格包含的磁通为有理数倍磁通量子的情况下,我们仔细研究了布洛赫能带中波包的运动规律(Box 4)[39]。我们发现,除了通常由能谱给出的群速度之外,电子的速度还有个正比且垂直于外力的反常项,其比例系数就是布洛赫态的贝里曲率。在零磁场情况下,这个反常速度早年曾被Karplus和拉廷格发现并用来解释反常霍尔效应,但可惜没有引起持续的重视[40]。 BOX 4 贝里曲率本身也可以参与布洛赫电子的波包动力学。我们发现,在外部电磁场存在的情况下,波包的运动方程由下式给出: 其中这一项被称为反常速度,它是磁性金属中反常霍尔效应的来源。如果系统具有时间反演对称性,则有Ωn(k)=-Ωn(-k);如果系统具有空间反演对称性,则有Ωn(k)=Ωn(-k)。因此,对于同时具有时间反演对称性和空间反演对称性的材料,贝里曲率消失(如果考虑电子自旋,还要对自旋指标求迹)。下图分别反映了单晶铁(时间反演破缺,图5(a))和单层MoS2(空间反演破缺,图5(b))的动量空间中贝里曲率的分布。 除了反常速度,能量也被轨道磁矩mn(k)所修正,。轨道磁矩来源于波包的自转,与g因子密切相关。 波包动力学的另一个关键因素是相空间的体积测度不再是一个常数。这是因为在贝里曲率和磁场存在的情况下,波包的动量和位置不再是一对正则坐标。通过研究相空间中体积元随时间的演化,我们发现态密度被修正为 才能保证相空间量子状态的数目在演化中守恒。 图5 单晶铁(a)和单层MoS2(b)的贝里曲率在动量空间中的分布(分别摘自文献[47]和Feng W et al. Physical Review B,2012,86:165108) 贝里于1984年得出的几何相位与曲率,适用于非简并量子态的绝热演化。同一年,维尔切克(Frank Wilczek)与徐一鸿将几何相位的理论推广至简并量子态[52],几何相位成为简并空间里的一个幺正变换,而贝里联络和贝里曲率成为矩阵。一般说来,晶体若同时具有时间和空间反演对称,自旋相关的两条能带在动量空间将处处重合。人们也研究过四重简并能带,探讨其中的高阶拓扑特性[53]和自旋霍尔效应[54]。 BOX 5 简并能态里的波包,除了位置r与动量ħk之外,还带有赝自旋变量ηa(a=1,2,…,N),描述波包在各能带的占比。其运动方程式为 其中我们用到了爱因斯坦求和规则。除此之外,贝里联络R 和贝里曲率Ω 皆成为N 阶矩阵,。波包中心的运动方程稍有变化, 其中D/Dk为协变导数,其形式类似D/Dt,只是t 置换为k,而为赝自旋平均。 这套理论不只适用于固体能带,也适用于狄拉克的相对论性电子理论。这时电子的能带有正、负两支,每支均为双重简并。我们发现在正能带低(非相对论电子),,其中λc=h/mc为康普顿波长,σ为泡利矩阵。另外,计算表明,波包自转的轨道角动量为L=ℏσ,是自旋角动量的两倍,解释了为何自旋的磁矩会带有一个ge=2的因子。 完美晶体的能带结构,会因为受到杂质、外加磁场、边界等影响而变动。探讨其能谱时,通常并非重头求解薛定谔方程。较简单的做法是以能带为基础,将理论再次量子化。例如,为了计算能带因外加磁场所造成的分裂,昂萨格提出类似玻尔—索末菲量子化的量子化条件,由布里渊区里回旋轨道面积的量子化得出朗道能级,并用来解释德哈斯—范阿尔芬效应,推断费米面的形状[61]。 通常我们考察一个量子体系对外界的响应时,微扰论的结果往往以填充态和空态之间的矩阵元来表达外场的作用。索利斯等人在研究量子霍尔效应时发现,霍尔电导可以表达成为填充态在动量空间的一个微分形式的积分,把霍尔电导的精确量子化解释成为了填充态的拓扑不变量陈数。索利斯关于绝热泵浦的量子化结论也是表达成为了填充态在参量空间(动量和时间)的这种几何拓扑特征。 致 谢 本文在成文过程中得到周建辉和高阳的大力协助,收到沈顺清等同仁的专业点评,作者在此表示深切感谢。 [1] Berry M V. Proc. R. Soc. London,Ser. 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