发文章
发文工具
撰写
网文摘手
文档
视频
思维导图
随笔
相册
原创同步助手
其他工具
图片转文字
文件清理
AI助手
留言交流
IGBT的概念
IGBT的结构
IGBT的原理
IGBT的应用
来源:汽车半导体情报局
来自: 高山拂尘 > 《IGBT》
0条评论
发表
请遵守用户 评论公约
MOSFET结构及其工作原理详解
即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压,产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管...
IGBT的结构与工作原理详解
IGBT的结构与工作原理详解IGBT的结构与工作原理详解 1.前言 在绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)得到...
MOS场效应三极管-结型场效应管(JFET) 和绝缘栅型场效应管(MOS管)
MOS场效应三极管-结型场效应管(JFET) 和绝缘栅型场效应管(MOS管) MOS场效应半导体三极管双极性三极管是电流控制器件,其输入电阻不够高...
硬件设计新手入门宝典之MOS管及其使用
硬件设计新手入门宝典之MOS管及其使用 除了有电流放大作用的晶体三极管,还有另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化...
一文读懂MOS管工作原理
上图为MOS管的电路符号,图中D是漏极,S是源极,G是栅极,中间的箭头表示衬底,如果箭头向里表示是N沟道的MOS管,箭头向外表示是 P沟道...
绝缘栅型场效应管
使沟道刚刚形成的栅极-源极电压称为开启电压UGS(th)。当UDS较小时,UDS的增大使iD线性增加,沟道沿源-漏方向逐渐变窄,一旦UDS增加到使UG...
模拟电子技术之场效应三极管及其放大电路
由于沟道存在电阻,回路电流在沟道长度方向上的不同位置产生的压降不同,所以沟道从源极到漏极有一定的电位梯度,也就是从源极到漏极,电位...
什么是MOSFET?
什么是MOSFET?耗尽型MOSFET或D-MOSFET是一种在制造过程中构建沟道的MOSFET。D-MOSFET可以是“N沟道D-MOSFET”或“P沟道D-MOSFET”,具体...
场效应管
UGS > UGS(th),管子导通。当UGS > UGS(th),且固定为某一值时,来分析漏-源电压UDS对漏极电流Id的影响。(c) 当UDS增加到使UGD= UGS(th) [即UDS= UGS—UGS(th)]时,沟道靠漏区夹断,称为预夹断。a...
微信扫码,在手机上查看选中内容