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中商情报网讯：碳化硅衬底具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点，可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件。中商产业研究院发布的《2024-2029年中国碳化硅衬底行业市场前景预测与发展趋势研究报告》显示，2023年全球导电型和半绝缘型碳化硅衬底的市场规模分别达到6.84亿美元和2.81亿美元。中商产业研究院分析师预测，2024年全球市场规模将分别达到9.07亿美元和3.26亿美元。  数据来源：Yole、中商产业研究院整理 碳化硅衬底的尺寸主要有2英寸（50mm）、3英寸（75mm）、4英寸（100mm）、6英寸（150mm）、8英寸（200mm）等规格，碳化硅衬底正不断向大尺寸的方向发展，目前行业内企业主要量产产品尺寸集中在4英寸及6英寸，8英寸处于研发阶段。碳化硅衬底材料制备具有极高的技术门槛，目前全球能够规模化供应高品质、车规级碳化硅衬底的企业数量较少。国内厂商中，天岳先进前作为国内碳化硅衬底领军者，在8英寸衬底层面取得显著进展和成果，其用液相法制备的无宏观缺陷的8英寸衬底是业内首创。  资料来源：中商产业研究院整理 更多资料请参考中商产业研究院发布的《中国碳化硅衬底行业市场前景及投资机会研究报告》，同时中商产业研究院还提供产业大数据、产业情报、行业研究报告、行业白皮书、行业地位证明、可行性研究报告、产业规划、产业链招商图谱、产业招商指引、产业链招商考察&推介会、“十五五”规划等咨询服务。 |
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