1. 简介 说明:场效应管(MOSFET),俗称MOS管,是电压控制电流器件,由栅极电压大小控制漏极电流大小。有两种类型,即N沟道场效应管(N-Channel MOSFET)和P沟道场效应管(P-Channel MOSFET);有三种工作状态,即截止区、可变电阻区(从栅极看,是电压/电流,所以相当于可变电阻,所以叫做“可变电阻区”)和饱和区。 无论是三极管还是场效应管,在数字电路中做开关使用时,都工作在截止区和饱和区。关断的时候,器件工作在截止区;而导通的时候,要保证器件工作在饱和区。两种器件多数情况下导通时,都能工作在饱和区;如对于三极管来说,由于其放大倍数通常达到200以上,所以能够使集电极电流值达到最大电流极限值而饱和,但我们仍然需要知道其工作在饱和区的原理,下文将顺便介绍其原理。 遗憾的是,网上很多工作在数字开关目的下的三极管或MOS管,都是“缺胳膊少腿”,不完善。因而,本文将基于三极管详解其完备电路中各元件的用途,以及各种不完备电路存在的缺陷。因为完备电路只有一种,我们姑且称之为“第一等电路”;而不完备电路至少有四种,我们姑且称之为“第二等电路”、“第三等电路”、“第四等电路”和“第五等电路”,这里等级越靠后,基本就是越差。 2. 第一等电路——完备电路 如上图(a)(b)所示,分别是NPN三极管和PNP三极管用于数字开关时的完备电路。(a)电路可使用GPIO1的高电平导通NPN三极管Q1,GPIO1的低电平关断Q1;(b)电路可使用GPIO2的低电平导通PNP三极管Q2,GPIO2的高电平关断Q2。下面讲解基极偏置电阻的作用: R1和R3是基极限流电阻,因为基区很薄,过流能力较小,所以要限流。 假如没有R1,NPN三极管Q1在GPIO1 = 1.8V或3.3V高电平的情况下导通后,基极会被钳位到0.7V,那么基极多余出的1.8V - 0.7V = 1.1V或3.3V - 0.7V = 2.6V的电压将加载到何处呢?同理,假如没有R3,PNP三极管Q2在GPIO2 = 0V的情况下导通后,在VCC = 1.8V或3.3V的情况下,基极会被抬高1.8V - 0.7V = 1.1V或3.3V - 0.7V = 2.6V,这些电压又将加载到何处呢? R2和R4是(基极)偏置电阻,当三极管处于饱和导通状态时,为基极提供偏置电压。至于为何需要提供偏置电压,将在后面“第二等电路”中说明。 注意:此处假设基极-射极二极管的压降为0.7V,下同。 3. 第二等电路——缺少偏置电阻 如上图(c)(d)所示,是在“第一等电路”完备电路的基础上,缺少了基极偏置电阻R2和R4。 这样电路的缺陷是,当GPIO1使用高电平开启NPN BJT Q1后,其基极将被基极与射极之间的二极管钳位到二极管压降(通常为0.5 ~ 0.7V);此时,若基极有脉冲干扰,Q1的工作状态可能会受影响,即此时电路的抗干扰能力不如上述“第一等电路”。 同理,当GPIO2使用低电平开启PNP BJT Q2后,其基极电压将被抬升到VCC减去“基极-射极二极管压降”(若VCC=3.3V,GPIO=0V,二极管压降为0.7V,Q2开启后,基极将被抬升到3.3V-0.7V=2.6V);此时,若基极2.4V上叠加一定的脉冲干扰,Q2的工作状态可能会受影响,即此时电路的抗干扰能力不如上述“第一等电路”。 4. 第三等电路——缺少偏置电阻和限流电阻 如上图(e)(f)所示,是在“第二等电路”的基础上,缺少了基极基极限流电阻R1和R3,偏置电阻R2和R4。 缺陷是:其一,基极可能因为过流损坏;其二,Q1开启后基极会被钳位到0.7V(基极-射极二极管压降),Q2开启后基极将被钳位到2.6V,且工作状态都容易受脉冲或噪声的干扰。 5. 第四等电路——射极跟随器电路 如图(g)(h)所示,是在“第三等电路”的基础上,将原来集电极上的负载转移到射极。因为基极-射极之间相当于二极管,对NPN管来说,基极比射极高0.7V;对PNP管来说,基极比射极低0.7V。所以,从射极来说,在二极管压降0.7V差值的基础上,始终会跟随基极的电压变化,这就是射极跟随器电路,即负载接在射极。 射极跟随器电路多用于模拟电路中,在数字电路中作为驱动后端负载使用时,是不合适的,因为只有电流放大,没有电压放大,有时会因为功率放大不足,而无法驱动后端负载。以(g)电路为例,假如GPIO1=3.3V,那么只有Vout1=3.3-0.7V=2.6V的电压加载到负载RL1上,而不是整个VCC(假设VCC为5V或12V)加载到负载上。这种应用,有时会因为功率放大不足,导致电路工作不稳定,具体可见“[1] TLP293-4光耦电路应用问题分析”。 6. 第五等电路——缺少基极限流电阻的射极跟随器电路 7. 数字三极管 8. 总结 |
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