⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️ 光学克尔效应 克尔电光效应 法拉第效应 法拉第磁光效应 磁-光效应 磁光克尔效应 ⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️ ⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️ 光子图 本词条缺少概述图,补充相关内容使词条更完整,还能快速升级,赶紧来编辑吧! 光子贴图TM 是一种技术,用于在使用 mental ray 渲染器 进行渲染时,生成焦散和全局照明的间接照明效果。当它计算间接照明时,mental ray 渲染器跟踪光线所发出的光子。光子的轨迹通过场景,由对象反射或透射,直到最后到达漫反射表面。当它们到达表面时,光子存储在光子贴图中。
目录光子图简介 生成光子贴图非常耗费时间。为了改善性能,必须明确指定: 哪些光发出的光子用于间接照明。 哪些对象可以生成焦散或全局照明。 哪些对象可以接收焦散或全局照明。 生成和接收焦散的设置位于“对象属性”对话框 > “mental ray”面板中。 光子贴图只为那些能够接收焦散、全局照明或两者的对象存储光子。 为了进一步减少生成光子贴图所需要的时间,光子由轨迹深度控件限制。跟踪深度限制光子被反射、折射或两者影响的次数。 在动画中,节省时间的另一个方法是重复使用光子贴图文件。如果在动画过程中照明没有改变,那么计算并保存第一帧的光子贴图文件,然后选择“使用现有”选项来渲染后面的帧。 mental ray 渲染器将光子贴图保存为 PMAP 文件。光子贴图控件位于“渲染场景对话框”>“ 间接照明”面板 > 焦散和全局照明卷展栏中。 光子图光子介绍原始称呼是光量子(light quantum),电磁辐射的量子,传递电磁相互作用的规范粒子,记为γ。其静止量为零,不带电荷,其能量为普朗克常量和电磁辐射频率的乘积,ε=hv,在真空中以光速c运行,其自旋为1,是玻色子。早在1900年,M.普朗克解释黑体辐射能量分布时作出量子假设,物质振子与辐射之间的能量交换是不连续的,一份一份的,每一份的能量为hv;1905年A.爱因斯坦进一步提出光波本身就不是连续的而具有粒子性,爱因斯坦称之为光量子;1923年A.H.康普顿成功地用光量子概念解释了X光被物质散射时波长变化的康普顿效应,从而光量子概念被广泛接受和应用,1926年正式命名为光子。量子电动力学确立后,确认光子是传递电磁相互作用的媒介粒子。带电粒子通过发射或吸收光子而相互作用,正反带电粒子对可湮没转化为光子,它们也可以在电磁场中产生。 光子从激光的相干光束中出射 光子是光线中携带能量的粒子。一个光子能量的多少与波长相关, 波长越短, 能量越高。当一个光子被分子吸收时,就有一个电子获得足够的能量从而从内轨道跃迁到外轨道,具有电子跃迁的分子就从基态变成了激发态。 光子具有能量,也具有动量,更具有质量,按照质能方程,E=mc2=hν,求出M=hν/c2, 光子由于无法静止,所以它没有静止质量,这儿的质量是光子的相对论质量。 光子是传递电磁相互作用的基本粒子,是一种规范玻色子。光子是电磁辐射的载体,而在量子场论中光子被认为是电磁相互作用的媒介子。与大多数基本粒子相比,光子的静止质量为零,这意味着其在真空中的传播速度是光速。与其他量子一样,光子具有波粒二象性:光子能够表现出经典波的折射、干涉、衍射等性质;而光子的粒子性则表现为和物质相互作用时不像经典的粒子那样可以传递任意值的能量,光子只能传递量子化的能量。对可见光而言,单个光子携带的能量约为4×10-19焦耳,这样大小的能量足以激发起眼睛上感光细胞的一个分子,从而引起视觉。除能量以外,光子还具有动量和偏振态。 光子图光子与经典电磁理论命名 光子起初被爱因斯坦命名为光量子 。 光子的现代英文名称photon源于希腊文 φῶς (在罗马字下写为phôs),是由物理化学家吉尔伯特·路易士在他的一个假设性理论中创建的。 在路易士的理论中, photon指的是辐射能量的最小单位,其“不能被创造也不能被毁灭”。 尽管由于这一理论与大多数实验结果相违背而从未得到公认, photon这一名称却很快被很多物理学家所采用。 根据科幻小说作家、科普作家艾萨克·阿西莫夫的记载, 阿瑟·康普顿于1927年首先用photon来称呼光量子。 在物理学领域,光子通常用希腊字母γ (音: Gamma )表示,这一符号有可能来自由法国物理学家维拉德 ( Paul Ulrich Villard )于1900年发现的伽玛射线,伽玛射线由卢瑟福和英国物理学家安德雷德 ( Edward Andrade )于1914年证实是电磁辐射的一种形式。 在化学和光学工程领域,光子经常被写为h ν ,即用它的能量来表示;有时也用f来表示其频率,即写为h f 。 物理性质 用费曼图表示的正电子 - 负电子散射(也叫做BhaBha散射 ),波浪线表示交换虚光子的过程 参见: 狭义相对论 从波的角度看,光子具有两种可能的偏振态和三个正交的波矢分量,决定了它的波长和传播方向;从粒子的角度看,光子静止质量为零,电荷为零, 半衰期无限长。 光子是自旋为1的规范玻色子,因而轻子数 、 重子数和奇异数都为零。 光子的静止质量严格为零,本质上和库仑定律严格的距离平方反比关系等价,如果光子静质量不为零,那么库仑定律也不是严格的平方反比定律。 所有有关的经典理论,如麦克斯韦方程组和电磁场的拉格朗日量都依赖于光子静质量严格为零的假设。 从爱因斯坦的质能关系和光量子能量公式可粗略得到光子质量的上限:M=HV/C^2 这里M即是光子质量的上限, V是任意电磁波的频率,位于超低频段的舒曼共振已知最低频率约为7.8赫兹。 这个值仅比现在得到的广为接受的上限值高出两个数量级。 参见光子:规范玻色子一节中对光子质量的讨论。 光子能够在很多自然过程中产生,例如:在分子、 原子或原子核从高能级向低能级跃迁时电荷被加速的过程中会辐射光子,粒子和反粒子 湮灭时也会产生光子;在上述的时间反演过程中光子能够被吸收,即分子、原子或原子核从低能级向高能级跃迁,粒子和反粒子对的产生。 在真空中光子的速度为光速,能量 和动量p之间关系为(公式缺); 相对论力学中一般质量为?的粒子的能量动量关系为(公式缺)。 光子的能量和动量仅与光子的频率ν有关;或者说仅与波长λ有关光子的能量和动量仅与光子的频率ν有关;或者说仅与波长λ有关 。 从而得到光子的动量大小为 ? 其中? 也叫做狄拉克常数或约化普朗克常数 , k是波矢,其大小也叫做狄拉克常数或约化普朗克常数 ,方向指向光子的传播方向;?叫做波数 ;? 是角频率 。 光子本身还携带有与其频率无关的内秉角动量?: 自旋角动量 ?,其大小为光子本身 ,并且自旋角动量在其运动方向上的分量(这一分量在量子场论中被称作helicity )一定为 ? ,两种可能的值分别对应着光子的两种圆偏振态(右旋和左旋)。 从光子的能量、动量公式可导出一个推论:粒子和其反粒子的湮灭过程一定产生至少两个光子。 原因是在质心系下粒子和其反粒子组成的系统总动量为零,由于动量守恒定律 ,产生的光子的总动量也必须为零;由于单个光子总具有不为零的大小为 的动量,系统只能产生两个或两个以上的光子来满足总动量为零。 产生光子的频率,即它们的能量,则由能量-动量守恒定律 (四维动量守恒)决定。 而从能量-动量守恒可知,粒子和反粒子湮灭的逆过程,即双光子生成电子-反电子对的过程不可能在真空中自发产生。 光子具有波粒二象性,即说光子像一粒一粒的粒子的特性又有像声波一样的波动性,光子的波动性有光子的衍射而证明,光子的粒子性是由光电效应证明。 上面有人认为光子的动质量为零是错误的,光子的静质量为零,否则的话其动质量将为无穷大。但其动质量却是存在的,计算方法是这样的:首先,由于频率为v的光子的能量为 E=hv,(其中h为普朗克常数),故由质能公式可得其质量为:m=E/c2=hv/c2 其中c^2表示光速的平方。该方法由爱因斯坦首先提出。 经典的波有群速度与相速度之分。 光子的速度就是光速。 华中科大罗俊教授重新确定光子静止质量上限 华中科技大学教授重新确定光子静止质量上限,有业内人士认为:光子静止质量为零是经典电磁理论的基本假设之一。但有些科学家则认为,光子可能有静止质量。如果实验最终检测到光子存在静止质量,那么有些经典理论将要有所变化。 在2月28日出版的美国《物理学评论快报》(PhysicalReviewLetters) 上,有专文介绍说:“一项由中国科学家罗俊等完成的新的实验表明,在任何情况下,光子的静止质量都不会超过10的负54次方千克,这一结果是之前已知的光子质量上限的1/20。”罗俊和他的同事通过一种新颖的实验方法,在一个山洞实验室里将光子静止质量的上限,进一步提高了至少一个数量级。 据悉,如果光子存在静止质量,虽然不会影响到人们的日常生活,但其产生的后果将是根本性的———例如,光速将随波长的改变而变化,并且光波将像声波一样能够产生纵向振动。 光子图历史发展到十八世纪为止的大多数理论中,光被描述成由无数微小粒子组成的物质。由于微粒说不能较为容易地解释光的折射、衍射和双折射等现象,笛卡尔(1637年) 、胡克(1665年)和惠更斯(1678年)等人提出了光的(机械)波动理论;但在当时由于牛顿的权威影响力,光的微粒说仍然占有主导地位。十九世纪初,托马斯·杨和菲涅尔的实验清晰地证实了光的干涉和衍射特性,到1850年左右,光的波动理论已经完全被学界接受。1865年,麦克斯韦的理论预言光是一种电磁波,证实电磁波存在的实验由赫兹在1888年完成,这似乎标志着光的微粒说的彻底终结。 然而,麦克斯韦理论下的光的电磁说并不能解释光的所有性质。例如在经典电磁理论中,光波的能量只与波场的能量密度(光强)有关,与光波的频率无关;但很多相关实验,例如光电效应实验,都表明光的能量与光强无关,而仅与频率有关。类似的例子还有在光化学的某些反应中,只有当光照频率超过某一阈值时反应才会发生,而在阈值以下无论如何提高光强反应都不会发生。 与此同时,由众多物理学家进行的对于黑体辐射长达四十多年(1860-1900)的研究因普朗克建立的假说而得到终结,普朗克提出任何系统发射或吸收频率为 爱因斯坦等人的工作证明了光子的存在,随之而来的问题是:如何将麦克斯韦关于光的电磁理论和光量子理论统一起来呢?爱因斯坦始终未能找到统一两者的理论,但如今这个问题的解答已经被包含在量子电动力学和其后续理论:标准模型中。 光子图技术应用对单个光子的探测可用多种方法,传统的光电倍增管利用光电效应:当有光子到达金属板激发出电子时,所形成的光电流将被放大引起雪崩放电。电荷耦合元件(CCD)应用半导体中类似的效应,入射的光子在一个微型电容器上激发出电子从而可被探测到。其他探测器,如盖革计数器利用光子能够电离气体分子的性质,从而在导体中形成可检测的电流。 在某些情形下,单独一个光子无能力激发一个能级的跃迁,而需要有两个光子同时激发。这就提供了更高分辨率的显微技术,因为样品只有在两束不同颜色的光所照射的高度重叠的部分之内才会吸收能量,而这部分的体积要比单独一束光照射到并引起激发的部分小很多,这种技术被应用于双光子激发显微镜中。而且,应用弱光照射能够减小光照对样品的影响。 有时候两个系统的能级跃迁会发生耦合,即一个系统吸收光子,而另一个系统从中“窃取”了这部分能量并释放出不同频率的光子。这是荧光共振能量传递的基础,被应用于测量分子间距中。 量子光学是物理光学中相对于波动光学的另一个分支。光子可能是超快的量子计算机的基本运算元素,而在这方面重点研究的对象是量子纠缠态。非线性光学是当前光学另一个活跃的领域,它研究的课题包括光纤中的非线性散射效应、四波混频、双光子吸收、自相位调制、光学参量振荡等。不过这些课题中并不都要求假设光子的存在,在建模过程中原子经常被处理为一个非线性振子。非线性效应中的自发参量下转换经常被用来产生单光子态。最后,光子是光通信领域某些方面的关键因素,特别是在量子密码学中。 ⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️ 光学克尔效应 本词条缺少概述图,补充相关内容使词条更完整,还能快速升级,赶紧来编辑吧! 一种三阶非线性光学效应。普通克尔效应是指介质在电场作用下,沿平行和沿垂直于电场方向偏振的光波的折射率n'和n”发生不同的变化,且它们之间的差值Δn正比于电场的二次方,从而出现感应双折射现象。通常,所加电场是直流或低频交变电场。当所加的是光频电场时,如果光足够强 ,也会发生同样的现象。此时Δn正比于作用在介质中的激光束的光强。这称为光学克尔效应。
光学克尔效应基本信息产生光学克尔效应的非线性介质可以是液体、固体、气体或原子蒸气。产生的物理机制、效应的强弱都可以很不相同。有时也可以同时来源于几种不同机制。 常见的物理机制有: ①在光的作用下能级粒子数分布发生了改变。这适用于有分立能级的原子、分子或固体体系。 ②在光的作用下电子云分布发生了变化。这适用于原子或固体。 ③光场感生的电致伸缩效应。这适用于液体、固体和高压气体。 ④光场引起分子取向发生变化。适用于由各向异性分子组成的有机液体和溶液、分子晶体和液晶等。 ⑤光场引起分子排列发生变化。适用于例如液态的惰性元素等。 光学克尔效应原理通过对于来自光学克尔效应的双折射的测量,能够有效地测定各种介质的三阶非线性极化率。由于不同介质产生的光学克尔效应有着不同的机制,通过光学克尔效应的研究还可以进行各种不同物质的物性研究,测量不同的微观参量,例如分子取向的弛豫时间等。 ⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️ 克尔电光效应 本词条由“科普中国”科学百科词条编写与应用工作项目 审核 。 克尔电光效应简介在外电场作用下,液体就成为光学上的单轴晶体,其光轴同电场方向平行。通常的作法是:把液体装在玻璃容器中,外加电场通过平行板电极作用在液体上,光垂直于电场方向通过玻璃容器,以观察克尔电光效应。这种装置称为克尔盒。这时两个主要折射率n0与ne,分别称为正常与反常折射率。容器中的液体称为正或负双折射物质,取决于ne-n0值的为正或负。 入射光通过克尔盒后,分裂成两个分别以相速с/n0与с/ne传播的线偏振光(с是真空中的光速),其偏振方向(电矢量方向)分别与外加电场垂直或平行。相速之差引起这两个偏振光之间的相位差δ。如果入射光是波长为λ0的单色光,则 克尔电光效应理论介绍克尔电光效应对于非线性材料,电动极化场p只会取决于电场: 其中ε0是真空介电常数, 式中,i=1,2,3。通常假设 材料表现出不可忽视的克尔电光效应,第三个术语 ![]() ![]() ![]() ![]() 其中Eω是矢量振幅波。 ![]() λ0是真空波长,K是克尔常数。结合偏振片,它可以被用来作为快门或调制器。 克尔电光效应三大效应克尔电光效应克尔效应也称为二次电光(QEO)效应的克尔效应是材料响应于所施加的电场的折射率的变化。 克尔效应与普克尔效应不同,因为诱导的指数变化与电场的平方成正比,而不是线性变化。 所有材料显示克尔效应,但某些液体比其他液体显示更强烈。 克尔效应于1875年被苏格兰物理学家约翰·克尔(John Kerr)发现。 [3] 通常考虑克尔效应的两种特殊情况,这些都是克尔电光效应或克尔效应。 例如,电压在电极材料的影响下的应用领域,材料成为双折射,不同指标的折射光偏振平行或垂直应用领域。在不同的折射率,Δn是由 其中λ是光的波长,K是克尔常数,E是电场的强度。 当光线垂直于电场的方向入射到其上时,折射率的这种差异导致材料像波片一样起作用。 如果材料放置在两个“交叉”(垂直)线性偏振器之间,当电场关闭时不会发出光,而几乎所有的光将被传输到电场的一些最佳值。 克尔常数的较高值允许通过较小的施加电场实现完整的传输。 一些极性液体,如硝基甲苯和硝基苯表现出非常大的克尔常数。 填充有这些液体之一的玻璃电池称为克尔电池。 这些常用于调制光,因为克尔效应对电场的变化非常快。 这些设备的光可以在高达10GHz的频率下进行调制。 由于克尔效应相对较弱,典型的克尔电池可能需要高达30kV的电压才能实现完全透明。 这与Pockels电池相反,Pockels电池可以在更低的电压下工作。 克尔细胞的另一个缺点是最好的可用材料硝基苯是有毒的。 一些透明晶体也被用于克尔调制,尽管它们具有较小的克尔常数。 在缺乏反转对称性的媒体中,克尔效应通常被更强大的普克尔效应掩盖。 然而,克尔效应仍然存在,并且在许多情况下可以独立于普克尔效应贡献来检测。 克尔电光效应光学克尔效应光学克尔效应,或AC克尔效应是指其电场由光本身所产生的情况。这导致变异的折射率与辐射光本身的辐照度成正比。这种折射率的变化导致了的非线性光学效应的自聚焦、自相位调制以及调制不稳定性,并且是克尔透镜锁模的基础。此效应仅在非常强烈的光束下才能较明显的表现出来,比如激光。 克尔电光效应磁光克尔效应克尔电光效应克尔效应实验克尔电光效应实验原理各向同性的介质如玻璃,石蜡,水,硝基苯等,在强电场作用下会表现出各向异性的光学性质,表现出双折射现象。折射率差与电场强度的平方成正比,称为克尔效应。在两平行平板之间加上高电压,在电场作用下,由于分子的规律排列,这些介质就表现出象单轴晶体那样的光学性质,光轴的方向就与电场的方向对应。当线偏振光沿着与电场垂直的方向通过介质时,分解为两束线偏振光。一束的光矢量沿着电场方向,另一束的光矢量与电场垂直。 克尔电光效应方法1.放入克尔盒,并转动至消光位置; 2.接通克尔盒的偏转电源,即可观察到屏幕上有光亮。改变两极板之间的电压,可以观察到屏幕上的光强会随之变化; 3.保持两极板之间的电压不变,旋转克尔盒,同样可以观察到屏幕上光强变化。 克尔电光效应注意事项内盛某种液体(如硝基苯)的玻璃盒子称为克尔盒,盒内装有平行板电容器,加电压后产生横向电场。克尔盒放置在两正交偏振片之间。无电场时液体为各向同性,光不能通过P2。存在电场时液体具有了单轴晶体的性质,光轴沿电场方向,此时有光通过P2(见偏振光的干涉)。实验表明 ,在电场作用下,主折射率之差与电场强度的平方成正比。电场改变时,通过P2的光强跟着变化,故克尔效应可用来对光波进行调制。液体在电场作用下产生极化,这是产生双折射性的原因。电场的极化作用非常迅速,在加电场后不到10-9秒内就可完成极化过程,撤去电场后在同样短的时间内重新变为各向同性。克尔效应的这种迅速动作的性质可用来制造几乎无惯性的光的开关——光闸,在高速摄影、光速测量和激光技术中获得了重要应用。 [4]
⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️ 法拉第效应 本词条由“科普中国”科学百科词条编写与应用工作项目 审核 。 在物理学里,法拉第效应(又叫法拉第旋转,磁致旋光)是一种磁光效应(magneto-optic effect),是在介质内光波与磁场的一种相互作用。法拉第效应会造成偏振平面的旋转,这旋转与磁场朝着光波传播方向的分量呈线性正比关系。
法拉第效应简介磁光效应是光与具有磁矩的物质共同作用的产物。磁光效应主要有三种,即:法拉第效应、克尔效应、塞曼效应。在光学电流传感器领域,法拉第磁光效应的应用最为广泛。光学电流传感器中磁光介质即磁光效应中具有磁矩的物质,是决定光学电流传感器性能的重要器件。具有磁矩的物质可以分为五大类,而在光学电流传感器领域,顺磁性物质的应用最为广泛。 也称磁致旋光。在处于磁场中的均匀各向同性媒质内,线偏振光束沿磁场方向传播时,振动面发生旋转的现象。1845年M.法拉第发现在强磁场中的玻璃产生这种效应,以后发现其他非旋光的固、液、气态物质都有这种效应。设磁感应强度为B,光在物质中经过的路径长度为d,则振动面转动的角度为ψ=VBd, (1) 式中V称为费尔德常数,与物质的性质、温度以及光的频率(波长)有关。在一定物质中不论光是沿磁场方向或逆磁场方向传播,振动面的转向都一样,只由磁场方向决定。若转向与磁场方向成右手螺旋关系,该物质的V取为正值,即ψ>0。这样,光来回传播同样距离后,其振动面的转角等于单程转角的两倍。这是磁致旋光与天然旋光的区别(天然旋光情形,在来回传播同样距离后振动面恢复原来方位)。 法拉第效应与塞曼效应有密切联系。磁场影响物质分子(原子)中电子的运动,使无磁场时的一条吸收线对于平行于磁场方向传播的入射光分裂为两条,分别对应于右旋和左旋圆偏振光的吸收线,二者频率略有不同(倒塞曼效应);而且对于这两种圆偏振光又有分别对应的色散曲线。最简单情形如图a所示(面对磁场的指向观察)。这时,物质对任一频率的两种圆偏振光有不同的折射率n+(左旋)和n_(右旋),从而入射的线偏振光的振动面在传播中发生旋转,转角为(图1)(2) 图b中画出n_-n+的曲线。可以看出,图中在吸收线之外ψ>0,而在吸收线之间ψ<0;在吸收线区域及其附近,ψ值很大。由于吸收线的裂距2Δω正比于B,在远离吸收线区域n_-n+也近似正比于B,故有式(1)。天然旋光物质中发生磁致旋光现象时,应考虑上述两种效应的叠加。铁磁物质表现出很强的法拉第效应。这时ψ决定于物质中的磁化强度而不是外加磁场。 法拉第效应发现1845 年法拉第(Michal Faraday)发现当线偏振光(见光的偏振)在介质中传播时,若在平行于光的传播方向上加一强磁场,则光振动方向将发生偏转,偏转角度ψ与磁感应强度B和光穿越介质的长度l的乘积成正比,即ψ=VBl,比例系数V称为费尔德常数,与介质性质及光波频率有关。偏转方向取决于介质性质和磁场方向。上述现象称为法拉第效应或磁致旋光效应。法拉第效应第一次显示了光和电磁现象之间的联系。促进了对光本性的研究。之后费尔德(Verdet)对许多介质的磁致旋转进行了研究,发现法拉第效应在固体、液体和气体中都存在。大部分物质的法拉第效应很弱,掺稀土离子玻璃的费尔德常数稍大。近年来研究的YIG等晶体的费尔德常数较大,从而大大提高了实用价值。 法拉第效应实验原理法拉第效应是磁场引起介质折射率变化而产生的旋光现象,实验结果表明,光在磁场的作用下通过介质时,光波偏振面转过的角度(磁致旋光角)与光在介质中通过的长度L及介质中磁感应强度在光传播方向上的分量B成正比,即: [2] θ=VBL 式中V称为费尔德常数,它表征物质的磁光特性。几种材料的费尔德常数值如下表。 法拉第效应实验装置如图所示。由光源产生的复合白光通过小型单色仪后可以获得波长在360~800nm的单色光,经过起偏镜成为单色线偏振光,然后穿过电磁铁。电磁铁采用直流供电,中间磁路有通光孔,保证人射光与磁场B方向一致。根据励磁电流的大小可以求得对应的磁场值。入射光穿过样品后从电磁铁的另一极穿出人射到检偏器上,透过检偏器的光进入光电倍增管,由数显表显示光电流的大小,即出射光强的大小。根据出射光强最大(或最小)时检偏器的位置读数即可得出旋光角。检偏器的角度位置读数也由数显表读出。 由经典电子论对色散的解释可得出介质的折射率和入射光频率w 的关系为: 式中ω0是电子的固有频率,磁场作用使电子固有频率改变为(ωL±ω0)(ωL是电子轨道在外磁场中的进动频率)。使折射率变为: 由菲涅耳的旋光理论可知,平面偏振光可看成由两个左、右旋圆偏振迭加而成,上式中的正负号反映了这两个圆偏振光折射率有差异,以R n 和L n 表示。它们通过长度为L的介质后产生的光程差为: 由它们合成的平面偏振光的磁致旋光角为: 通常,nR,nL,和n,相差甚微,故 将此代入上式,又因ωL≪ω可略去ωL项,得: 可见括号项即为费尔德常数,表示V 值和介质在无磁场时的色散率、入射光波长等有关。由马吕斯定律可知,平面偏振光通过磁场中的介质和检偏器后的光强为: α为检偏器和起偏器透光轴的夹角,θ为法拉第磁致旋光角。当α=π/4时, 若磁场变化则: 表示此时由检偏器输出的光强将随产生磁场的电流i(调制电流)线性地变化,这就是光强度的磁光调制原理。在α=π/4时,dI/d= 1,即此时调制系统的信号检测灵敏度最高,失真最小。 法拉第效应分类描述物体磁性强弱程度的一个重要物理量是磁化强度矢量M,即单位体积内各个磁畴磁矩的矢量和。磁化强度M与磁场强度H的关系表示为: M =χH式中 χ 为物体的磁化率。 按照物质磁化率 χ 的大小和符号、物质磁性来源和磁结构特性,物质磁性可分为抗磁性、顺磁性、铁磁性、反铁磁性和亚铁磁性五大类,下面分别简述五大类磁性的基本特点。 ① 抗磁性 物质由原子和分子组成。自由原子的磁矩有三个主要来源:一是电子的自旋,二是电子绕原子核旋转的轨道角动量,三是电子在外加磁场中旋转所感生的轨道磁矩变化。第三个来源是产生抗磁性的原因,前两个来源不同程度上对顺磁性、铁磁性、反铁磁性和亚铁磁性有所贡献。可以看出,所有物质都存在第三个来源,因此抗磁性在所有物质中都存在。由于抗磁性极其微弱,故在具有其他磁性的物质中抗磁性常常被掩盖。 抗磁性亦称为逆磁性。电子在外磁场中运动所感生的磁矩,其方向与外磁场相反。 ② 顺磁性 物质具有顺磁性的必要条件是组成物质的原子、分子或离子具有固有磁矩。但这些原子(分子或离子)磁矩之间相互作用十分微弱,在热运动的影响下,基本上处于无序排列状态;温度越高,排列越无序。物质磁化以后,原子(分子或离子)磁矩就有沿外磁场方向排列的趋势,外磁场越大,排列越趋整齐。由此可见,顺磁性物质的磁化强度M 与外磁场 H ,方向相同,不过仅显示微弱的磁性。 ③ 铁磁性 铁磁性物质原子或离子的电子之间存在交换作用,这种相互作用十分强大,与其等效的“磁场”称为分子场。如此大的分子场足以克服热运动的影响,使原子(离子)磁矩相互平行排列(交换积分 A > 0)。随着温度的升高,热运动渐趋剧烈,磁矩平行排列趋势逐渐变弱, 但仅是量变过程。当温度高于居里温度即CT >T时,热运动能大于交换作用能,从而导致原子(离子)磁矩混乱排列,此时铁磁性转变为顺磁性。 铁磁性物质是一类重要的磁性材料,其中有一些也是优良的磁光材料。 ④ 反铁磁性 绝大多数反铁磁性物质,如 MnO 和 NiO 等都是导电性很差的化合物,其阳离子通常为过渡族金属离子,近邻配位离子为阴离子。金属离子之间距离较大,它们的电子壳层几乎不存在交叠。因此,反铁磁性物质的原子或离子磁矩之间存在间接交换作用,而不是如铁磁性物质那样的直接交换作用。这种相互作用十分强,但是反映间接交换作用大小的量——间接交换积分A <0间接,导致相邻金属离子磁矩之间相互反平行。相同晶格位置上的平行离子磁矩组成一个压晶格,称为磁亚晶格,反铁磁性物质中一般存在两个或两个以上磁亚晶格。 反铁磁性物质的相邻磁亚晶格的磁矩之间相互反平行,因此对外并不显示磁性。在外磁场作用下,也只能出现微弱的磁性。由反铁磁性转变为顺磁性的磁相变点NT 称为奈尔温度。在 NT 处,χ最大。 ⑤ 亚铁磁性 与反铁磁性物质一样,亚铁磁性物质中具有两个或两个以上磁亚晶格。所不同的是,相邻磁亚晶格的原子(离子)磁矩方向相反,但大小不等,从而存在未抵消的磁矩,因此亚铁磁性物质中存在相当强的磁性;有许多特性,如技术磁化过程的不少特征与铁磁性物质十分相似。 亚铁磁性物质的磁化率 χ > 0,且很大。除钡铁氧体等永磁材料外,亚铁磁性材料大多在高频区域应用,对于χ特性的要求不同于低频区域,有时对χ大小的要求显得并不重要。亚铁磁性物质的磁相变点称为奈尔点。 ⑥ 超顺磁性 随着纳米材料的诞生和发展,一种新型的磁性物质出现了,称为“超顺磁性材料”。如果磁性材料是一单畴颗粒的集合体,对于每一个颗粒而言,由于磁性原子或离子之间的交换作用很强,磁矩之间将平行取向,而且磁矩取向在由磁晶各向异性所决定的易磁化方向上,但是颗粒与颗粒之间由于易磁化方向不同,磁矩的取向也就不同。 法拉第效应应用法拉第效应可以应用于测量仪器。例如,法拉第效应被用于测量旋光度、或光波的振幅调变、或磁场的遥感。在自旋电子学里,法拉第效应被用于研究半导体内部的电子自旋的极化。法拉第旋转器(Faraday rotator)可以用于光波的调幅,是光隔离器与光循环器(optical circulator)的基础组件,在光通讯与其它激光领域必备组件。具体应用如下: (1) 量糖计(自然旋光) (2) 磁光开关与磁光调制器(点调制与空间调制) (3) 磁光光盘:光信息存储 (4) 磁光电流传感器(或互感器):测量大电流 (5) 磁光隔离器:在光通信和级联式激光器系统中用以隔离后续系统反馈的光信号 (6) 磁光偏频器:零锁区激光陀螺中通过产生偏频来消除激光陀螺的闭锁现象 法拉第效应可用于混合碳水化合物成分分析和分子结构研究。在激光技术中这一效应被利用来制作光隔离器和红外调制器。该效应可用来分析碳氢化合物,因每种碳氢化合物有各自的磁致旋光特性;在光谱研究中,可借以得到关于激发能级的有关知识;在激光技术中可用来隔离反射光,也可作为调制光波的手段。 因为磁场下电子的运动总附加有右旋的拉穆尔进动,当光的传播方向相反时,偏振面旋转角方向不倒转,所以法拉第效应是非互易效应。这种非互易的本质在微波和光的通信中是很重要的。许多微波、光的隔离器、环行器、开关就是用旋转角大的磁性材料制作的。
⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️ 法拉第磁光效应
目录1 定义 法拉第磁光效应定义⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️ 磁-光效应 本词条由“科普中国”科学百科词条编写与应用工作项目 审核 。
目录磁-光效应背景及简介磁光效应 [1] 是指处于磁化状态的物质与光之间发生相互作用而引起的各种光学现象。包括法拉第效应、克尔磁光效应、塞曼效应和科顿-穆顿效应等。这些效应均起源于物质的磁化,反映了光与物质磁性间的联系。 光与磁场中的物质,或光与具有自发磁化强度的物质之间相互作用所产生的各种现象,主要包括法拉第效应、科顿-穆顿效应、克尔磁光效应、塞曼效应和光磁效应,其中最为人所熟知的是磁光法拉第效应, 它指的是一束线偏振光通过某种透明介质时,透射光的偏振化方向与入射光的偏振化方向相比,转过了一个角度,通常把这个角度叫做法拉第转角.。 磁光存储技术是建立在磁光效应基础上的,与磁光存储技术直接相关的是磁光克尔效应。磁光信息记录在介质上以后,主要是利用磁光克尔效应读出信息。磁光克尔效应指的是一束线偏振光在磁化了的介质表面反射时,反射光将是椭圆偏振光,而以椭圆的长轴为标志的“ 偏振面” 相对于入射偏振光的偏振面旋转了一定的角度。这个角度通常被称为磁光克尔转角。 磁-光效应法拉第效应线偏振光透过放置磁场中的物质,沿着磁场方向传播时,光的偏振面发生旋转的现象。也称法拉第旋转或磁圆双折射效应,简记为MCB。一般材料中,法拉第旋转(用旋转角θF表示)和样品长度l、磁感应强度B有以下关系 θF=VlB, V是与物质性质、光的频率有关的常数,称为费尔德常数。 因为磁场下电子的运动总附加有右旋的拉莫尔进动,当光的传播方向相反时,偏振面旋转角方向不倒转,所以法拉第效应是非互易效应。这种非互易的本质在微波和光的通信中是很重要的。许多微波、光的隔离器、环行器、开关就是用旋转角大的磁性材料制作的。利用法拉第效应,还可实现光的显示、调制等许多重要应用。 磁-光效应克尔磁光效应线偏振光入射到磁化媒质表面反射出去时,偏振面发生旋转的现象。也叫克尔磁光效应或克尔磁光旋转。这是继法拉第效应发现后,英国科学家J.克尔于1876年发现的第二个重要的磁光效应。 按磁化强度和入射面的相对取向,克尔磁光效应包括三种情况:
在磁光存储技术中主要应用的是极向克尔效应。 极向和纵向克尔磁光旋转都正比于样品的磁化强度。通常极向克尔旋转最大、纵向次之。偏振面旋转的方向与磁化强度方向有关。横向克尔磁光效应中实际上没有偏振面的旋转,只是反射率有微小的变化,变化量也正比于样品的磁化强度。1898年P.塞曼等人证实了横向克尔磁光效应的存在。克尔磁光效应的物理基础和理论处理与法拉第效应的相同,只是前者发生在物质表面,后者发生在物质体内;前者出现于仅在有自发磁化的物质(铁磁、亚铁磁材料)中,后者在一般顺磁介质中也可观察到。它们都与介电张量非对角组元的实部、虚部有关。 磁-光效应塞曼效应塞曼效应是荷兰物理学家塞曼在 1896 年发现的。他发现,发光体放在磁场中时,光谱线发生分裂的现象。是由于外磁场对电子的轨道磁矩和自旋磁矩的作用,或使能级分裂才产生的。其中谱线分裂为2条(顺磁场方向观察)或3条(垂直于磁场方向观察)的叫正常塞曼效应;3条以上的叫反常塞曼效应(见塞曼效应)。 塞曼效应证实了原子磁矩的空间量子化,为研究原子结构提供了重要途径。塞曼效应也可以用来测量天体的磁场。1908 年美国天文学家海尔等人利用塞曼效应,首次测量到了太阳黑子的磁场。 磁-光效应磁光效应当左、右旋圆偏振光在置于磁场中的媒质内传播而有不同的吸收系数时,入射的线偏振光传播一段距离后会变为椭圆偏振光,这个效应叫法拉第椭圆度效应或磁圆二向色性效应,简记为MCD。法拉第椭圆度和法拉第旋转均由媒质的介电张量非对角组元的实部和虚部决定。 磁-光效应科顿-穆顿效应又称磁双折射效应,简记为MLB。科顿-穆顿效应是 1907 年科顿和穆顿发现的。。佛克脱在气体中也发现了同样效应,称佛克脱效应,它比前者要弱得多。当光的传播方向与磁场垂直时,平行于磁场方向的线偏振光的相速不同于垂直于磁场方向的线偏振光的相速而产生的双折射现象。其相位差正比于两种线偏振光的折射率之差,同磁场强度大小的二次方成正比 当光的传播方向与外磁场方向垂直时,媒质对偏振方向不同的两种光的吸收系数也可不同。这就是磁的线偏振光的二向色性,称磁线二向色性效应,简记为MLD。 MCD、MLB、MLD的物理起因、宏观表述及量子力学处理都与法拉第效应类同(实际上可同时完成)。MLB和MLD通常比MCB和MCD要弱得多,但它们与磁场强度(磁化强度)的二次方成正比。因此对这些效应的测量除能得到物质中能级结构的信息外,还能用于微弱磁性变化(单原子层的磁性)的研究。 磁-光效应磁光效应克尔磁光效应的最重要应用就是观察铁磁材料中难以捉摸的磁畴。因不同磁畴区的磁化强度的不同取向使入射偏振光产生方向、大小不同的偏振面旋转,再经过检偏器后就出现了与磁畴相应的明暗不同的区域。利用现代技术,不但可进行静态观察,还可进行动态研究。这些都导致一些重要发现和关于磁畴、磁学参数的有效测量。 磁-光效应光磁效应光照射物质后,物质磁性(如磁化率、磁晶各向异性、磁滞回线等)发生变化的现象。早在1931年就有光照引起磁化率变化的报道,但直到1967年R.W.蒂尔等人在掺硅的钇铁石榴石 (YIG)中发现红外光照射引起磁晶各向异性变化之后才引起人们的重视。这些效应多与非三价离子的代换有关,这种代换使亚铁磁材料中出现了二价铁离子,光照使电子在二、三价铁离子间转移,从而引起磁性的变化。因此,光磁效应是光感生的磁性变化,也称光感效应。当然这只是一种机制,其他机制的光磁效应在光存储、光检测、光控器件方面的应用还在研究之中。 磁-光效应磁光效应的应用虽然法拉第早在 1845 年就发现了磁光效应,但在其后相当长的时间内并未获得实质性的应用,只是不断在发现新的磁光效应和建立初步的磁光理论。直到 1956 年,贝尔实验室②③在偏光显微镜下,应用透射光观察到钇铁石榴 单晶材料中的磁畴结构,才使得磁光效应的研究向应用领域发展 [2] 。特别是上世纪60年代,由于激光的诞生及光电子技术的开发,对物质的磁性和磁光性能的研究才走上快速发展道路。 磁-光效应磁光隔离器随着光纤通信、光信息处理和磁光记录等技术的高速发展,光源的稳定性和鲁棒性就显得至关重要。各种反射光都会严重干扰光源的正常输出,从而影响了整个系统的正常工作。磁光隔离器通过防止反向传输的干扰光对光源的影响,提高系统的工作稳定性,实现正向通过,反向隔离的目的。 磁-光效应磁光调制器磁光调制器是利用偏振光,通过磁光介质,透射光的偏振面发生旋转来对光束进行调制的一种工具。磁光调制器可用作红外检测器的斩波器,红外辐射高温计、高灵敏度偏振计等。磁光调制器的工作原理是将电信号先转换成与之对应的交变磁场,再由磁光效应改变在介质中传输的光波的偏振态,从而达到改变光强等参的目的。 磁-光效应磁光传感器光纤电流传感器具有很好的绝缘性和抗干扰能力以及较高的测量精度,容易小型化。磁光效应传感器就是利用激光技术发展而成的高性能传感器。光纤电流传感器是根据法拉第效应原理,当一束线偏振光通过置于磁场中的磁光材料时,光的偏振方向发生改变来实现传感器的功能。磁光效应传感器作为一种特定用途的传感器,能够在特定的环境中发挥自己的功能,也是一种非常重要的工业传感器。 磁-光效应磁光环行器随着光纤通信技术在通信领域的应用,具有光的非互易性和自光行进方向耦合端循环的磁光环行器被广泛应用于光纤通信技术中。利用环行器可在一根光纤内传输两个不同方向的信号,从而大大减小了系统的体积和成本。 磁-光效应磁光存储记录磁光记录是近年来发展起来的高新技术,是存储技术的一大飞跃发展。磁光记录是目前最先进的信息存储技术,它兼有磁记录和光记录两者的优点,磁光记录兼有光记录的大容量和磁记录的可重写性。磁光记录利用磁光克尔效应对记录信号进行读出。 磁-光效应总结与展望随着时代的进步、科学技术的发展,对磁光特性的研究必将日益深入,新的磁光材料 [3] 也会不断被发现,随着计算机科学技术的迅速发展, 磁存储技术获得巨大进步 , 无论是材料还是技术均日渐成熟,同时越来越多软件的开发, 对信息存储设备提出 更高记录密度、更大存储容量、体积小、成本低的新要求.磁光学必将获得更大的发展,磁光材料、器件和测量技术将会展现出更广阔的应用空间。
⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️ 磁光克尔效应 本词条由“科普中国”科学百科词条编写与应用工作项目 审核 。
磁光克尔效应发现历程在1845年,Michael Faraday首先发现了磁光效应,他发现当外加磁场加在玻璃样品上时,透射光的偏振面将发生旋转的效应,随后他在外加磁场之金属 表面上做光反射的实验,但由于他所谓的表面并不够平整,因而实验结果不 能使人信服。1877年John Kerr在观察偏振化光从抛光过的电磁铁磁极反射出来时,发现了磁光克尔效应(magneto-optic Kerr effect)。1985年Moog和 Bader两位学者进行铁超薄膜磊晶成长在金单晶(100)面上的磁光克尔效应做了大量实验,成功地得到一原子层厚度磁性物质之磁滞回线,并且提出了以SMOKE(surface magneto-optic Kerr effect的缩写)来作为表面磁光克尔效应,用以表示应用磁光克尔效应在表面磁学上的研究。由于此方法致磁性解析灵敏度达一原子层厚度,且仪器配置合于超高真空系统之工作,因而成为表面磁学的重要研究方法。 表面磁光克尔效应实验系统是表面磁性研究中的一种重要手段,它在磁性超薄膜的磁有序、磁各向异性、层间耦合和磁性超薄膜的相变行为等方面的研究中都有重要应用。应用该系统可以自动扫描磁性样品的磁滞回线,从而获 得薄膜样品矫顽力、磁各异性等方面的信息。 磁光信息存储是近年发展起来的新技术,是对传统信息存储技术的革新。开发更多、性能更加优越,而且实用的磁光介质材料是当前信息存储领域的一项重要的任务。测量磁光介质的克尔转角则是研究这些材料的基本手段和方法。对于非开发人员来讲,测量磁光克尔转角的实验一方面能够提高进行物理综合实验的能力,另一方面对信息存储的新技术将有更加深刻的理解,能启发他们利用物理原理在信息存储技术等领域提出新的设想,做出新的贡献。 [1] 磁光克尔效应效应原理当一束单色线偏振光照射在磁光介质薄膜表面时,部分光线将发生透射,透射光线的偏振面与入射光的偏振面相比有一转角,这个转角被叫做磁光法拉第转角( ![]() ![]() 磁光克尔效应包括三种情况: (1)纵向克尔效应,即磁化强度既平行于介质表面又平行于光线的入射面时的克尔效应;克尔信号的强度随入射角的减小而减小,垂直入射时为0。纵向克尔信号中克尔旋转角和克尔椭偏率都比极向克尔信号小一个数量级。从而纵向克尔信号的探测比极向难。但对于薄膜样品来说,易磁轴一般平行于样品表面,纵向配置下样品的磁化强度才容易达到饱和,因此纵向克尔效应对平面内的磁化相当敏感。 (2)极向克尔效应,即磁化强度与介质表面垂直时发生的克尔效应;通常情况下极向克尔效应的强度随入射角的减小而增大,在垂直入射时达到最大。并且克尔旋转角最大最明显。 (3)横向克尔效应,即磁化强度与介质表面平行时发生的克尔效应;其反射光的偏振状态没有变化,因为这种配置下光电场与磁化强度矢积的方向永远没有与光传播方向相垂直的分量。只有p偏振光(偏振方向平行于入射面)入射时才有一个很小的反射率的变化(一般来讲只造成长度的跳变,不会造成极化平面的旋转)。 [2] 对于已经写入了信息的磁光介质,要读出所写的信息则需要利用磁光克尔效应来进行。具体方法是:将一束单色偏振光聚焦后照射在介质表面上的某点,通过检测该点处磁畴的磁化方向来辨别信息的“0”或“1”。例如,被照射的点为正向磁化,则在该点的反射光磁光克尔转角应为 ![]() ![]() ![]() ![]() 磁光克尔效应测量装置测量系统由以下5部分组成: (1)光学减震平台。 (2)光路系统,包括输入光路与接收光路。激光器用普通半导体激光器,起偏和检偏棱镜都用格兰一汤普逊棱镜,光电检测装置由孔状可调光阑、干涉滤色片和硅光电池组成。格兰一汤普逊棱镜的机械调节结构由角度粗调和螺旋测角组成,测微头的线位移转变为棱镜转动的角位移。测微头分度值为0.01 mm,转盘分度值为1,通过测微头线位移的角位移定标可知其测量精度在2 左右。 (3)励磁电源主机和可程控电磁铁。励磁电源主机可选择磁场自动和手动扫描。 (4)前级放大器和直流电源组合装置。a)将光电检测装置接收到的克尔信号作前级放大,并送入信号检测主机中。b)将霍耳传感器探测到的磁场强度信号作前级放大并送入检测装置。c)为激光器提供精密稳压电源。 (5)信号检测主机。将前置放大器传来的克尔信号及磁场强度信号进行二级放大,分别经A/D转换后送计算机处理,同时用数字电压表显示克尔信号及磁场强度信号的大小。D/A提供周期为20 s、40 s、80 S准三角波,作为励磁电流自动扫描信号。 [3] 磁光克尔效应应用前景磁光克尔法是测量材料特性特别是薄膜材料物性的一种有效方法,表面磁光克尔效应作为表面磁学的重要实验手段,已被广泛应用于磁有序、磁各向异性、多层膜中的层间耦合以及磁性超薄膜间的相变行为等问题的研究。
⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️ ⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️⚡️ 光的干涉
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时间 | 大事 | 发现人 |
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公元前七世纪 | 发现磁石 | 管子(中国), Thales(泰勒斯、古希腊) |
公元前二世纪 | 静电吸引 | 西汉初年不详 |
1600年 | 《地磁论》论述磁并导入“电的”(electric) | William Gilbert(吉尔伯特) 英国女王御臣 |
1745年 | 莱顿瓶,电容器的原形,存贮电 | Pieter van musschenbrock(穆欣布罗克,荷兰莱顿) Ewald Georg Von Kleit(克莱斯特,德国) |
1747年 | 电荷守恒定律 (正、负电的引入) | Benjamim Franktin (富兰克林,美国) |
1754年 | 避雷针 (电的实际应用) | Procopius Dirisch (狄维施) |
1785年 | 库仑定律 电磁学进入科学行列 | Charles Auguste de Coulom (库仑,法国) |
1799年 | 发明电池 提供较长时间的电流 | Alessandro Graf Volta (伏打,意大利) |
1820年 | 电流的磁效应 (电产生磁) 安培分子电流说 毕奥-萨伐尔定律 | Hans Chanstian Oersted(奥斯特丹麦) Andre Marie Ampere(安培,法国) Jean-Baptute Biot, Felix Savart(毕奥,萨伐尔) |
1826年 | 欧姆定律 | Georg Simon ohm(欧姆) |
1831年 | 电磁感应现象 (磁产生电) | Michael Faraday (法拉第,英国) |
1834年 | 楞次定律 | 楞次 |
1865年 | 麦克斯韦方程组 建立了电磁学理论, 预言了电磁波 | Maxwell(麦克斯韦) |
1888年 | 实验证实电磁波存在 | Heinrich Hertz (赫兹,德国) |
1896年 | 光速公式 | Hendrik Anoen Lorentz (洛仑兹) |
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