目前第三代半导体功率器件发展方向主要有 SiC和GaN两大方向,SiC拥有更高的热导率和更成熟的技术,而GaN高电子迁移率和饱和电子速率、成本更低的优点,两者的不同优势决定了应用范围上的差异,GaN 的市场应用偏向高频小电力领域,集中在700V、650V和600V以下以下。 本文研究SiC功率器件和GaN功率器件。 据QYResearch调研团队最新报告“全球氮化镓和碳化硅功率半导体市场报告2025-2031”显示,预计2031年全球氮化镓和碳化硅功率半导体市场规模将达到210.6亿美元,未来几年年复合增长率CAGR为21.0%。 图. 氮化镓和碳化硅功率半导体,全球市场总体规模 如上图表/数据,摘自QYResearch半导体研究中心最新报告“全球氮化镓和碳化硅功率半导体市场研究报告2025-2031”. 图. 全球市场总体规模:氮化镓功率半导体 VS 碳化硅功率半导体 如上图表/数据,摘自QYResearch半导体研究中心最新报告“全球氮化镓和碳化硅功率半导体市场研究报告2025-2031”.
图. 全球氮化镓和碳化硅功率半导体市场前40强生产商排名及市场占有率(基于2025年调研数据;目前最新数据以本公司最新调研数据为准) 如上图表/数据,摘自QYResearch半导体研究中心报告“全球氮化镓和碳化硅功率半导体市场研究报告2025-2031”,排名基于2024数据。目前最新数据,以本公司最新调研数据为准。 根据QYResearch调研,全球范围内氮化镓和碳化硅功率半导体生产商主要包括onsemi、STMicroelectronics、Infineon (GaN Systems)、Wolfspeed、BYD Semiconductor、Bosch、United Nova Technology、Innoscience、Navitas (GeneSiC)、Guangdong AccoPower Semiconductor等。2024年,全球前十强厂商占有大约84.0%的市场份额。
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