问题1：
请问片子的体电阻与其硼的掺杂量有什么关系呢而且为什么电阻率越高的片子他的开路电压越低呢？杂质浓度与体电阻是反向相关的但不是线性相关的关系因为掺杂浓度到一定量后，载流子的迁移率会下降杂质浓度与体电阻是反向相关的我来说一下，不知道正不正确电阻率=1/（quNA），q是单位电荷，u是载流子迁移率，NA是掺杂浓度，基区的掺杂浓度对短路电流和开路电压的影响是相反的，掺杂浓度越大，载流子的迁移率越低，因而少子的扩散系数越低，少子的寿命也降低，因此，掺杂浓度越大，短路电流越小；而对开路电压而言，有一个公式表明掺杂浓度越高，反向饱和电流越小，从而开路电压越大补充下：VOC和半导体的Eg呈关系。掺杂质越多，体内复合越大。低电阻率有助于提高开压，高电阻率又有助于提高短路电流，两者最好匹配大概为电阻率在1—-3！电阻率的范围越窄越好，高电阻和低电阻都可以把效率做高，主要是稳定均匀，在扩散时容易做出较平整的PN结，电阻高了少子在通过结区时会少一些复合，但PN结会比较很难做的完好，电阻低了少子寿命会短一些，但PN结会做的很平整，电阻率的高低不是主要的，主要是有相应的工艺去与之配套，想有稳定的工艺就的有稳定的电阻率。一般电池片硅片电阻率是以10为分界线小于10越小,Voc,FF越大,短路电流会有所下降.但不明显,所以总功率是变大的.理论计算得出在0.3--0.5电池片的效率是最佳.当小于0.3进一步减小,Isc迅速下降,是因为少子变小的原因.当电阻率大于10进一步加大Voc,FF下降,短路电流不变.
最近出来几个锭，电阻率都大于10了，同时寿命也高的离奇，顶部反型。谁知道这是什么原因吗？请不吝赐教，谢谢了。
这个问题我想我可以回答。1、顶部反型，可以说明料里面基磷多、原料电阻率应该是比较低的。即使掺入合金什么的，由于和硼的相互补偿，多余的电子和空穴进行复合，形成载流子的电子就少了，所以显示电阻率高。2、像这种补偿较大的单晶，少子寿命是非常高的，因为能够进行复合的电子或空穴数量本身就没那么多了。虽然少子寿命很高，但是后期制成电池片后，它的光衰减非常之大，使用期限远远达不到15年或者10年，属于掩人耳目的一种片子。建议做电池片的要睁大眼睛！加入的料里混入了N型料不仅仅是N型硅料而且还是电阻率很低的硅料电阻高，顶部反型，说明料中的P含量高金属元素在缺陷处沉积能极大的降低了硅的电学性能，而P具有吸杂的效果（具体是怎么作用的不清楚），所以少子寿命会有提升。应该是硅锭中杂质太多，顶部反型。同时氧施主的现像也比较严重，会导致电阻失真，建议退火后在看看实际的电阻值。应该这种情况是假像！顶部电阻率高??并且反型主要是硅料中P含量超标所致少子寿命偏高到有些反常，由于定向分凝，顶部的金属杂志含量应该很高，并且碳和氮含量也应该很高，少子复合严重，寿命比较低才对。磷有一定的吸杂作用但也没有这么夸张氧施主大的话，会显示反型。少子寿命没那么夸张的高度补偿的话，寿命高很正常，不需要去管单晶是N型或P型。不是说单N型金属离子就使得寿命高，切记??“??不是说单N型金属离子就使得寿命高？”不太明白。我觉得金属离子大多情况下都是深能级，但具体有哪些会导致N型还有具体机理我不太清楚，请问您知道吗？谢谢指教。大多数属于深能级的为过渡重金属离子，所以你说的并不是很精确。如果重金属离子多的话，那么少子寿命会少的可怜的。这个跟P金属又不一样的P100单晶硅电阻率为什么要退火后才是真实的，哪位大侠能详解下其中的理论基础啊因为硅晶体有氧施主，使得电阻率从头到尾的电阻率分布失真，通过退火能消除氧施主，使电阻率的分布得到还原。
印象中重掺重金属杂质也会造成少子寿命虚高退火就露出原型了对，就是氧的原因。因为在450度使会有热施主出现，在700度会有新施主出现。在600度左右退火会消除这种施主效应，从而使真实的电阻率出来因为硅晶体有氧施主，使得电阻率从头到尾的电阻率分布失真，通过退火能消除氧施主，使电阻率的分布得到还原。680度以上，半小时以上。60度以上，小时以上各位大侠，有谁知道目前多晶156被分割成25个锭之后，每个锭之间电阻率和少子寿命的差异会有多少？特别是中间锭与边缘锭之间的差异一般会在多少？电阻率差别不大，一般没有影响，寿命边缘的低些，尤其是四个角的。电阻率基本都差不多，少子寿命的话应该是第二圈的相对好一点，最中心的和边缘的都会稍差一点！电阻率几乎没有什么变化，少子寿命靠近坩埚面基本会小于1，因为靠近坩埚，在融化长晶的时候有大量杂质会排往头尾和边缘，所以检测的时候不能测靠近坩埚面，具体可以加我QQ328954939，详细告诉你电阻率：纵向小于0.4，横向小于0.1少子寿命范围控制在2到3对于硅片，复合机制是间接复合，复合速率应该用SRH方程来计算，而不是直接复合的公式得到的少子寿命1/(r.n)来计算。在我们太阳能硅片的电阻率范围内SRH公式可以简化为1/(r.Nt),其中Nt为深能级杂质浓度。所以少子寿命直接和深能级杂质相关，越高少子寿命越小。而不是电阻率。导致电阻率高低的因素有哪些？
不同因素对将来电池的性能都会有哪些影响？
拉晶过程如何控制各种因素的影响？
电阻率在什么范围对电池性能的发挥最有帮忙？
其中热施主效应引起的电阻率偏高，其原理是什么？对电池性能是否会有影响？所谓的退货是否能够完全避免其对电池的影响呢？此效应对电池长时间使用性能是否会产生负面影响？纯净的硅电阻率很高的,高度补偿的也高电阻率会直接影响开压，电阻率在合适的范围内才能得到较好的开压。太高或太低都不行。电阻率对电池效率有一定的影响，电阻率低一般（工艺不调整的化）电压会高一点，电池率高的电流会高一点，但是都有一定的范围，一般1-1.2的电阻率可以做的很好，现在的工艺也在不断的变化，有的工厂也能做电阻率很高的片子，以前硅片的要求电阻率的范围0.5-3??现在好像是0.5-6了吧，可能看一些基础方面的书了解一下。基区电阻可以提高开路电压，从而提高转换效率，但是电阻太高会产生高掺杂效应，所以硅片的电阻率是有一定范围的。电阻率高=掺杂浓度低低电阻率才会产生重掺效应，一般大于10e19的时候所谓电阻率，就是某种物体单位长度及单位截面积的体积内的电阻值。电阻率越小，越容易导电；反之，电阻率越大，越难导电。硅片是电池板的材料，是不是更容易导电更好？如果是，那为什么把低电阻率的硅料划为重掺？掺杂越重，电阻率应该越小，而此时少子寿命应该相应的降低了，因为很容易就碰到多子而复合了，所以为什么太阳能电池的掺杂浓度和少子寿命需要一个折中方案光激发==》非平衡少子产生==》电导率增加==》电阻率下降==》电压变化==》检测仪器测出电压衰减曲线==》得出少子寿命 |
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