电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)电路设计（八）之三极管什么时候工作在饱和区
tdyizhen134注：此文章转自网络，前段时间在网上看到了这么精彩的争论，于是珍藏下来，生怕以后再也找不到，希望大家可以看看，有时间深究一下三极管饱和区的工作状态。以下为原文：
三极管什么时候工作在饱和区？以前我以为Ib大的时候就在饱和区。现在看了书，看来应该是两个PN结都正偏的时候才是
那么这样说来用三极管做开关的话只能在放大区对吗？
这样压降会比较大，效率比较低我的理解对吗
2楼：>参与讨论作者：NE532于205-1316:28:0发布：
不正确。在Ib〉Ic（max）/hFE的时候才是,就是说,三极管的电流放大倍数已经不能得到满足了。
另外一个应该注意的问题就是：在Ic增大的时候，hFE会减小，所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib〉〉Ic（max）/hFE
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)当然这是以牺牲关断速度为代价的。
在三极管饱和的时候，一般来说，bc结不会正偏。因为c极连接着Vc（对NP管），他代表着系统最高点压。Vb是不会高于他的。
当bc结正偏时，三极管的工作条件被破坏，这样会沦落为两个简单的二极管，由Vb用过bc结向负载供电。并可能导致该管的烧毁。
三极管工作在开关状态时，一定是在饱和和截至区之间转换，不会在放大区。-本贴最后修改时间：205-1316:34:2修改者：NE532
3楼：>参与讨论作者：赤铸于205-1316:50:发布：
饱和时Vb>c，但Vb>c不一定饱和一般判断饱和的直接依据还是防大倍数，有的管子Vb>c时还能保持相当高的放大倍数例如：有的管子将Ic/Ib<10定义为饱和
Ic/Ib<1应该属于深饱和了--------
纠正：饱和="Vb>c"，即使Vb>c时hFE还不小，也算饱和
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)-本贴最后修改时间：205-10:5:8修改者：赤铸
4楼：>参与讨论作者：NE532于205-1317:06:0发布：
但是赤铸兄：bc结正偏，好像不能建立内电场啊。我记得三极管工作条件是bc反偏，be正偏啊。5楼：
>参与讨论作者：computer0于205-1318:36:0发布：
正因为这样才饱和啊6楼：>参与讨论
作者：tuwen于205-1319:45:0发布：谈论饱和不能不提负载电阻
以上几位都完全没有提到负载电阻，是不正确的。假定晶体管集-射极电路的负载电阻（包括集电极与射极电路中的总电阻）为R，则集-射极电压Vce=VC-IbhFER，随着Ib的增大，Vce减小，当Vce<0.6V时，B-C结即进入正偏，Ice已经很难继续
增大，就可以认为已经进入饱和状态了。当然Ib如果继续增大，会使Vce再减小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度饱和了。以上是对NP型硅管而言。
NE532给出的关系式Ib>Ic(max)/hFE，没有说明Ic(max)指的是什么，如果指的是该晶体管参数表中规定的集电极最大允许电流，那是完全错误的。
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再补充一句：在近似估算时，可以认为C-E饱和压降等于0，那么判断饱和的近似条件就是IbhHE>Vc/R。
-本贴最后修改时间：205-1320:16:4修改者：tuwen7楼：
>参与讨论作者：computer0于205-1320:4:0发布：
为什么要说负载电阻？不要误导人哦NE532的意思是IbhFE>Ic。既然已经用集电极电流来算了，还要什么负载电阻？
8楼：>参与讨论作者：xiaoqiu于205-1320:56:0发布：
to:tuwen三极管处于深度饱和时，Vbc会低于0.5V。tuen：当Vce<0.6V时，B-C结即进入正偏，Ice已经很难继续增大，就可以认为已经进入饱和状态了。我个人认为bc应该处于临界正偏，更合理。
9楼：>参与讨论作者：NE532于205-1321:2:0发布：
Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限偷了个懒，不好意思。
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)10楼：>参与讨论
作者：lai832于205-1323:50:发布：正确的说法是：
（理论啊）饱和：发射结正偏，
集电结正偏，同时：IB>IC/B（是放大倍数）"<"是远大于
就算集电结开路也算是饱和的一种特殊形式。-本贴最后修改时间：205-151:0:3修改者：lai832
1楼：>参与讨论作者：赤铸于205-1323:57:0发布：
用数据说明吧对于常见小功率非达林顿管：VCE(sat)=0.1V不稀奇吧？此时一般定义为Ic/Ib=10
某些管子，当Vce增加到0.5V时，hFE>50，这能算是正常放大吧？而此时Vbe>0.5V大概没问题吧，如果电流大一些，就是Vbe>0.6V显然，此时Vbe>Vce=>Vb>c,Vbc>0
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)
所以Vb>c作为饱和的依据不够准确（偏严），虽然也“差不多”了Vbc略大于0，仍然可以放大，再大了，bc结导通了，当然就没戏了
当然，在做设计时，为保证可靠工作，一般都以Vc>b作为“不饱和”条件--------
纠正：同上，放大倍数能判断饱和程度，但不能判断饱和。-本贴最后修改时间：205-10:58:39修改者：赤铸
12楼：>参与讨论作者：sharks于205-1417:38:0发布：
导通到不能再导通，就是饱和13楼：>参与讨论
作者：wuhanhebin于205-1419:2:0发布：只要满足.只要满足.p-npVce<0.4Vn-pnVce<0.7V可满足要求!不复杂.
14楼：>参与讨论作者：杨真人于205-1713:8:0发布：
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)是两个PN结都正偏“是两个P结都正偏”这叫“过饱和”。
15楼：>参与讨论作者：杨真人于205-1713:48:0发布：
饱和0≤IC/IB≤1这个区域叫“饱和区”。如果I/I接近且大于1，叫“临界饱和”，但由于范围很窄不好定义为一个区，因尚有微弱放大效果，归入“放大区”。
1＜IC/IB这个区域叫“放大区”。如果IC/IB接近且大于0，叫“临界截止”，但由于范围很窄不好定义为一个区，因尚有微弱放大效果，归入“放大区”。IC/IB≤0这个区域叫“截止区”。
……脑里建立一个图象了吗？16楼：>参与讨论
作者：炎黄子孙于205-1721:48:0发布：哪位勇敢者帮忙来总结一下上面得，我看花眼了。^_
17楼：>参与讨论作者：木耳鸟于205-1814:03:0发布：
三极管做开关时怎么可能工作在放大区?三极管做开关时怎么可能工作在放大区?三极管深度饱和的时候,管压降约等于零,不会太大.
18楼：>参与讨论
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)作者：renmigcan于205-1816:03:0发布：
理解不是很对啊！！19楼：>参与讨论
作者：wuhanhebin于205-1819:42:0发布：请问三极管不处于正偏,能工作吗?请问三极管不处于正偏,能工作吗?只要满足.p-npVce<0.4Vn-pnVce<0.7V可满足要求!不复杂.,不要误
人子弟了!20楼：>参与讨论
作者：winkle于205-182:4:0发布：是啊，哪位能出来总结下？虽然很基础，但感觉看书始终对这个理解不透！
21楼：>参与讨论作者：赤铸于205-182:35:0发布：
楼上的不要太激动前面有人提到的正偏指的是bc结或be结。可能并非你说的正偏。另外不知道你的“p-npVce<0.4Vn-pnVce<0.7V”哪里来的数据概念上，
放大区：Vbc<0饱和区：bc>0（bc结正偏）Vbc=0为临界饱和区实用意义上，Vbc>0时Vce往往仍嫌大。所以中小功率管常用Ic/Ib=10定义饱和，此时的Vce一般已接近深
饱和Vce，再增大Ib变化也很小了
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)（以上均指NP）
2楼：>参与讨论作者：yzqok于205-199:54:0发布：
二者只能选一.23楼：>参与讨论
作者：tangqin于205-1919:50:发布：书生气我用三极管只考虑：
1）耐压够不够2）负载电流够不够大3）速度够不够快（有时却是要慢速）4）B极控制电流够不够5）有时可能考虑功率问题
6）有时要考虑漏电流问题（能否“完全”截止）。7）一般都不怎么考虑增益（我的应用还没有对此参数要求很高）考虑到PN结这一步的不是大家就是书生。
24楼：>参与讨论作者：cf10于205-1921:8:0发布：
晕，我发了长长的一个帖却没有影子？不多说明了，说一下我的观点：从特性曲线上可以看出饱和区和放大区有个明显的分界，该分界线是Vbe=Vce。到该线就是临界饱和点。当Vce
论得到应用。而不是我认为这样，我认为那样，实际上怎样。理论上没有一种说法是IC/IB=10为计算饱和点的基础。而且在线测量中测电流没有测电压方便。如果IC/IB=30，那IC/IB=10也饱和太过了；如果IC/IB=12（电子镇流器用管都这样），那IC/IB=10又太不保险了。如果说我的电路IC/IB=10算饱和刚好，那也要让别人能接受才行。
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25楼：>参与讨论作者：杨真人于205-108:43:0发布：
有意思。引用一下。……如果IC/IB=30，那IC/IB=10也饱和太过了；如果IC/IB=12（电子镇流器用管都这样），那IC/IB=10又太不保险了。如果说我的电路IC/IB=10算饱和刚好，那也要让别人能接受才行。
26楼：>参与讨论作者：杨真人于205-108:51:0发布：
三极管应该工作在正偏置三极管应该工作在正偏置。但是当两个PN结都处于正偏，情况就比较特殊，不能就这个表面现象简单判断出一个原因。
27楼：>参与讨论作者：t1495716于205-1013:07:0发布：
學習中28楼：>参与讨论
作者：wushuangli于205-1017:0:0发布：这是表象不是本质
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)是结果不是原因
29楼：>参与讨论作者：wushuangli于205-1017:25:0发布：
我的理解诸位所列数据都是结果不是原因，是表象而不是本质饱和需要的条件是两个PN都要正偏不过我的理解也有错误饱和下作开关是合适的，这是由于三极管的两个PN其实不是完全一样的
be节正偏产生的电流更大，中间的区比较窄，cb节的电流比较小总的效果是Vce很小，最为开关的效率仍然很高30楼：
>参与讨论作者：李冬发于205-1018:7:0发布：
我来说说吧，从以上看来大多数人对3极管的工作原理是不了解的我来说说吧，从以上看来大多数人对3极管的工作原理是不了解的
首先要说的是，楼主认为的3极管工作在饱和状态时两个PN结都正偏是错的！这个错误很严重！3极管之所以具有放大功能，就是因为其特殊的材料组合结构。不管是PN管还是NP管，原理是一
样。为能方便说明清楚，这里用NP型硅管来说明。在书上学说3极管可以看成是2个背靠背的2极管。在坐的都发现了其中的严重问题，我们真的把2个2极管背靠背接起来时，并没有3极管的放大功能。也就是说，3极管与背靠背接起来的2个2极管不一样！
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)好了，现在来说说3极管的放大原理。这里只能很简要地说说，不可能真正说得清楚。NP型硅管，2
边是N型半导体硅，中间夹着一个很薄的P型半导体硅，3个区的参杂的浓度还不一样。这里形成了2个PN结，1个叫发射结，1个叫集电结。这样，在共发射极的电路中，当Ib为一正值时，原来2个PN结被破坏，集电结变得能反向导通！而且流经这个PN结的电流还与Ib这电流成一比值关系。当3极管饱和后，Vbe约
为0.7V,ce约为0.3V。要注意的是，此时，集射结还是反向导通，而不是正向导通。真实情况是，这个PN结已经不存在了，不是PN结了！
当Ib一直增大时，Ic也会一直增大。当然，Ic的增大有个限度，当Ib大到一定的时候，再增大Ib，Ic不会再增大了。也就是说饱和了，Ic与Ib不在是线性的了。
就说到这里。-本贴最后修改时间：205-1018:21:修改者：李冬发
31楼：>参与讨论作者：SQW于205-1020:6:0发布：
三极管放大区与饱和区首先要说的是，楼主认为的3极管工作在饱和状态时两个PN结都正偏是错的！有一个是反偏的.！三极管之所以具有放大功能，就是因为其特殊的材料组合结构。不管是PN管还是NP管，原理是一样。为能方便说明清楚，这里用NP型硅管来说明。在书上学说3极管可以看成是2个背靠背的2极管。在
坐的都发现了其中的严重问题，我们真的把2个二极管背靠背接起来时，并没有三极管的放大功能。也就是说，三极管与背靠背接起来的2个二极管不一样！好了，现在来说说3极管的放大原理。这里只能很简要地说说，不可能真正说得清楚。NP型硅管，2边是N型半导体硅，中间夹着一个很薄的P型半导体硅，三个区的参杂的浓度还不一样。这里形成了2个
P结，1个叫发射结，1个叫集电结。这样，在共发射极的电路中，当Ib为一正值时，原来2个PN结被破坏，集电结变得能反向导通！而且流经这个PN结的电流还与Ib这电流成一比值关系。当3极管饱和后，Vbe
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)约为0.6-0.7V,ce约为0.2-0.3V。要注意的是，此时，集射结还是反向导通，而不是正向导通。真实情况是，这个PN结已经不存在了，不是PN结了！
当Ib一直增大时，Ic也会一直增大。当然，Ic的增大有个限度，当Ib大到一定的时候，再增大Ib，Ic不会再增大了。也就是说饱和了，Ic与Ib不在是线性的了。32楼：
>参与讨论作者：cf10于205-1020:37:0发布：
看样子什么样的人都有！我想大多数人还是有这方面的理论基础的。在电子线路论述三极管输出特性曲线的时候，讲到三极管在饱和区的现象就是二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。今天还是第一次听说饱和时二个PN结正偏为错误，深感震惊。听说饱和时集电结仍是反偏以及这个PN结不存在了，觉得周星星也没那无厘头的事敢做！书上是说三极管BE间和BC间表现为PN结特性，在测量上可等效为二个PN结反串。以前无件紧张时，
也有三极管代二极管用的。但二个二极管接成一个三极管来用，书上从没推荐使用。而且很多书上也有习题，题目大意是这样的：三极管由二个PN结构成，能否用二个二极管接成一个三极管？答案是：否！原因：从三极管制造工艺上和电流放大原理看，基区很薄，利于基区少数载流子通过基区而不被中和，而
用二极管接成的，基区范围很大，基区的少数载流子在基区有足够的时间和空间被中和。而李冬发所说：在共发射极的电路中，当Ib为一正值时，原来2个PN结被破坏，集电结变得能反向导通！这是现象，不是本质。集电极反向并不能导通，而是由于BE结正偏导通，大量载流子被发射到基区，成为基区的少数载流子；（此为PN结的载流子的扩散运动）而C结由于反偏，而基区又有大量的少数载流子，
在电场力的作用下，基区的少数载流子就越过BC结而进入集电区。（此为载流子的漂移运动）电子线路的书上论述得还要详细，如果说书上不对，那还有什么意思在说下去。以下转帖李冬发的帖子：我来说说吧，从以上看来大多数人对3极管的工作原理是不了解的
首先要说的是，楼主认为的3极管工作在饱和状态时两个PN结都正偏是错的！这个错误很严重！3极管之所以具有放大功能，就是因为其特殊的材料组合结构。不管是PN管还是NP管，原理是一样。为能方便说明清楚，这里用NP型硅管来说明。在书上学说3极管可以看成是2个背靠背的2极管。在坐的都发现了其中的严重问题，我们真的把2个2极管背靠背接起来时，并没有3极管的放大功能。也就是说，
3极管与背靠背接起来的2个2极管不一样！好了，现在来说说3极管的放大原理。这里只能很简要地说说，不可能真正说得清楚。NP型硅管，2边是N型半导体硅，中间夹着一个很薄的P型半导体硅，3个区的参杂的浓度还不一样。这里形成了2个PN
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)结，1个叫发射结，1个叫集电结。这样，在共发射极的电路中，当Ib为一正值时，原来2个PN结被破坏，集电结变得能反向导通！而且流经这个PN结的电流还与Ib这电流成一比值关系。当3极管饱和后，Vbe约
为0.7V,ce约为0.3V。要注意的是，此时，集射结还是反向导通，而不是正向导通。真实情况是，这个PN结已经不存在了，不是PN结了！当Ib一直增大时，Ic也会一直增大。当然，Ic的增大有个限度，当Ib大到一定的时候，再增大Ib，Ic不会再增大了。也就是说饱和了，Ic与Ib不在是线性的了。
就说到这里。3楼：
>参与讨论作者：杨真人于205-1021:42:0发布：
我们不能怀疑课本的说法？那么加利略该死了。“在电子线路论述三极管输出特性曲线的时候，讲到三极管在饱和区的现象就是二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。”
上面双引号里的话，我认为非黑体字的部分可以忽略。我的观点：IB=IC是正饱和点。三极管能正常工作，其BC结必须反偏。IB>IC，IC中部分电流是正向通过BC结才叫“BC结正偏”（我把这个情况叫“过饱和”其实也欠妥，应叫“不确定状态”，无法从这个现象简单认定属于截止、放大、饱
和这三者中之一，也就是“半导体三极管的第四状态”。）说就说不了那么多。还请各位自己画原理图和特性曲线吧。
34楼：>参与讨论作者：computer0于205-1021:46:0发布：
还是电子管比较容易理解，嘿嘿。35楼：>参与讨论
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)作者：cf10于205-1023:04:0发布：
林子是大了杨真人从输出特性曲线中看出了第四态。绝对世界第一。众人肉眼，那及真人法眼！
36楼：>参与讨论作者：杨真人于205-1023:09:0发布：
...37楼：>参与讨论
作者：cf10于205-1023:2:0发布：有趣有趣。不过我还是建议大家多看点基础书，但不要什么都带批判的眼光去看问题，如果怀疑书本上的一切，就失
去了讨论的基础了。38楼：>参与讨论
作者：cf10于205-1023:1:0发布：如果我这样对我的学生上课，非给轰下讲台不可！我胆小，但我不敢标新立异宣传三个基本状态之外的第四态，我也不敢宣扬在基本工作环境下，PN结会消
失。（除非反向雪崩击穿）而且我在应用中也只要能使IC不随IB增加就进入饱和态，而且也知道这时的VCE接近于0，相当于开关接通。而这时的VBE>=VE,或VC>=0.(理论上称之为零偏或正偏)
39楼：>参与讨论作者：cf10于205-1023:4:0发布：
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)不早了，明天有空再继续论战。
不过最好有依据，不然光靠自己空想想，没有理论支持，这样也没什么意思。大家都是读过书的，可不能不讲理呀。40楼：
>参与讨论作者：杨真人于205-1023:54:0发布：
CF10教授生气了。大概想骂将出口。但是又忍住了。教授的修养就是不同一般啊。我没文化，不会说高深理论。有什么得罪，请原谅。有哪里错了，请指教。
方便告诉我，您是在哪几个大学任教的呢？交不起学费的学生收不收啊？41楼：>参与讨论
作者：赤铸于205-10:2:0发布：饱和时两个都正偏是没错的正偏只是指电压，不一定要有电流从b->c
这个问题本来很简单：Vbc>0（或Vbe>Vce）为饱和bc=0（或ce=be）为临界饱和点（指NP）
我前面引用的“中小功率管常用Ic/Ib=10”之类实际上是另一个问题：饱和程度。把问题搅乱了，抱歉。cf10说的“如果IC/IB=30，那IC/IB=10也饱和太过了；如果IC/IB=12，那IC/IB=10又太不保险了。如果说我的电路IC/IB=10算饱和刚好，那也要让别人能接受才行。”也正是这个问题。另外讨论吧，呵呵。
42楼：>参与讨论
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)作者：杨真人于205-10:3:0发布：
吐温先生，久仰了。对您的观点“谈论饱和不能不提负载电阻”表示认同。记得以前你也有过让我佩服的文章。还是点到即止。高手莫过于此。
43楼：>参与讨论作者：杨真人于205-10:58:0发布：
还是各执一辞。相信分歧在于BC结正偏上。
书本（可能是教科书）作者认为VBE>VCE就是BC结正偏。他用电压表正表笔接NP管的B极，用负表笔接C极，大家都看见表针摆动。看！这就是BC结正偏！！观众读者对此权威测试坚信不疑。
我认为BC结的正偏特征是电流从B极通过BC的PN结流到C极，而这个电流必须是大于0才算。众多高手批判一节接一节。似乎三极管饱和时，应该是有一部分电流经过BE结直接出去，另外一部分则是从B极经过BC结到C极，然后又从C极越过BC结和BE结直接跳到E极去。
VBE>VCE只是饱和状态下的一种外在现象。（不好意思，这“不是本质”。）以此断定BC结正偏是否科学？一个是极，一个是结。晶体管不是因为有极才有神奇，而是因为有结。
李东发的说法有点过头。相信是他极力去表达自己的观点的时候用错了字眼，而不是刻意去歪曲科学。
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)为证明一切，接个电流表串到C极看看就得了。如果饱和时BC结有正向电流，应该能够体现在物理量上。
本打算说说OC输出的。怕被人说搞伪科学啊，不说了。也不再就这个论题继续争论下去。暂当潜水员吧。拍我砖？拍就拍吧。我被人拍到惯晒了。
学术争论是好事。科学之路从来不平坦。-本贴最后修改时间：205-137:32:41修改者：杨真人
4楼：>参与讨论作者：王奉瑾于205-16:28:0发布：
向教师致敬俺就没这份耐心哈~~
45楼：>参与讨论作者：王奉瑾于205-16:29:0发布：
真人不能怀疑课本只能怀疑修炼的秘诀哈哈~~
46楼：>参与讨论
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)作者：王奉瑾于205-16:31:0发布：
最通俗有效的解答:)47楼：>参与讨论
作者：杨真人于205-17:5:0发布：向老王致敬！太阳还没升起来的时候，老王已经上来看21IC了。哈哈！向老王致敬！
48楼：>参与讨论作者：杨真人于205-18:24:0发布：
不讨论问题。纯灌水。怀疑课本我是被教育的。况且怀疑不等于推翻啊。所有本本都说是经典中的经典。有时候真不知道哪本才是真经。在这里，我只是把自己的观点展示给他人。如何理解，认同与否，都没关系。
“实践是检验真理的唯一标准。”——伟人说的（谁说的？我忘了。不好意思。我牢记这句话不是因为伟人说的，而是这句话对我有用。这话记了，伟人名字忘了。原谅我吧。:）
-本贴最后修改时间：205-123:50:15修改者：杨真人49楼：
>参与讨论
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)作者：王奉瑾于205-18:3:0发布：
嘿嘿,俺只是路过这里...在黎明前....50楼：
>参与讨论作者：cf10于205-19:1:0发布：
呵呵，大家都早呀。杨真人认为BC结之所以不正偏，是因为没有电流从B流向C，就算是从电压上测量B高于C。（NP）而且前面各位的论述中也没有提及正偏则BC结就会有一电流从B流向C。就如三极管在放大状态时，BC结反偏，但结却在这时相当于导通，这是载流子的漂移运动。三极管是一个整体，不能简单地分裂成二个PN结来分析。
二极管特性中讲到单向导电性：即合适的正向电压（正向偏置，简称正偏）导通；反向电压（反向偏置）截止。由此可见正偏反偏仅为表象，为外界的条件。前面也并没人用二极管特性去解释三极管特性。再来看一下楼主的提问：三极管什么时候工作在饱和区？答案当然可以是二个结正偏时，也就是二个结在测量中体现正向电压！如果再深究下去，那一大片人不是由此而搞混思路？
有时间我可以讲一下三极管的物理模型，不过对应用来讲实在是没必要。51楼：
>参与讨论作者：zxuchu于205-110:21:0发布：
最最关键的一点就是楼上各位，说的那么复杂有何用？最最关键的一点就是：满足Vce≤0.5V，就绝对进入饱和状态，Vce≤0.1V时，就是处在深度饱和状态。
52楼：>参与讨论作者：zxuchu于205-110:37:0发布：
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)最最关键的一点就是..（补充一点）除了满足Vce≤0.5V，就绝对进入饱和状态，Vce≤0.1V时，就是处在深度饱和状态。还应同时满足Ic≠βIb。
53楼：>参与讨论作者：赤铸于205-118:05:0发布：
不能以具体Vce值为判据不同型号晶体管具体参数可能不同不同温度下肯定不同
54楼：>参与讨论作者：杨真人于205-119:0:发布：
UP。。5楼：
>参与讨论作者：杨真人于205-119:3:0发布：
倒数第二行的回答够简洁。继续留意。56楼：
>参与讨论作者：cf10于205-119:4:0发布：
规定电压值当然不行锗管在VCE>0.3V时还算是放大区的。而用二个结在电压上表现出正偏的表象来判定进入饱和。是简便而实用的方法。
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)不用分三极管是NP、PN、锗、硅。当然此电压我们是用VBE和VBC来表示的。从表象上看是加在二个结之间。
57楼：>参与讨论作者：luharen于205-120:16:0发布：
RE反问一句：三极管在放大区时，集电极电流为什么是基极电流的B倍？
58楼：>参与讨论作者：cf10于205-120:45:0发布：
可参考一下三极管的电流放大原理与基区的结构和集电结的面积等有关。59楼：
>参与讨论作者：lbs18于205-129:43:0发布：
应该不是那样的！采用合适的偏置电阻时Vce的电压仅为0.2V，而Vbe开启电压为0.7V左右（实际值可能会有所偏差），此时两个PN结都处于正偏，三极管处于饱和工作状态。
60楼：>参与讨论作者：杨真人于205-1210:53:0发布：
?61楼：>参与讨论
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)作者：xhlg915于205-1212:5:0发布：
answerVc
>参与讨论作者：杨真人于205-138:37:0发布：
嗯，所谓放大区，其实是“线性放大区”。以下是本人的理解：
通常说的“放大区”，其实是指“线性放大区”。三极管的正常工作区是从ICIB=0到IC/IB=1。
ICIB=0为截止点。IC/IB=1为饱和点。严格来说，ICIB>0到IC/IB>1整个区域都具有放大能力。
从三极管伏安特性图象中，我们看到的曲线，中间比较直的一段就是“线性放大区”。靠近截止点（不包括截止点）到开始进入“线性放大区”之前的一段，叫“临界截止区”。虽然也具有一定放大
能力，但是有明显失真，一般模拟电路不使用这段。数字电路和开关电路则使用这段，并力求使用接近截止点的一部分。
“线性放大区”到靠近饱和点（不包括饱和点）的一段，叫“临界饱和区”。虽然也具有一定放大能力，但是有
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)明显失真，一般模拟电路不使用这段。但数字电路和开关电路就经常使用这段。
“线性放大区”，常用于大多数模拟电路，是应用最广的一段。在音频电路等对失真要求严格的电路，则避免与“临界截止区”以及“临界饱和区”沾边。
以上纯属个人观点！！如果是不需要考试的朋友，就自己看着办吧。如果是学生，请按课本和老师给你的标准答案填试卷。否则后果自负！！
图象1是某型号二极管的伏-安特性图。
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)
图象2是某型号三极管的伏-安特性图。图中没有给出靠近0点的部分的放大图象。而这被忽略的部分，跟二极管靠近0的部分相似。
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)
声明：这些图象决不是本人空想出来的。有条件者可以自己实测。
图象3是某型号硅二极管的伏-安特性,1uA-10uA段放大图。
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)
可以看出，这个硅二极管并没有因为正向电压低于0.3V就截止。呵呵，给那些一味说电压的老大泼一勺冷水。
-本贴最后修改时间：205-148:09:52修改者：杨真人63楼：
>参与讨论作者：xj803于205-1310:53:0发布：
Ibβ>Ic时为饱和Ibβ>Ic时为饱和,Vbe<0.5V(硅管)/0.2V(锗管)截止,要使三极管饱和,必须
β(Vb-be)/Rb>Vc/Rc(假设三极管饱和Vce=0)
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)
64楼：>参与讨论作者：zhenglixin于205-131:21:0发布：
一般用在开关电路中65楼：>参与讨论
作者：ljq20于205-1313:8:0发布：这个问题我也很想知道啊！
6楼：>参与讨论作者：zbhui123于205-1314:58:0发布：
什么什么啊，根本就不是那么回事
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)67楼：>参与讨论
作者：zbhui123于205-1317:5:0发布：“部分则是从B极经过BC结到C极”差不多吧
这时候从b到c的电流就叫做扩散，而从c到b叫漂移只是这个扩散电流非常微弱，相对这个漂移可以忽略而已68楼：
>参与讨论作者：zbhui123于205-1317:6:0发布：
不好意思，我说反了。希望没有误人子弟69楼：>参与讨论
作者：zbhui123于205-1317:20:发布：那你去翻书哈，其实很复杂的
70楼：>参与讨论作者：赤铸于205-1318:0:0发布：
ICIB=0？71楼：>参与讨论
作者：杨真人于205-1321:04:0发布：作为典型，不能忽略Re.您的图显然不存在Re。哈哈，浪头一个接一个。
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)72楼：>参与讨论作者：big_ben于205-132:9:0发布：
关键的一点ΔIc/Ib≈0就是说Ic已经大到极限，Ib的变化已经不能再引起Ic变化。
73楼：>参与讨论作者：杨真人于205-140:19:0发布：
嗯。这是一个很重要的条件。ICIB=0,表示当IC、IB中任一为零即可宣告三极管截止。I=0时IC=0.而IC=0时，IB不一定是0。
74楼：>参与讨论作者：杨真人于205-147:35:0发布：
我发现祖国的未来还是有希望的!握手！75楼：
>参与讨论作者：杨真人于205-148:14:0发布：
CF10教授，……？还没回答我的问题。……大概是因为我没钱，不屑一顾了。.76楼：
>参与讨论
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)作者：zbhui123于205-148:43:0发布：
》杨真人杨真人写于205-1321:54:23希望你不是在校学生。关于界定三极管饱和的问题。攻关项目：
1.OC输出2.E极外部短路3.BC极外部短路求证：“两个结都是正偏就是饱和”的正确性。
什么意思，你是问我吗？以np，be正偏为前提来研究一下我想bc正偏时，电场方向由b指向c，则b区大量的电子不能漂移至c区，只能一扩散的方式被c区收集（扩散电流不能把全部电子过渡到c区），而此时的漂移电流则是反向的。在这种情况下c电位的提高能直
接影响漂移电流的大小，它会不会成正比呢？（如同电阻的形式？），换一个意思说，饱和区c极电流和c极电位成正比关系，而与b极电流不再存在比例关系。c极电位足够高时，bc反偏，电力线由c指向b，绝大多数的b区电子漂移至c区（这才是饱和嘛~），c极电位的增加不能影响到从e到b的电子数即不能影响从b到c的电子数（当然了，已经绝大多数的b区电子漂移至c区），这时c区电流的大小完全取决与be正偏产生的b区电子数，就是说Ic正函数Vb，可能算
出来正好正比与Ib吧。那c极电位在增高，就击穿了...7楼：
>参与讨论作者：zbhui123于205-148:4:0发布：
“Ib的变化已经不能再引起Ic变化。”X饱和区的Ib当然会影响Ic的变化，Ib增加则b区电子增加，则扩散电流加强，所以c极电流增加，这个从晶体管曲线上已经看得到了
78楼：>参与讨论作者：杨真人于205-149:08:0发布：
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)
从你发言看起来三极管饱和了还能继续起放大作用不是吧？饱和区的Ib当然会影响Ic的变化，Ib增加则b区电子增加，则扩散电流加强，所以c极电流增加……
达到饱和点时，三极管的IB再大也不会让IC持续增大。唯一可以随IB增大的是IE。这下子你真是空想主义了。扁你一下。
79楼：>参与讨论作者：zbhui123于205-149:1:0发布：
倒了，你没看到饱和时Ic随Ib增大吗？你才是空想主义啊，好好地读一下你的图2以vce0.1v做垂直辅助线（要先承认这条线0.1v线是处于饱和区，否则就没话说了），是不是发现，在饱和区中vce不变的情况下，Ic随Ib的增加而增加。可别说看不见啊。不要说增加的幅度很小就不算增加，那样的话也没话说了
这就是扩散电流的作用80楼：>参与讨论
作者：zbhui123于205-149:25:0发布：补刚才说的辅助线是方便观察所设的，实际上此辅助线应该是稍稍让右偏的，即以vbc不变的前提来讨论
不过结果都是一样，扩散电流会增加而已81楼：>参与讨论
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)作者：tianyong于205-1413:9:0发布：
楼主所说,应该是在放大区据楼主所说,C极接在Vc上,这样用管子,一般是为了提升驱动能力.而看后面讨论的那些看法,我觉得他们都是建立在三极管搭建非门的基础上.
82楼：>参与讨论作者：yzilong于205-1414:08:0发布：
不提负载饱和、截止跟负载好像没有任何关系吧83楼：
>参与讨论作者：lzf208于205-1414:5:0发布：
应该是做为开关电路的情况下吧！84楼：>参与讨论
作者：cf10于205-1415:2:0发布：晕！还没搞清？理论上那么简明扼要的事，被某些人搞得那么复杂！还美其名曰：灌灌水！
又不是什么高深的理论。在讨论三极管时拿来了二极管的特性曲线，还号称发现二极管在低于门坎电压下还有电流！（看图的时候最好看清是什么图？还看不清的话你再看一下X轴的比例！）以此推出，二极管在加正向低电压时也不是截止的。那二极管反向也是有一个电流的，那是不是也不会截止？而帖出来的几个输出图也都是大功率三极管的图，芝麻也被放大成西瓜了，但那几个图要来说明一个什么
问题呢？是不是由此可断定三极管饱和时，BC和BE间没有正向电压？关键问题只有一个，不要再东绕西绕。问题是：三极管饱和时，二个结是否正偏！
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)85楼：>参与讨论
作者：nj_majie于205-1418:4:0发布：我来说几句.我觉得你最好还是不要看书.看书太累,而且看后你的理解也不一定对.我对模拟电路也是很头疼的,所以我就
在网上发现有模拟电路的课件卖.就花了八十元买了课件.看了几遍后觉得值.课件就是大学的老师在课堂里上的课录成视频.我想你要是看了后肯定会有非常大的进步.我本人就从电大下了好几门课件.其中有单片机原理,数字电路,计算机接口原理,自动控制技术等.如果你想要的话可以和我联系.e_mail:025_majie@163.com
86楼：>参与讨论作者：xingxiuge于205-1419:0:发布：
求助我是刚刚毕业的大学生，在校期间学的是自动化专业。04年7月毕业后，马上参加工作，现在从事我的专业工作，刚刚开始工作，感觉找不到头绪，虽然在校期间我的成绩每次都名列前矛，自己感觉成绩也不错，但是一参加工作，实际一实践才发现原来自己懂得少之又少。比如，5定时器在学校的设计时，经常用到，但是现在，连管脚都弄不清楚，更不用说应用实列了，更不用提设计了，我现在在车间实习，师傅们大
多数也不清楚原理，我想找一些书看，但又不知道看哪些书合适，我想订《电子技术》这本杂志，但是里面的内容有看不懂。敬请专家指点，我该从何学起？87楼：
>参与讨论作者：杨真人于205-1423:2:0发布：
问题是：三极管饱和时，二个结是否正偏！开始咆哮了？我不是要针对任何人，只是想把问题搞清楚。三极管饱和时，B极对C极有极间电压正偏置，这个说法我审慎接受。
但因B极对C极有极间电压正偏置就断定BC结正偏，似乎有偷换概念的嫌疑。三极管是电流驱动的器件，它的工作状态离不开电流参数。HFE参数就是从电流参数的比较中得到的。>而帖出来的几个输出图也都是大功率三极管的图哦，真是大功率吗？图象1：1N401-407
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)图象2：2SC945图象3：914/A/B/916/A/B/418/48
还没回答我的问题。新增问题：您导师的名字、课本的书名和作者名。8楼：
>参与讨论作者：axo.b于205-158:4:0发布：
三极管有饱和区，放大区和截止区三极管作为开关用：应工作于饱和区和截止区作为放大用：应工作于防大区
89楼：>参与讨论作者：cf10于205-1520:4:0发布：
呵呵，我有什么可气急的？争论难免，但最好不要想引起争吵。现在好象成了正偏概念解释了。好吧，我来解释一下：
正偏，正向偏置的简称。P区接电源正极，N区接电源的负极（称为正向偏置）。杨真人之话可是自相矛盾的很呀。正偏本身就是一种外加的因素，何来正偏不是正偏一说？
90楼：>参与讨论作者：cf10于205-1520:51:0发布：
杨真人之矛盾说杨真人说：但因B极对C极有极间电压正偏置就断定BC结正偏，似乎有偷换概念的嫌疑。此正偏即彼正偏，不知杨真人的正偏概念上升到哪个层次。最低级别的电子技术书籍都有正偏之详尽描述，杨真人是真不懂还是走火入魔？
恩师之名，无披露的必要。怕辱了他老人家的名声。
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)91楼：
>参与讨论作者：杨真人于205-1521:4:0发布：
理直气壮还怕有辱师名？你老师怎会有这样的……“此正偏即彼正偏”——你以为这是二极管啊？
你(们)看过的书也许我也看过。虽然我提倡多看书，但我不迷信书。象三极管饱和这样基础的知识，我也很用心去探索求证。也许这样会效率巨低，比不上教授说一句“两结正偏”，但是我深信自己的观察。我在这里提出的是自己的见解。不强求别人接受我的观点，相反，我是很希望别人能说服我。
zbhui123回避了我的问题。不过他的回帖是用了一番心思。我从心底里感谢他。可惜他的解说仍然不足以说服我改变观点。
zbhui123的教道92楼：
>参与讨论作者：zbhui123于205-168:12:0发布：
请教cf10老师另外一个问题偶对晶体管的理解也就这么多了有个问题一直困惑我，Bvceo为什么小于Bvcbo老是理解不好。能否请cf10老师（看样子你是从事教育行业的吧）给简要地解释一下这个现象的原因呢，能用越通俗易懂
的方式就越好，因为我怕看不懂
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)93楼：
>参与讨论作者：cf10于205-161:8:0发布：
BVcbo是BE短路是的反压.BVceo是B极置空是的反压.这样的话,Vcbo就是集电极的反向击穿电压,特性相当于二极管的反向击穿特性,击穿电压高.(击穿前的反向电流为Icbo)而BVceo由于B极置空,击穿前的饱和电流为Iceo,而Iceo比Icbo大hfe倍,这样参与击穿任务的载流子数量就多得多.
反向电流虽然称为饱和电流,但由于反向电压增加后,一些不活跃的载流子得到能量后,还是会参与导电,所以反向电流还是有个小幅增加.当然还存在一些别的因素但主要因素是以上二点.击穿发生时,由于三极管的电流放大作用,击穿过程还伴随发生正反馈,这样在BVceo状态击穿时还会呈现出负阻特性.
根据这个原理,你就可以知道为什么高反压三极管的HFE都在二十多,十多甚至小于十.而对反压没有要求的普通管都会在10,2094楼：
>参与讨论作者：cf10于205-161:32:0发布：
我讲的是PN结,二极管三极管的基本结构中不能省略的基础大家讲的观点和见解是必须有依据的.我不期望说服任何人,不过我只希望说出在理论上有共识的事实.
95楼：>参与讨论作者：zbhui123于205-1613:40:发布：
击穿发生时,由于三极管的电流放大作用,击穿过程还伴随发生正反馈,这样在BVceo状态击穿时还会呈现出负阻特性.怎么好象是可控硅
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)96楼：>参与讨论作者：cf10于205-1614:57:0发布：
可控硅硬击穿时，只是可控硅相当于二个不同的三极管，反馈更强烈不信你可以看一下BVceo的曲线，可能引起雪崩击穿的电流为饱和电流，导致三极管基极电势Vb升高，出现所谓的“快回(Snap-back)”现象，即在Vb升高到一定程度时，三极管导通，由于有一定的集电极电流，集电极电压快速返回一定的电压值，从而发生雪崩击穿。如果功率不受限制，那下一步温度过高产生的二次击穿将是破坏性的。
97楼：>参与讨论作者：2768752于205-1616:4:0发布：
对顶.说的对98楼：
>参与讨论作者：stifen于205-1619:4:0发布：
理解对吗不全！9楼：
>参与讨论作者：tuwen于205-1620:18:0发布：
从晶体管特性曲线看饱和问题我前面说过：谈论饱和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释。
借用杨真人提供的那幅某晶体管的输出特性曲线。由于原来的Vce仅画到2.0V为止，为了说明方便，我向
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)右延伸到了4.0V。
如果电源电压为V，负载电阻为R，那么Vce与Ic受以下关系式的约束：Ic=(V-ce)/R
在晶体管的输出特性曲线图上，上述关系式是一条斜线，斜率是-1/R，X轴上的截距是电源电压V，Y轴上的截距是V/R（也就是前面NE532第2帖说的“Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限”）。这条斜线称为“静态负载线”（以下简称负载线）。
各个基极电流Ib值的曲线与负载线的交点就是该晶体管在不同基极电流下的工作点。见下图：
图中假定电源电压为4V，绿色的斜线是负载电阻为80欧姆的负载线，V/R=50MA，图中标出了Ib分别等于0.1、0.2、0.3、0.4、0.6、1.0mA的工作点A、B、C、D、E、F。据此在右侧作出了Ic与Ib的关系曲线。根据这个曲线，就比较清楚地看出“饱
和”的含义了。曲线的绿色段是线
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)性放大区，Ic随Ib的增大几乎成线性地快速上升，可以看出β值约为20。兰色段开始变弯曲，斜率逐渐变
小。红色段就几乎变成水平了，这就是“饱和”。实际上，饱和是一个渐变的过程，兰色段也可以认为是初始进入饱和的区段。在实际工作中，常用Ibβ=V/R作为判断临界饱和的条
件。在图中就是假想绿色段继续向上延伸，与Ic=50MA的水平线相交，交点对应的Ib值就是临界饱和的Ib值。图中可见该值约为0.25mA。
由图可见，根据Ibβ=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。
图中还画出了负载电阻为20欧姆时的负载线。可以看出，对应于Ib=0.1mA，负载电阻为80欧姆时，晶体管是处于线性放大区，而负载电阻20欧姆时，已经接近进入饱和区了。负载电阻由大到小变化，负载线以Vce=4.0为圆心呈扇状向上展开。
负载电阻越小，进入饱和状态所需要的Ib值就越大，饱和状态下的C-E压降也越大。在负载电阻特别小的电路，例如高频谐振放大器，集电极负载是电感线圈，直流电阻接近0，负
载线几乎成90度向上伸展（如图中的红色负载线）。这样的电路中，晶体管直到烧毁了也进入不了饱和状态。
以上所说的“负载线”，都是指直流静态负载线；“饱和”都是指直流静态饱和。to杨真人：谢谢你的夸奖。不过我的名字同那位外国作家没有关系，还是别那样叫。对于你说的以IC/IB=1
为饱和点，我深感惊讶。不知道你是
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)从哪里得出这个结论的？还是以上面的图为例，Ib=1mA就已经充分饱和了。按照你的观点，难道要到
Ib=50MA才算饱和吗？我认为，大多数电子技术人员，都是晶体管的使用者，只要了解它的外部特性就行了。除非是研制、生产
晶体管的科技人员，对于内部的工作原理，没有必要去深究。个人看法，不一定对。
-本贴最后修改时间：205-1620:34:21修改者：tuwen10楼：
>参与讨论作者：cf10于205-1621:7:0发布：
再论基础知识杨真人说：可以看出，这个硅二极管并没有因为正向电压低于0.3V就截止。呵呵，给那些一味说电压的老大泼一勺冷水。
从以上论述中，可以知道杨真人是知道当硅二极管正向电压大于0.5V是才开始导通。否则不会有此一说。如果有电流就认为是不截止，那二极管也有反向电流的，只不过值如正向电压小于0.3V那么小。由此杨真人是否也由此可以看出，反向也不因为有反向电压而截止。凭杨真人的推理，单向导电性是否从此做古？而杨真人也算是给那些一味说电压的老大泼了一桶冷水。
论理也要讲理论，理论是无数人实践的结晶。如果以反理论的自有理论来进行论理，好象也不大合宜吧。10楼：>参与讨论
作者：杨真人于205-162:16:0发布：
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)强烈支持！
tuwen这个名字深入我心。tuwen是我的偶像！您的图好得不得了！收藏了！呵呵，如果三极管永远不烧那就有东西看了。
其实老早你回的帖我就顶了。但是很多人就是不看R。b,Re,c都不能忽略。102楼：>参与讨论
作者：杨真人于205-162:0:发布：阅
103楼：>参与讨论作者：computer0于205-1623:01:0发布：
为什么一定要提负载电阻？只说电流关系，不行么？只要Ibβ>Ic,三极管不就饱和了么？我管你负载电阻和电源电压是多少。不信可以拿表来测。
104楼：>参与讨论作者：杨真人于205-170:3:0发布：
哈哈，几乎可以当我的接班人了。不过电阻是不可忽略的。这个Ic是在有电阻的情况下才好计算的。否则就无意义了。试想看，没有R，Ic将会怎样？忽略CE压降和温度等现实因素，Ibβ=Ic的关系将维持不变，即使Ib无穷大。因此，忽略电阻而单独讨论电流或电压都是不足够的。这也是我在此大搞风浪的原因之一。不打算继续搞了。累了。he
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)105楼：
>参与讨论作者：zbhui123于205-178:41:0发布：
应用上有电阻才不可忽略要是讨论饱和机制的话，不需要考虑负载电阻，所谓的Ic好计算可以作为确定Ib时Ic与Vce的正函数看待就可以了“忽略电阻而单独讨论电流或电压都是不足够的”
在应用上是这样的，如果要深入理解，就要屏弃这种外在现象的影响而直接考虑伏安特性106楼：>参与讨论
作者：zbhui123于205-178:52:0发布：你学计算机的，怎么对晶体管内部了解这么多
107楼：>参与讨论作者：zbhui123于205-1712:3:0发布：
服了你了，问点题外话你今年多大岁数了，干什么工作的108楼：
>参与讨论作者：computer0于205-1712:36:0发布：
归根结底，还是在计算电流嘛所以我就觉得，有电流关系Ibβ>Ic就够了。我明白tuwen先生的意思，考虑负载电阻和电源电压是计算集电极电流的。
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)109楼：>参与讨论
作者：computer0于205-1712:38:0发布：怎么，老杨同志，你想逃？没那么容易
我追……10楼：>参与讨论
作者：hotpwer于205-1713:5:0发布：单向导电性是否从此做古？-这是一个坏消息.我是模拟菜鸟.再听大家讲课.
1楼：>参与讨论作者：big_ben于205-1714:5:0发布：
支持tuwentuwen的《从晶体管特性曲线看饱和问题》分析很全面，很正确。强烈支持。建议加精！12楼：
>参与讨论作者：杨真人于205-1721:45:0发布：
he,追不到了。13楼：>参与讨论
作者：tuwen于205-187:15:0发布：
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)我所说的仅限于“直流静态饱和”我上面所说的分析方法仅限于“直流静态饱和”。
实际电路中，还存在“暂态饱和”的情况。典型的例子是开关电源。开关电源的负载不是一个纯电阻，而是含有电感。晶体管开关导通之后，电流随时间持续上升。只要在集电极电流Ic升高到Ibβ之前关断，就可以保证晶体管处于饱和状态。从这个角度来看，computer0主张只谈Ic与Ib的关系，也是有道理的。
14楼：>参与讨论作者：zbhui123于205-181:0:发布：
诸位的高论偶已收录了杨真人、cf10、tuwen的图及内容偶已存入PC，版权无视闻道有先后，术业有专攻。大家在这里讨论讨论可以取长补短，没意思吵架。楼主引出的这个话题使偶学到不少东西，学海漫漫，偶真是沧海一鼠啊。
对于应用来说，能理解tuwen的表达应该就足够了。感慨于杨真人的求识和cf10的博深，偶不寒而栗，什么时候偶才能成材呢15楼：
>参与讨论作者：缘天剑于205-1817:5:0发布：
学习！学习！16楼：
>参与讨论作者：杨真人于205-191:3:0发布：
提醒你我的帖中含有部分歪理，请审慎。我的用意是要大家开动脑筋，多方面地观察分析同一个问题，去伪存真。我给你的几个问题不是“无意义”的。例如BC极外部短路、OC输出这两个问题，是在实际中被使用的。而
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)这两个应用中，套用“两结正偏”理论根本就解释不了。提示：
1.OC输出实际是Rc=∞。Rc越大越容易进入饱和区，无数数据可以证实这一点。2.B极外部短路即BC极无电位差。电路如图，“让数据说话”吧：
cf10的理论我知道，我也明白他的意思。不过对他部分观点保留意见。因为我不是程序员，钱先生的计算机水平我不敢怀疑。但是这不代表他在半导体方面也有计算机这么卓越。computer0的观点跟我的观点并不矛盾。tuwen的解说很实在。我对你说“没必要”，就是请您仔细分析tuwen
的图和回帖。17楼：>参与讨论
作者：cf10于205-1916:24:0发布：
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)
首先声明：我的说法仅表达公认的理论，无个人独创的理论。我也期望杨真人能进行有益的探索，但所得的结论是要经得起推理。杨真人对饱和时两结正偏有怀疑，不断提出一些特例来进行证明二结正偏的错误。
现在主要集中在二点：1、OC门2、BC短路。看样子杨真人也是花了不少时间的，我的回帖可能又要让你失望了。1、OC门问题。杨真人说：OC输出实际是Rc=∞。Rc越大越容易进入饱和区，无数数据可以证实这一点。
你可以用10K、1M、10M..做RC电阻，然后测量VCE，结果是VCE（10K）>VCE(1M)>VCE(10M)...。电阻越大，饱和度越深，没证据证明二结不是正偏。2、至于第二点中的图，那是个共集电极电路在RB=0的特例。理论上认为，共集电极电路是不会进入饱和
的，如果你了解反馈原理的话，你是不会拿这个电路来说理的。你的实验图也证明确了IC=HFEIB，而且共集电极电路也只能无限接近饱和的临界点，而不可能进入饱和。而且你的这个图在理论上可以进行讨论，实际应用时把三极管的二个极短路了来用，我想大家会笑话你的，还不如用个1N418，集成电路内部可以
看到这类图，组成如电流源电路，但分立电路中不大用。杨真人前面说我不透路导师的姓名是不够理直气壮，我说了。结果又说不代表他在半导体方面也有计算机这么卓越。
这样看上去就好象是说了也不是，不说也不是。其实我一开始的时候就说我的导师的姓名与讨论这个问题一点必然关系也没有的。
-本贴最后修改时间：205-1916:39:21修改者：cf1018楼：
>参与讨论
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)作者：杨真人于205-1919:54:0发布：
佩服你的坚持。re:"实际应用时把三极管的二个极短路了来用，我想大家会笑话你的，还不如用个1N418，集成电路内部可以看到这类图，组成如电流源电路，但分立电路中不大用。"这样用总会有原因的。BC短路，由于负反馈作用深，三极管到达临界饱和点后就不能继续深化饱和，处于自我调整状态。
不打算继续争论下去。否则会有更多混乱。这是我不希望的。“地心说”曾经被公认过。“日心说”也被公认过。随着观察范围扩大，很多旧理论论都要重新审视。总会有人创立“地心说”、“日心说”。遗憾那不是我。我只能从自己开始，让认识透彻一点。
还望多多指教！谢谢您的参与！结束。
19楼：>参与讨论作者：mojian于205-1208:3:0发布：
饱和只是相对的，当c极120楼：>参与讨论
作者：mojian于205-1208:50:发布：饱和只是相对的.饱和只是相对的，当c极电流不能随b极电流成放大倍数变化时，可认为已开始进入饱和区了。当然这样
的电路一定不能是负反馈电路。相反，当c极电流不能随b极电流成放大分数缩小时，也可认为已开始进入截止区了。12楼：
>参与讨论
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)作者：cf10于205-12010:41:0发布：
就事论事，我是不希望扯出别的话题的。任何理论，都有其适用范围和生成期。可能光凭你我的一已之力，没有高深广博的理论知识，没有合适的机缘巧合，穷一生之时也不可能改变那怕一个很小的公理。此所谓：知可为、知不可为。
12楼：>参与讨论作者：zbhui123于205-12013:8:0发布：
>杨真人发表于205-191:3偶还是没看到你要说的意思1.OC输出实际是Rc=∞。Rc越大越容易进入饱和区，无数数据可以证实这一点。2.B极外部短路即BC极无电位差。电路如图，“让数据说话”吧
1.说不是“两结正偏”吗？那你要说明OC时C的电位是多少啊？2.vbc=vbe那不正是临界吗？有什么矛盾呢？图上的数据是模型计算出来的吗？
123楼：>参与讨论作者：杨真人于205-1202:47:0发布：
呵呵，CTvsT，CTWIN。124楼：>参与讨论
作者：ydf于205-1215:39:0发布：受益非浅！杨真人那副“用数据说话”的图用的是什么仿真软件？在哪里可以下载到？谢谢！
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)125楼：
>参与讨论作者：lai832于205-121:47:0发布：
我又来灌水来了1\当集电结,发射结都正偏时为饱和,2\NP:VB>C>VE;PN:VB
3\|IB|>|IC/B|(基极电流远大于集电极电流除以放大倍数)(|IB|=|IC/B|是临界饱和,4\(特性曲线)-没图不好说:VCE很小,IC不会因IB的变化面变化(说得不好听点就是在饱和区)5\IC不受IB控制,(截止也是有这情况,但不明显也少人提起过.)
有一点前面有朋友出错的,三极管饱不饱和,判断与偏置无关(我是说有没有,不是他的值)而是三极管本身工作在那个区,判断数据是:基集发三极的电流和电压(曲线也是这些量)
与其它没太大关系,其它的(如各区电子或空穴的情况是深入的,是探饱和时,三极管内部是怎样的.
TO:zbhui123OC时(NP管)也是饱和的一种特殊性,你算算符合上面的条件吗?
符合了.TO:mojian
切记,上面所说的饱和都是同一时间(这样说,是同一瞬间都会)存在的,并没有先后之分,不能有时间的差异.不
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)要想负反馈的事,与这无关,
TO:杨真人1.BC短路，由于负反馈作用深，三极管到达临界饱和点后就不能继续深化饱和，处于自我调整状态。你这种是特殊性,要实际考虑,为什么上面OC特殊性也说呢?因为BE电阻比CE电阻还要大,所以这个也是饱
和--但也要看他们的关系才行.因如(IB+IC)过小的时候,还不是饱和状态.也不能说是负反馈.--我如果说B极是输出,C是输入,你能反驳吗?短路了,所以这已不再是负反馈了.而是BE内阻和CE内阻的原因了.
2.“在电子线路论述三极管输出特性曲线的时候，讲到三极管在饱和区的现象就是二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。”中"三极管在饱和区的现象就是二个PN结均正偏"
你这说法不对,你这样两个二极管这样接起不到实际作用,记得三极管的C极的电流可以流到E极的,你的行吗?(以NP为例)不行.
TO:NE5321.三极管工作在开关状态时，一定是在饱和和截止区之间转换，不会在放大区。这得看你的电路处理了(与信号也有关系),处理不好就会要有在饱和区的过渡.
2.Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限这是理想值(实际上约是:(VC-VCEmin)/(RC+RE)--VCEmin是饱和压降.
3.但是赤铸兄：bc结正偏，好像不能建立内电场啊。我记得三极管工作条件是bc反偏，be正偏啊上面的是放大区,不要让别人看错了,你应写放大条件.
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)
TO:赤铸1.饱和时Vb>c，(你那个贴中的上下文没提到过VE)但Vb>c不一定饱和
是正确的,但你少说了一点.各位不要理解成:VB>C时饱和.因还有VE呢.如:当VE>B呢??2.正偏只是指电压，不一定要有电流从b->c(你说的是NP管)支持说法:因这时RCE
(同时说明:如果是用叠加原理去分回路分析就会有电流从B->C了-当然得看你的电路组成了(以NP为例:C极只有电阻接高电平,没有其它支路接到地,就不会有电流从B->C了.当C极有支路接地时,用叠加原理解释是有的)
TO:tuwen(不对)_&computer0(对)谈论饱和不能不提负载电阻这与电阻无关的.饱不饱和与电阻无关.
TO:wuhanhebin只要满足.p-npVce<0.4Vn-pnVce<0.7V可满足要求!不复杂.不要忘了这只是一般性,加上一般性的数值也不对,饱和压降可以小于0.3V以下(还有更小的呢).那来的
0.7V??当然有些特殊用途的管饱和会有十几伏,不能这样解释.这样的解释是不正确的,不科学的.
TO:木耳鸟三极管做开关时怎么可能工作在放大区?
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)要求不能工作在放大区,但是很多电路在截止与饱和间过渡时会进入放大区,要尽量避免.
TO:cf10&杨真人……如果IC/IB=30，那IC/IB=10也饱和太过了；如果IC/IB=12（电子镇流器用管都这样），那IC/IB=10又太不保险了。如果说我的电路IC/IB=10算饱和刚好，
上面的都是实际应用上的,与怎样分饱不饱和是不准确的.但大家可以记住这些.
TO:李冬发&SQW(NP)管3个区的参杂的浓度还不一样。这里形成了2个PN结，1个叫发射结，1个叫集电结。详细点:发射区电子浓度特别大,集电区与基区面积特别大,基区很薄.
TO:李冬发&SQW真实情况是，这个PN结已经不存在了，不是PN结了！应说实际情况是,这三个区的浓度被破坏了,
TO:cf10看样子什么样的人都有！支持你以上面内容为标题的那个贴
说得不对的请各位愿谅,九点还要上班,有时间再来灌过.
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)
-本贴最后修改时间：205-129:05:3修改者：lai832126楼：
>参与讨论作者：cf10于205-1215:32:0发布：
洋洋大文一篇，胆量也不小！不过可击的漏洞比WINDOWSXP要少多了。127楼：
>参与讨论作者：zhang_20于205-1217:5:0发布：
饱和时pn结三极管饱和时,be结正偏,bc结果反偏.这个问题怎么能搞错呢.当刚处于饱和状态是ic=βib从这里开始不再成立.
128楼：>参与讨论作者：杨真人于205-1221:8:0发布：
阅129楼：>参与讨论
作者：lai832于205-1230:38:0发布：谢谢cf10夸奖,灌水也要会灌,
不会灌就把田灌坏了,本来是肥沃的田会灌成沙滩的(种过田的就知是怎会事)
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)见笑,我这人专找毛病的,叫我说些什么我真的不会说.
130楼：>参与讨论作者：shpdlizj于205-12315:3:0发布：
哪位朋友用过AD7810我在用ADI公司的AD7810，调试时发现模拟信号电压技术达到参考电压（我定的是4V），AD输出只能达到71，理论上应该是1024啊，不知哪位能高指点一下。
谢谢13楼：>参与讨论
作者：prengui于205-12316:23:0发布：不知为什么这个问题这么多人回帖?
132楼：>参与讨论作者：lai832于205-12323:57:0发布：
简单的东西,用起来了,就能变得很复习.在学校时发现有这样的现象有些同学说得很好,可不会用,是做教师的好材料,而有些同学用得很好,却不知为什么.
又有些同学说得不是很好,用得也不太好.而说得很好,用得又很好的却难找,有时几届也没有一个.说句心里话,学了五年三极管,有些特殊接法不知如何解释.
13楼：>参与讨论
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)作者：21engier于205-12721:56:0发布：
虽然是一个简单问题，可是大家讨论的很深入，理解的更透彻了！虽然是一个简单问题，可是大家讨论的很深入，理解的更透彻了！134楼：
>参与讨论作者：droneduck于205-13015:31:0发布：
用电流来判断是否进入饱和在放大状态下，Vce如何计算？？Vce应该和Ic有关，Ic又由Ib和hFE得来。Ic增大，hFE又减小，咔咔。。。。那如何保证进入深度饱和？？？
135楼：>参与讨论作者：lianle于205-13016:02:0发布：
真理不辨不明！虽然一个简单的问题，通过几位老师的辩论，更使我懂得真理不辨不明的道理！136楼：
>参与讨论作者：战地记者于207-1516:4:0发布：
搞晕了谁再来总结下啊137楼：
>参与讨论作者：执着者于209-63021:5:30发布：
电路设计学习笔记之三极管饱和区杂论(bytdyizhen134)
学习电子技术的人好多啊！我要加油了！138楼：>参与讨论
作者：3于209-12-92:39:25发布：好贴啊知识就是在争论中更新和积累的
附：网址htp:/w.dzsc.om/dzbs/207015/2076521343495.html
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