第四讲晶体三极管第四讲晶体三极管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理电流分配：IE＝IB＋ICIE
－扩散运动形成的电流IB－复合运动形成的电流IC－漂移运动形成的电流三、晶体管的共射输入特性和输出特性
2.输出特性晶体管的三个工作区域四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数讨论一讨论二一、晶体管的结构和符号二、晶
体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数多子浓度高多子浓度很低，且很薄面
积大晶体管有三个极、三个区、两个PN结。小功率管中功率管大功率管为什么有孔？扩散运动形成发射极电流IE，复合运
动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。少数载流子的运动因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子
浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴的扩散穿透
电流集电结反向电流直流电流放大系数交流电流放大系数为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？为什么UCE增大曲线右移？
对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。为什么像PN结的伏安特性？为什
么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？1.输入特性β是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下?
对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的
平行线？饱和区放大区截止区晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流iC几乎仅仅决定于输入回路的电流iB，即可将
输出回路等效为电流iB控制的电流源iC。≤uBE＜βiB≥Uon饱和≥uBEβiB≥Uon放大VC
CICEO＜Uon截止uCEiCuBE状态直流参数：、、ICBO、ICEOc-e间击穿电压
最大集电极电流最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE安全工作区交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率）极限参数
：ICM、PCM、U（BR）CEO1.分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态；2.已知T导通时的UB
E＝0.7V，若uI=5V，则β在什么范围内T处于放大状态?在什么范围内T处于饱和状态？通过uBE是否大于Uon判断管子
是否导通。临界饱和时的清华大学华成英hchya@tsinghua.edu.cn由图示特性求出PCM、ICM、U（BR）
CEO、β。2.7ΔiCuCE=1V时的iC就是ICMU（BR）CEO |
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