第十四讲频率响应概述与晶体管的高频等效电路第十四讲频率响应概述与晶体管的高频等效电路一、频率响应的基本概念1.研究的问
题：放大电路对信号频率的适应程度，即信号频率对放大倍数的影响。由于放大电路中耦合电容、旁路
电容、半导体器件极间电容的存在，使放大倍数为频率的函数。在使用一个放大电路时应了解其信号频率的适用范围，在设计
放大电路时，应满足信号频率的范围要求。2.基本概念（1）高通电路:信号频率越高，输出电压越接近输入电压。（1）高通电路：
频率响应（2）低通电路:信号频率越低，输出电压越接近输入电压。（2）低通电路：频率响应（3）几个结
论二、放大电路的频率参数三、晶体管的高频等效电路1.混合π模型：形状像Π，参数量纲各不相同混合π模型：忽略小电阻，考
虑集电极电流的受控关系混合π模型：忽略大电阻的分流混合π模型的单向化（即使信号单向传递）晶体管简化的高频等效电路2.电流
放大倍数的频率响应电流放大倍数的频率特性曲线电流放大倍数的波特图:采用对数坐标系3.晶体管的频率参数四、场效应管的
高频等效电路讨论一讨论二讨论二一、频率响应的基本概念二、放大电路的频率参数三、晶体管的高频等效电路四、场效应管的
高频等效电路fL低频段放大倍数表达式的特点？下限截止频率的特征？f>>fL时放大倍数约为1fH低频段放大倍数表达式的特点
？上限截止频率的特征？f<707倍，相角超前45o；当f=fH时放大倍数幅值也约降到0.707倍，相角滞后45o。③截止频率决定于电
容所在回路的时间常数电路高频段的放大倍数需乘因子④频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。在低频段，随着信号频率逐渐降
低，耦合电容、旁路电容等的容抗增大，使动态信号损失，放大能力下降。高通电路低通电路在高频段，随着信号频率逐渐升高，晶体管
极间电容和分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小，使动态信号损失，放大能力下降。下限频率上限频率结构：由体电阻、结电阻、结电
容组成。rbb’：基区体电阻rb’e’：发射结电阻Cπ：发射结电容re：发射区体电阻rb’c’：集电结电阻Cμ：集电结
电容rc：集电区体电阻因多子浓度高而阻值小因面积大而阻值小gm为跨导，它不随信号频率的变化而变。为什么引入参数g
m？因在放大区iC几乎仅决定于iB而阻值大因在放大区承受反向电压而阻值大Cμ连接了输入回路和输出回路，引入了反馈，信号
传递有两个方向，使电路的分析复杂化。等效变换后电流不变＝？为什么短路？采用对数坐标系，横轴为lgf，可开阔视野；
纵轴为单位为“分贝”（dB），使得“×”→“＋”。lgf注意折线化曲线的误差
－20dB/十倍频折线化近似画法共射截止频率共基截止频率特征频率集电结电容通过以上分析得出的结论：①
低频段和高频段放大倍数的表达式；②截止频率与时间常数的关系；③波特图及其折线画法；
④Cπ的求法。手册查得可与晶体管高频等效电流类比，简化、单向化变换。很大，可忽略其电流单向化变换0.1～1
1～101～10数值/pFCdsCgdCgs极间电容忽略d-s间等效电容1.若干个放大电路的放大倍数分别为1
、10、102、103、104、105，它们的增益分别为多少？2.为什么波特图开阔了视野？同样长度的横轴，在单位长度不变的情
况下，采用对数坐标后，最高频率是原来的多少倍？102030405060Of10102103104105
106lgf电路如图。已知各电阻阻值；静态工作点合适，集电极电流ICQ＝2mA；晶体管的rbb’=200Ω，Cob=5pF，fβ=1MHz。试求解该电路中晶体管高频等效模型中的各个参数。 |
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