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半导体芯片制造之光刻
2020-07-29 | 阅：  转：  |  分享 
  
小结
放射性安全
?光刻:形成暂时性图形的模块
?UV光可破坏化学键?IC制程中最重要的模块
?要求:高分辨率,低缺陷密度
?有机分子有长化学键结构
?光刻胶：正胶和负胶
?更易因UV引起损伤
?步骤:前烘和前处理,匀胶,匀胶后烘,曝光,曝光后烘,
?UV光通常用于消毒杀菌
显影,显影后烘,检查
?用于65,45,and32nm的浸没式光刻,可达到22nm
?如果直视UV光源会伤害眼睛
?光刻永远需要
?有时需要戴防UV护目镜
?NGL:EUV和电子束光刻.
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(本文系david5526原创)