第五章晶体二极管及整流电路一、半导体和PN结1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间，称为半体。一般半导体都是晶体结构
，所以半导体管又叫做晶体管磷原子2．晶体二极管的伏安特性（1）正向特性：相当于一个处于导通状态的开关。（2）反向特性：
反向电流很小，可以认为二极管基本上不导通。第二节单相整流电路一、单相半波整流电路1．工作原理2．负载上的
电压和电流第二节单相整流电路第一节晶体二极管纯净的不含任何杂质的半导体。如硅、锗单晶
体。本征半导体本征半导体导电能力弱，并与温度有关。杂质半导体N型半导体在纯净的硅或锗晶体中掺入少量的5价元素（如磷）
。+5+4+4+4+4+4自由电子N型半导体的特点：①两种载流子中自由电子是多子，空穴是少
子；②主要靠自由电子导电。少数载流子多数载流子正离子N型半导体的简化图示P型半导体在纯净的硅或锗晶体中掺入少量
的3价元素（如硼）。+3+4+4+4+4+4空穴硼原子P型半导体的特点：①空穴是多子，自由电子是少子；
②主要靠空穴导电。负离子少数载流子多数载流子P型半导体的简化图示PN结的形成扩散运动离子电荷区形成内
电场建立扩散运动空间电荷区PN结2.PN结当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏。
(1)PN结加正向电压时低电阻大的正向扩散电流当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电
压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。(2)PN结加反向电压时高电阻很小的反向漂移电流3.PN结单向导
电性图5-1PN结结构图5-2PN结单向导电性图5-3二极管的结构示意图和符号图5-4二极管的伏安特性
二、晶体二极管1．晶体二极管的结构3．晶体二极管的主要参数（1）最大整流电流IFM2APl最大整流电
流为16mA。（2）最高反向工作电压URM2APl最高反向工作电压规定为2OV，而反向击穿电压实际上大于40V。4．晶体
二极管的简易测试p101二极管型号命名方法图5-5单相半波整流电路图5-6单相半波整波波形半波U0的平均值：
流过负载的直流电流平均值为：图5-7半波电压的平均值二极管截止时所承受的最大反向电压等于变压器二次电压的幅值，即图5
-9单相桥式整流波形图二、单相桥式整流电路1．工作原理在u2的正半周期，a端为正，b端为负，VD1、VD3正向偏置而
导通，p109在u2的负半周期，b端为正，a端为负，VD2、VD4导通，VD1、VD3截止，2．负载上的电压和电流
U0比半波整流时增加了一倍负载两端电流也增加了一倍P1085-3 |
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