第六章晶体管放大电路外部条件：二、三极管的电流放大作用实验电路如图6-3改变基极可变电阻RB，则基极
电流IB，集电极电流IC，发射极电流IE都跟着发生变化输出特性曲线分三个工作区（1）放大区：IC=βIB，IC与
UCE基本无关，只受IB的控制，呈恒流特性。此时，发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。（2）截止区：IB=0，IC
≈0，UCE=EC，三极管集电极和发射极之间如同处于断开状态，呈高电阻特性。此时，发射结零偏或反偏，集电结反偏。（3）
饱和区：即使IB增加很多IC的变化量也很小，不满足IC=βIB的关系，三极管如同处于短接状态，呈低电
阻特性。此时，集电结和发射结都处于正向偏置。3．极限参数（1）集电极最大允许电流I
CM（2）最大反向击穿电压（3）集电极最大允许功率损耗PCM第一节晶体三极管及其放大作用三极管实物图1.基本
结构——三个导电区域和两PN结一、基本结构及分类NNPBEC集电极集电结发射结基极发射极基本结构一NP
N型符号ECB发射区基区集电区集电极与发射极不能互换基本结构二PNP型ECB符号BECPP
N基极发射极集电极EBECRCbRbceiEiCiB●●●●●●●●●●●●●
●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●○
○○○○○ECEBiCiBiE内部载流子的传输过程忽略支流：IE=IC+IB放大条件内部条
件：三区掺杂不同！发射结正偏集电结反偏对NPN型：VC＞VB＞VE对PNP型：VC＜VB＜VE分类
：按材料分：硅管、锗管按结构分：NPN、PNP按使用频率分：低频管
、高频管按功率分：小功率管<500mW中功率管0.5?1W大功率管>1W由实验数据
可得如下结论：（1）（2）（）（）β——三
极管的交流电流放大倍数——三极管的直流电流放大倍数三、三极管的特性曲线测绘三极管特性曲线的电路1．输入特性曲线0.40
.8IB(?A)UBE(V)20406080UCE=0VUCE=0.5VUCE?1V死区电压硅管0.5V
锗管0.2V工作压降：硅管UBE?0.6~0.8V,锗管UBE?0.2~0.3V。2．输出特性曲线取不同
值时，分别描绘曲线就得到一族曲线三种工作状态:1)截止状态2)放大状态3)饱和状态饱和区管子产生饱和区的原因是
:在集电极回路中，电源UCC固定，通常集电极回路有电阻RC。当IC增大时，UCE＝UCC－ICRC必然下降。当UCE下降到UB
E以下时，IB再增大，IC基本上不再发生变化，IC达到饱和程度，此时半导体三极管失去电流放大能力。三极管处于饱和状态时，集电
极与发射极之间的电压UCE很小，三极管处于饱和工作状态时，虽然失去了放大作用，但由于集电极和发射极之间相当于短接，因而三极管在电
路开关中起到“通”的作用。饱和电流ICS=(UCC-UCE)/RC≈UCC/RC图6-7三极管极
限损耗线四、三极管主要参数2．集—基反向漏电流ICBO（1）集—基反向漏电流ICBO（2）集—射反向漏电流ICEO1.
电流放大倍数和?半导体晶体管的型号国家标准对半导体晶体管的命名如下:
用字母表示同一型号中的不同规格用数字表示同种器
件型号的序号用字母表示器件的种类用字母表示材料三极管3DG110B第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、
C硅PNP管、D硅NPN管第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大
功率管、K开关管小结：作业：补充已知两只晶体管的电流放大倍数分别为100和50，现测得放电路中这两只管子的两个电极的
电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。一、晶体三极管基本结构及分类二、三极管的电流放大作用三、三极管的特性曲线四、三极管主要参数○○10?A100?A5.1mA1mA |
|
