高压超结mos管7A,700V SVS70R600DE3参数规格书

士兰 微电子
SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 说明书


7A, 700V 超结 MOS 功率管

2
描述
SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 N 沟道增强型高压 功率 MOSFET 采
用士兰微电子 超结 MOS 技术制造， 具 有很低的传导 损 耗和开关损耗 ，
1
使得功率转换器具 有高效， 高功率密度，提高 热行为。
此外，SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 应用广泛。 如， 适用于 硬/ 软开
3
关拓扑。
1. 栅 极 2. 漏极 3. 源极
特点
1
2
? 7A ，700V ，R =0.5 ?@V =10V
DS(on)(typ.) GS
3 1
2
3
TO-251J-3L
? 创新高压技术
TO-220F-3L
? 低栅极电荷
? 较强的雪崩能力
1
? 较强 的 dv/dt 能力
3
1
3
? 较 高 的峰值 电流能力
TO-252-2L
TO-263-2L
? 100% 雪崩测试

? 无铅 管脚镀层
? 符合 RoHS 环保标准
关键特性参数
参数 参数 值 单位
700 V
V
DS
2.5~4.5 V
V
GS(th)
R 0.6 ?
DS(on),max.
I 28 A
D.pulse
Q 17 nC
g.typ.

产 品规格分类
产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式
SVS70R600DE3TR TO-252-2L 70R60DE3 无卤 编带
SVS70R600SE3TR TO-263-2L 70R600SE3 无卤 编带
SVS70R600MJE3 TO-251J-3L 70600MJE3 无卤 料管
SVS70R600FE3 TO-220F-3L 70R600FE3 无卤 料管

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极限参数( 除非特殊说明，T =25 ?C)
A
参数值
参数 符号 测试条件 单位
最小值 典型值 最大值
漏源电压 V -- 700 -- -- V
DS
栅源电压（ 静态） V -- -30 -- 30 V
GS
栅源电压（ 动态） V AC(f>1 Hz) -30 -- 30 V
GS
T =25 ?C -- -- 7 A
C
漏极电流 I
D
T =100?C -- -- 4.4 A
C
漏极脉冲电流 （注 1 ） I -- -- 28 A
DM T =25 ?C
C
耗散功率(TO-252-2L)
P T =25 ?C -- -- 71 W
D C
（TO-251J-3L） （注 2 ）
耗散功率(TO-263-2L) （注 2 ） P T =25 ?C -- -- 86 W
D C
耗散功率(TO-220F-3L) （注 2 ） P -- -- 31 W
D T =25 ?C
C
L=79mH ，V =100V ，R =25 ? ，
DD G
单脉冲雪崩能量 E -- -- 259 mJ
AS
开始温度T =25 ?C
J
单脉冲电流 I -- -- -- 2.4 A
AS
体二极管 dv/dt V =0~400V ，I <= I ，T =25 ?C -- -- 15 V/ns
DS SD S J
MOS 管 dv/dt 耐用性 dv/dt V =0~480V -- -- 50 V/ns
DS
工作结温 范围 T -- -55 -- 150
J ?C
贮存温度 范围 T -- -55 -- 150
stg ?C
连续二极管正向电流 I -- -- 7 A
S T =25 ?C ，MOS 管中源极、漏 极构
C
成的反偏P-N 结
二 极管脉冲电流 I , -- -- 28 A
S pulse
最大二极管整流速度 di/dt V =0~400V ，I <= I ，T =25 ?C -- -- 250 A/μs
DS SD S J

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热特性
表 1. TO-252-2L(SVS70R600DE3) 热特性
参数值
参数 符号 测试条件 单位
最小值 典型值 最大值
芯片对表面热阻，底部 R θ JC -- -- -- 1.75 ?C/W
芯片对环境的热阻 R -- -- -- 62.0 ?C/W
θ JA
回流焊：10±1 sec ，3times
焊接温度（SMD ） T -- -- 260
sold ?C
?2
波峰焊： sec, 1time
10
-0
表 2. TO-263-2L(SVS70R600SE3) 热特性
参数值
参数 符号 测试条件 单位
最小值 典型值 最大值
芯片对表面热阻，底部 R -- -- -- 1.45 ?C/W
θ JC
芯片对环境的热阻 R -- -- -- 62.5
θ JA ?C/W
回流焊：10±1 sec ，3times
焊接温度（SMD ） T -- -- 260
sold ?C
?2
波峰焊： sec, 1time
10
-0
表 3. TO-251J-3L(SVS70R600MJE3) 热特性
参数值
参数 符号 测试条件 单位
最小值 典型值 最大值
芯片对表面热阻，底部 R -- -- -- 1.75 ?C/W
θ JC
芯片对环境的热阻 R -- -- -- 62.0 ?C/W
θ JA
?2
sec ，1time
15
焊接温度（ 直插式 ） T -- -- 260 ?C
sold
-0
表 4. TO-220F-3L(SVS70R600FE3) 热特性
参数值
参数 符号 测试条件 单位
最小值 典型值 最大值
芯片对表面热阻，底部 R -- -- -- 4.0
θ JC ?C/W
芯片对环境的热阻 R -- -- -- 62.5
θ JA ?C/W
?2
sec ，1time
焊接温度（ 直插式 ） T 15 -- -- 260
sold ?C
-0


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电气参数( 除非特殊说明，T =25 ?C)
J
静 态参数
参数值
参数 符号 测试条件 单位
最小值 典型值 最大值
漏源击穿电压 BV V =0V ，I =250μA 700 -- -- V
DSS GS D
V =700V ，V =0V ，T =25 ?C -- -- 1.0
DS GS J
漏源漏电流 I μA
DSS
V =700V ，V =0V ，T =125?C -- 1.0 --
DS GS J
栅源漏电流 I V =±30V ，V =0V -- -- ±100 nA
GSS GS DS
栅极开启电压 V V =V ，I =250μA 2.5 -- 4.5 V
GS(th) GS DS D
导通电阻 R V =10V ，I =3.5A -- 0.5 0.6 ?
DS(on) GS D
栅极电阻 R f=1MHz -- 8.8 -- ?
G
动 态参数
参数值
参数 符号 测试条件 单位
最小值 典型值 最大值
输入电容 C -- 694 --
iss
f=1MHz ，VGS=0V ，
输出电容 C -- 30 -- pF
oss
V =100V
DS
反向传输电容 C -- 0.6 --
rss
开启延迟时间 t -- 18 --
d(on)
V =350V ，V =10V ，R =24 Ω ，
DD GS G
开启上升时间 t -- 31 --
r
I =7.0A ns
D
关断延迟时间 t -- 38 --
d(off)
( 注 3,4)
关断下降时间 t -- 25 --
f
栅极电荷量 Q -- 17 --
g
V =560V ，V =10V ，
DD GS
栅极- 源极电荷量 Q -- 6.5 -- nC
gs
I =7.0A
D
栅极- 漏极电荷量 Q -- 7.1 --
gd
( 注 3,4)
栅极- 平台电压 V -- 7.5 -- V
plateau
反向 二极管 特性参 数
参数值
参数 符号 测试条件 单位
最小值 典型值 最大值
源- 漏二极管压降 V I =7.0A ，V =0V -- -- 1.4 V
SD S GS
反向恢复时间 T I =7.0A ，V =0V -- 252 -- ns
rr S GS
反向恢复电荷 Q dI /dt=100A/μs -- 2.8 -- μC
rr F
( 注 3)
反向恢复峰值电流 I -- 20 -- A
rrm
注：
1. 脉冲时间5μs ；
2. 耗散功率 值会随 着温度 变化而 变化 ，当大于25 ?C 时耗散 功率值 随着温 度每上升1 度减少 ：
0.57W/ ?C(TO-252-2L)(TO-251J-3L)/0.69 W/ ?C(TO-263-2L)/ 0.25 W/ ?C(TO-220F-3L) ；
3. 脉冲测试 ：脉 冲 宽度 ≤ 3 0 0 μ s ，占空 比 ≤ 2 % ；
4. 基本上不 受工作 温度的 影响。

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典型特性曲线
图 1. 输出特性 图 2. 输 出特 性
15 8
V =5.0V
GS
V =5.5V VGS=5.0V
GS
V =5.5V
V =6.0V GS
GS
V =6.0V
V =7.0V GS
GS
12
VGS=7.0V
VGS=8.0V
6
V =8.0V
V =10V GS
GS
V =15V VGS=10V
GS
VGS=15V
9
4
6
注 ：
注 ：
1.250μs 脉 冲 测 试
1.250μs 脉冲测试
2
2.T =25° C
J 2.T =125° C
J
3
0 0
6 6
0 2 4 8 10 0 2 4 8 10
漏源 电压 – V (V)
漏源电压 – V (V) DS
DS
图 3. 传 输特性 图 4. 导 通电 阻vs.漏极 电流
100
0.8
-55° C
25° C VGS=20V
150° C
VGS=10V
0.7
10
0.6
0.5
1
0.4
注 ：
1.250μs 脉 冲 测 试
注 ：T =25° C
J
2.V =10V
DS
0.1
0.3
2 4 6 8 10 0 3 6 9 15
12
栅源电压 – V (V)
漏 极电 流 – I (A)
GS D
图 5. 导通电阻vs. 栅源 电压 图 6. 开启 电压vs.温度 特性
3.0 6
T =25° C
J
T =150° C
J
2.5
5
2.0
4
1.5
3
1.0
2
0.5
注 ：I =3.5A 注 ：I =250μA
D D
0 1
4 5 6 7 8 9 10 -100 -50 0 50 100 150 200
栅 源电压 – V (V) 结温 – T (° C)
GS J


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漏源导通电 阻 – R (m ?)
DS(on)
漏 极 电 流 – I (A)
D
漏极电流 – I (A)
D
漏 源 导 通 电 阻 – R (m ?) 漏极电流 – I (A)
栅 源 开 启 电 压 – V (V)
GS(th) DS(on) D士兰 微电子
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典型特性曲线( 续)
图 7. 体二 极 管 正向压降vs. 源极 电流 、 温度
图 8. 电 容 特 性
10000
100
Ciss Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)
-55° C
Coss
Coss=Cds+Cgd
25° C Crss
Crss=Cgd
150° C 1000
10
100
10
1
1
注 ： 注 ：
1.250μs 脉冲测试 1. V =0V
GS
2.V =0V 2. f=1MHz
GS
0.1
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
0 100 200 300 400 500 600
源 漏 电 压 – V (V)
SD
漏 源 电 压 – V (V)
DS
图 9. 电荷量 特性 图 10. 击 穿 电 压vs. 温 度 特 性
12
1.2
V =520V
DS
V =325V
DS
10 V =130V
DS
1.1
8
6
1.0
4
0.9
注 ：
2
1. V =0V
GS
2. I =250μA
D
注 ：I =7.0A
D
0 0.8
-100 -50 0 50 100 150 200
0 3 6 9 12 15 18
总 栅极 电荷 – Qg(nC) 结 温 – T (° C)
J
图 12-1. 最 大 安 全 工 作 区 域
图 11. 导通电阻vs. 温度特 性
(SVS70R600D/MJE3)
2
3.0 10
2.5
10μs
1
10
100μs
2.0
1ms
0 10ms
10
1.5
DC
此 区 域 工 作 受 限 于
R
DS(ON)
1.0
-1
10
注 ：
0.5
1. V =10V
GS
2. I =3.5A 注:T =25° C
D C
-2
0.0 10
0 1 2 3
-100 -50 0 50 100 150 200
10 10 10 10
结温 – T (° C)
J 漏 源 电 压- V (V)
DS


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栅 源 电压 – V (V) 反向 漏极 电流 – I (A)
GS
漏 源导通电阻 – R （ 标 准 化 ） DR
DS(ON)
电 容(pF)
漏极 电 流 - I (A) 漏 源击 穿 电 压 – BV （ 标 准 化 ）
D DSS士兰 微电子
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典型特性曲线( 续)
图 12-2. 最大 安 全 工 作 区 域 图 12-3. 最大安全工作区域
(SVS70R600SE3) (SVS70R600FE3)
2
2
10
10
10μs
10μs
1
1
10
10
100μs
100μs
1ms
1ms
0 10ms
0
10
10
DC
此区域工作受限于
此区域工作受限于
10ms
R
DS(ON) R
DS(ON)
DC
-1
-1
10
10
注:T =25° C
C 注:T =25° C
C
-2
-2
10
10
0
1 2 3
0
1 2 3
10
10 10 10
10 10 10 10
漏源 电 压- V (V) 漏 源电压- V (V)
DS DS
图 13-2. 耗散功率VS. 温度
图 13-1. 耗散 功 率VS. 温 度
(SVS70R600SE3)
(SVS70R600D/MJE3)
80
100
80
60
60
40
40
20
20
0
0
0 25 50 75 100 125 150 175 0 25 50 75 100 125 150 175
温 度 - T (° C)
温度 - T (° C)
C C
图 13-3. 耗 散 功 率VS. 温 度
(SVS70R600FE3)
35
30
25
20
15
10
5
0
0 25 50 75 100 125 150 175
温 度 - T (° C)
C


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耗 散功率 - P (W) 耗散功率 - P (W)
D D
漏 极电 流 - I (A)
D
漏极 电流 - I (A)
D
耗散功率 - P (W)
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典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与 待 测 器 件
参 数 一 致
VGS
Qg
10V
VDS
VGS
Qgs Qgd
待 测
器 件
Vgs(th)
Ig
Qg(th)
Charge
开关时间测试电 路及波形图
RL
VDS
VDS
90%
VGS
待 测
RG
VDD
10%
器 件
VGS
VGS
td(off)
td(on)
tr
tf
ton
toff
EAS 测试电路及波形图
BVDSS
L 1
2
EAS =
LI
AS
2
VDS
BVDSS VDD
BVDSS
ID
IAS
待 测
RG
VDD
器 件
ID(t)
VDS(t)
VGS
VDD
tp
Time
tp


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封装 外形图
TO-252-2L 单位：毫米
A
E
b3 c2
MILLIMETER
SYMBOL
MIN NOM MAX
A 2.10 2.30 2.50
0 0.127
A1 —
b 0.66 0.76 0.89
Eject pin （note1 ）
b3 5.10 5.33 5.46
c 0.45 0.65
—
c2 0.45 0.65
—
D 5.80 6.10 6.40
E 6.30 6.60 6.90
e
2.30TYP
A1
H 9.60 10.10 10.60
L 1.40 1.50 1.70
L1 2.90REF
L4 0.60 0.80 1.00

e b
c

TO-263-2L 单位：毫米
E A
MILLIMETER
c2
SYMBOL
MIN NOM MAX
A 4.30 4.57 4.72
A1 0 0.10 0.25
b 0.71 0.81 0.91
__
c 0.30 0.60
c2 1.17 1.27 1.37
__
D 8.50 9.35
__
E 9.80 10.45
c
e
2.54BSC
A1
__
H 14.70 15.75
L 2.00 2.30 2.74
L1 1.12 1.27 1.42
__
1.00
L2 1.75

b1 b
e
e


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L1 D
L2
L4
D L1
L
L
H
HTOP E-MARK
?1.30± 0.2
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封装外形图
TO-251J-3L 单位：毫米
A
E
c
b4
MILLIMETER
SYMBOL
MIN NOM MAX
A 2.18 2.30 2.39
A1 0.89 1.00 1.14
__
b 0.56 0.89
b4 4.95 5.33 5.46
__ __
1.05
b5
__
c
0.46 0.61
A1
D 5.97 6.10 6.27
b5
E 6.35 6.60 6.73
e
2.29 BCS
L 8.89 9.30 9.65
__
L1 0.95 1.50
__
L2 0.89 1.27

c
e
b

TO-220F-3L 单位：毫米
A
MILLIMETER
A1
E
SYMBOL
MIN NOM MAX
P
A 4.42 4.70 5.02
A1 2.30 2.54 2.80
Q
H1
A3 2.50 2.76 3.10
b 0.70 0.80 0.90
b2 1.47
D
c 0.35 0.50 0.65
D1
D 15.25 15.87 16.25
D1 15.30 15.75 16.30
D2 9.30 9.80 10.30
L1
E 9.73 10.16 10.36
e 2.54BSC
b2
6.40 6.68
H1 7.00
L
D2 L 12.48 12.98 13.48
L1 3.50
P 3.00 3.18 3.40
e c A3
Q 3.05 3.30 3.55
b


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L1 D
L2
L士兰 微电子
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1. 添加 SVS70R600MJE3 和 SVS70R600FE3
2. 更新 SVS70R600DE3 和 SVS70R600MJE3 打印名称
3. 更新 TO-263-2L 外形图
版 本： 1.1
修改记录：
1. 添加 SVS70R600SE3
2. 删除图 14
版 本： 1.0
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1. 正式版本发布



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