第二章 逻辑门电路 内容概述 第一节 标准TTL与非门 第二节 其它类型TTL门电路 第三节 ECL逻辑门电路
第四节 I2 L逻辑门电路 第五节 NMOS逻辑门电路 第六节 CMOS逻辑门电路 第七节 逻辑
门的接口电路 小结内容概述双极型集成逻辑门MOS集成逻辑门按器件类型分按集成度分SSI：＜100个等效门MSI：＜103个等效
门LSI ：＜104个等效门VLSI：＞104个以上等效门本章内容： 集成逻辑门的基本结构、工作原理； 集成逻辑门的外
部特性、参数及其接口电路。TTL、ECLI2L、HTLPMOSNMOSCMOS第一节 标准TTL与非门 TTL与非门电路组成
TTL与非门工作原理 TTL与非门工作速度 TTL与非门外特性及主要参数 TTL标准与非门的改进型 TTL集成
电路产品TTL与非门电路组成TTL与非门工作原理? 输入端至少有一个（设A端）接低电平：0.3V3.6V1V3.6VT1管:A端发
射结导通，UB1 = UA + UBE1 = 1V，其它发射结反偏截止。? （5-0.7-0.7）V = 3.6V因为UB1 =1
V, 所以 T2、T5截止, UC2≈Ucc=5V。 T4：工作在放大状态5V电路输出高电平：? 输入端全接高电平：3.6V2.1
V0.3VT1:UB1= UBC1+UBE2+UBE5 = 0.7V×3 = 2.1V电路输出低电平：UOL = 0.3V3.6V
T1：发射结反偏，集电极正偏，工作在倒置放大状态且T2 、T5导通。T2：工作在饱和状态T4：UC2 = UCES2 + UBE5
≈1V，T4截止。T5：处于深饱和状态TTL与非门工作原理? 输入端全接高电平，输出为低电平。? 输入端至少
有一个接低电平时，输出为高电平。 由此可见，电路的输出与输入之间满足与非逻辑关系：TTL与非门工作原理T1：倒置放大状态T
2：饱和状态T4：截止状态T5：深度饱和状态T1：深度饱和状态T2：截止状态T4：放大状态T5：截止状态TTL与非门工作速度存在的
问题：一是与非门内部晶体管工作在饱和状态对电路开关速度产生影响，二是与非门输出端接容性负载时对工作速度产生影响。 采取的措施：1.
采用多发射极晶体管T1，加速T2管脱离饱和状态。 2. T4和T5同时导通，加速T5管脱离饱和状态。 3. 降低与非门的输出电阻
，减小对负载电容的充电时间。 TTL与非门的外特性及主要参数 外特性：指的是电路在外部表现出来的各种特性。掌握器件的外特性及
其主要参数是用户正确使用、维护和设计电路的重要依据。 介绍手册中常见的特性曲线及其主要参数。 TTL与非门的外特性及主要参数
TTL与非门输入电压UI与输出电压UO之间的关系曲线，即 UO = f（UI）。截止区：当UI≤0.6V，Ub1≤1.3V
时，T2、T5截止，输出高电平UOH = 3.6V。线性区：当0.6V≤UI≤1.3V，0.7V≤U b2＜1.4V时，T2导通，
T5仍截止，UC2随Ub2升高而下降，经T4射随器使UO下降。转折区：当UI≥1.3V时，输入电压略微升高，输出电压急剧下降，因为
T2、T4、T5均处于放大状态。饱和区：UI继续升高，T1进入倒置工作状态Ub1=2.1V，此时T2、T5饱和，T4截止，输出低电
平UOL = 0.3V ，且UO不随UI的增大而变化。 TTL与非门的外特性及主要参数1.输出高电平UOH和输出低电平UOL ：
AB段所对应的输出电压为UOH 。DE段所对应的输出电压为UOL。一般要求UOH≥3V，UOL＜0.4V 。3. 开门电平UON：
开门电平UON也称输入高电平电压UIH，指的是输出电平UO =0.3V时，允许输入高电平的最小值。UON典型值为1.4V，一般产品
要求UON≤1.8V。4. 关门电平UOFF ：关门电平UOFF也称输入低电平电压UIL，指的是在保证输出电压为额定高电平UOH的
90%时，允许输入低电平的最大值。一般产品要求UOFF≥0.8V。2. 阈值电压UTH：CD段中点所对应的输入电压称为阈值电压UT
H，也称门槛电压。UTH=1.3～1.4V。低电平噪声容限U NL：高电平噪声容限U NH：TTL与非门的外特性及主要参数噪声容限
表示门电路抗干扰能力的参数。 输入电流与输入电压之间的关系曲线，即II = f（UI）。1. 输入短路电流IIS（输入低电平电流I
IL）当UIL = 0V时由输入端流出的电流。2. 输入漏电流IIH（输入高电平电流） 指一个输入端接高电平，其余输
入端接低电平，流入该输入端的电流，约10μA左右。TTL与非门的外特性及主要参数假定输入电流II流入T1发射极时方向为正，反之为负
。前级驱动门导通时，IIS将灌入前级门，称为灌电流负载。前级驱动门截止时， IIH从前级门流出，称为拉电流负载。 TTL与非门的外
特性及主要参数 UI在一定范围内会随着Ri的增加而升高，形成Ui = f（Ri）变化曲线，称为输入负载特性。
若要使与非门稳定在截止状态，输出高电平，应选择Ri＜ROFF。 若要保证与非门可靠导通，输出低电平，应选择R
i≥RON。TTL与非门的外特性及主要参数 功耗有静态功耗和动态功耗之分。 动态功耗指的是电路发生转换
时的功耗。 静态功耗指的是电路没有发生转换时的功耗。静态功耗有空载导通功耗PON和空载截止功耗POFF两个参数。
1. 空载导通功耗PON指的是输出端开路、输入端全部悬空、与非门导通时的功耗。标准TTL芯片PON ≤50mW。
2. 空载截止功耗POFF指的是输出端开路、输入端接地、与非门截止时的功耗。标准TTL芯片POFF≤25mW。
1.扇入系数NI是指合格输入端的个数。 2.扇出系数NO表示门电路带负载能力的大小，NO表示可驱动
同类门的个数。NO分为两种情况，一是灌电流负载NOL，二是拉电流负载NOH。NO=min（NOL，NOH）。 IO
Lmax为驱动门的最大允许灌电流，IIL是一个负载门灌入本级的电流。 IOHmax为驱动门的最大允许拉电流，IIH是负载门高电平输
入电流。 TTL与非门的外特性及主要参数平均传输延迟时间tpd：TTL与非门的外特性及主要参数 平均传输延迟时间是表示门电路
开关速度的参数，它是指门电路在输入脉冲波形的作用下，输出波形相对于输入波形延迟了多少时间。 导通延迟时间tPHL ：输入波
形上升沿的50%幅值处到输出波形下降沿50% 幅值处所需要的时间。 截止延迟时间tPLH：从输入波形下降沿50% 幅值处到输
出波形上升沿50% 幅值处所需要的时间。 通常tPLH＞tPHL，tpd越小，电路的开关速度越高。一般tpd=10
ns～40ns。TTL标准与非门的改进型 高速74H系列电路对标准74系列电路进行了两项改进： 一
是在输出级采用了达林顿结构，将输出级的 T4用复合管T3和T4代替，减小门电路输出高电平时的输出电阻，提高对容性负载的充电速度。
二是降低电路中所有电阻的阻值，加速三极管的开关速度。 74H系列门电路的传输时间比74系列减小了一半，
但是由于电源电流的增大，电路的功耗变大。TTL标准与非门的改进型肖特基74S系列与标准74系列相比有两点改进。一是增加了有源泄放电
路代替T2射极电阻R3。 二是将标准门电路中所有可能工作在饱和区的晶体管都用肖特基三极管代替。 由T6、R6和
R3构成的有源泄放电路来代替原T2射极电阻R3。一是提高工作速度，二是提高抗干扰能力。 工作速度和抗干扰能力提高。一般74
S系列电路的tpd小于10ns。 TTL标准与非门的改进型 为降低功耗，提高电路各电阻的阻值,将电阻R5原接地端改
接到输出端，减小T3导通时电阻R5上的功耗。 为缩短传输延迟时间，用肖特基管和有源泄放电路；还将输入级的多发射极管改用SBD
代替。TTL集成电路产品系 列名 称特 点54/74系列TTL通用标准系列TTL最早产品，中速器件，目前仍使用。54H/74
H系列TTL快速系列74系列改进型，速度较74系列高，功耗大。54S/74S系列TTL肖特基系列采用肖特基晶体管和有源泄放回路，速
度高，品种较74LS系列少。54LS/74LS系列TTL低功耗肖特基系列目前主要应用的产品，品种齐全，价格低廉。54AS/74AS
系列TTL先进的肖特基系列74S系列的改进产品，速度和功耗得到改进。54ALS/74ALS系列TTL先进的低功耗肖特基系列74LS
系列的改进产品，速度和功耗有较大改进，但品种少，价格略高。54F/74F系列TTL高速系列与74ALS及74AS产品相当，属高速型
产品，品种较少。第二节 其它类型TTL门电路 集电极开路门（OC门） 三态输出逻辑门（TSL门） 或非门、与或非门和异或门
集电极开路门（OC门）10 两个TTL与非门输出端直接并联，设门1输出高电平、门2输出低电平，则产生一个大电流。
门1输出高电平， T4导通、T5截止。 门2输出低电平， T5导通。1.抬高门2输出低电平；2.会因功
耗过大损坏门电路。注：普通TTL输出端不能直接并联使用。 UCC→门1的R5、T4→门2的T5 →产生一个大电流。?
当输入端全为高电平时，T2、T5导通，输出F为低电平； 输入端有一个为低电平时，T2、T5截止，输出
F高电平接近电源电压UC。? OC门实现与非逻辑功能。集电极开路门（OC门）输出低电平0.3V高电平为UC（5~30V）逻辑符号
：负载电阻RL的选择（自学，且为考试内容。）集电极开路门（OC门）相当于与逻辑等效逻辑符号 OC 门需外接电阻，所以
电源UCC可以选5V～30V。OC 门作为TTL电路可以和其它不同类型、不同电平的逻辑电路进行连接。集电极开路门（OC门）
当UDD=UCC时 ，如CMOS电源电压UDD = 5V，一般TTL门可以直接驱动CMOS门。TTL电路驱动CMOS电路
图 当UDD≠UCC时 ，如CMOS的UDD = 5V～18V，特别是UDD>UCC时，可以选用TTL的OC门电路
实现电平变换。 在数字设备中，常会碰到用门电路驱动大电流的情况，例如驱动感性器件，利用OC门可以实现大电流的驱动。合理选择U
C，使驱动电流小于OC门中T5所能承受的最大值。 集电极开路门（OC门）驱动干簧继电器的电路连接驱动脉冲变压器的电路连接三态输出逻
辑门（TSL门）10输出F端处于高阻状态记为Z。Z TSL门输出具有高、低电平状态外，还有第三种输出状态 — 高阻
状态，又称禁止态或失效态。非门是三态门的状态控制部分六管TTL与非门T6、T7、 T9、 T10均截止增加部分低电平使能高电平使能
三态输出逻辑门（TSL门）1. 实现总线结构 任何时刻只能有一个控制端有效，即只有一个门处于数据传输，其它门处于
禁止状态。2. 实现双向数据传输 当E=0时，门1工作，门2禁止，数据从A送到B； 当E=1时，门1禁
止，门2工作，数据从B送到A。三态输出逻辑门（TSL门）总线01A=1时，T2、T4导通，T3截止，输出F =0；B=1时，T12
、T4导通，T3截止，输出F =0。或非门、与或非门、异或门结构：R1、T1、T2构成的电路和R11、T11、T12构成的电路完全
相同，T2和T12 对应的集电极和发射极并联。 只有当A=B=0时，T2和T12同时截止，才有T4截止，T3、D3导通，输出
F= 1。电路实现或非逻辑功能。 由于三极管多发射极之间实现与逻辑运算，即A、B之间或C、D之间实现与逻辑运算，整个
电路实现与或非逻辑运算。或非门、与或非门、异或门结构：将或非门电路中的每个输入端改用多发射极三极管， 其余部分相同。
A=B=0：T2、T3导通，T4、T5截止，T7、T9导通，T8、D3截止，因此F =0。或非门、与或非门、异或门
A=B=1：T1、T2、T3倒置，T6、T9导通，T8、D3截止，因此F = 0。 A=0，B=1或A=1
，B=0：T1导通，T6截止；T4、T5必有一个导通，T7截止。由于T6、T7同时截止，因此T9截止，T8、D3导通，故F = 1
。 00010 11 011第三节 ECL逻辑门电路 ECL门电路工作原理 标准TTL门电路的晶体管
工作在饱和区，工作速度受到限制。如果将晶体管工作状态由饱和改为非饱和，可以从根本上提高电路的工作速度。发射极耦合逻辑电路（ECL）
是非饱和型高速数字集成电路，平均传输延迟时间小于2ns，是目前唯一能提供亚毫微秒开关时间的实用电路。主要应用于每秒运算百万次以上的
大型高速计算机、数字通信系统等方面。 ECL门电路的主要特点 基准电压ECL门电路工作原理差分输入级输出级 基准电
压UBB由T5、D1、D2和电阻R1、R2、R3组成的射极输出电路提供，T4管基极的基准电压UBB为－1.2V，为使电路具有相同的
噪声容限，UBB选两个输入高低电平的平均值。 T5基极接入的D1、D2用来对T5的发射结进行温度补偿，补偿由温度引起
UBE5的变化。 射极输出器T6和T7组成输出级，下拉电阻R01、R02与发射极之间是开路的。射极输出器的作用：实
现前后级隔离，增加驱动能力；实现电平变换，将D和C4点的高、低电平转换成－0.8V和－1.6V。 T1、T2、T
3三个输入管组成三个输入端且并联连接，T4加有固定偏压UBB（－1.2V）。 是典型ECL或/或非门电路，由于电路中T4管
的输入信号通过发射极电阻RE耦合，称该电路为发射极耦合逻辑电路。输入高低电平分别为：－0.8V和－1.6V。 基准电压ECL门电
路工作原理差分输入级输出级下拉电阻：驱动负载较轻时，可将输出端分别与R01、R02相连，获得规定的输出电平。负载较重时，输出端与R
01、R02断开连接。既可方便使用，又能降低功耗。 输入全为低电平－1.6V：UBB电平高于－1.6V，T4导通
，射极电位UE = －1.9V，各输入管截止， 则D点为高电平，C4点为低电平。 A为高电平：T1基极电位－0.
8V，高于基准电压UBB，T1导通且在放大区。发射极E为－1.5V，T4发射结电压为0.3V，T4截止，C4点为高电平，D点为低电
平。由于T1、T2、T3三管输入回路并联，只要有一个输入端为高电平，C4点为高电平、D点则为低电平 。 ECL门电路的应用A+BC
+D A+B+C+D 线或连接 1. 开关速度高 ECL电路中的三极管工作在放大区或截止区，消除了
饱和带来的存储时间。电阻取值小，高、低电平之差小，缩短了上升时间和下降时间。输出采用射极输出，输出电阻小，负载电容充电的时间减小。
目前ECL传输延迟时间已做到0.1ns以内。 2. 逻辑功能强 ECL门电路具有或/或非互补输出端
，且采用射极开路形式，允许多个输出端并联，实现输出的线或逻辑。 3. 负载能力强 ECL电路采用射
极输出，输出阻抗小，输出电流大；输入级有射极电阻RE，负反馈作用强，输入阻抗高，输入电流小。电路的扇出系数大，实际应用时扇出一般不
超过10。 ECL门电路主要特点 1. 功耗大 ECL电路的功耗为输入级、基准电源和输出级三部分之
和。由于电路中电阻值较小，且三极管又工作在非饱和区，所以ECL电路的功耗大，每门平均功耗达40mW。 2. 抗干扰
能力差 ECL电路的逻辑摆幅只有0.8V左右，直流噪声容限UN约300mV，抗干扰能力差。 3.
输出电平的稳定性差 由于ECL电路中的三极管导通时工作在放大区，电路的输出电平与T6、T7的发射结压降有关，所以输
出电平的变化与温度和电路参数的变化直接相关。ECL门电路主要缺陷第四节 I2 L逻辑门电路 I2 L基本单元电路
TTL和ECL工作速度较高，但是电路复杂，功耗较大，因此无法满足高密度大规模集成电路的制造需要。20世纪70年代初研制成
功的集成注入逻辑电路（I2L）结构简单、功耗低，特别适合于大规模集成电路的制造。I2L发展速度快，在大规模和超大规模集成电路中得到
广泛应用，例如单片机、电子表、电子琴等。 I2 L门电路的主要特点 I2 L门电路I2 L基本单元电路 T2
的驱动电流由T1集电极注入，故有注入逻辑之称。（二）工作原理1.当A端接低电平 0.1V时，T2截止，I0从输入端A流出，C1、C
2和C3输出高电平。2.当A端接高电平或开路时，I0流入T2基极，T2饱和导通，C1、C2和C3输出低电平。 多集电
极晶体管T2，C1、C2和C3之间相互隔离。 射极加正电压UE，构成恒流源I0。 电路的任何一个输出与
输入之间都是非逻辑关系。逻辑符号输入：A输出：C1、C2、C3I2 L基本单元电路线与连接等效逻辑图I2 L基本单元电路线与连接等
效逻辑图I2 L基本单元电路 电源UE作为输入信号B使用 等效逻辑图 B为低电平时：T1截止，无法向T2的基
极提供驱动电流，故T2也截止。由于负载门的作用，输出F为高电平。 当A、B均为高电平时，T1、T2导通，输出F为低
电平。 I2 L门电路逻辑功能：等效逻辑图线与连接 1.结构简单，集成度高 I2L电路中只包含NP
N和PNP管，没有电阻，各单元之间不需要隔离，工艺简单，节省芯片面积。其基本逻辑单元面积仅为TTL的十分之一。 2
. 低电压、微电流工作，功耗低 I2L电路能在0.8V、1nA/单元的情况下工作，是目前功耗最低的集成电路。
3. 品质因数最佳 I2L是目前功耗与速度二者之积的品质因数最好的电路。 4. 生产工
艺简单 常规的TTL要经过六次光刻四次扩散，I2L经过四次光刻两次扩散，工艺简单。I2 L门电路主要特点
1. 开关速度低 I2L属于饱和型电路，限制了电路的开关速度，I2L反相器的传输时间tpd一般在20ns～3
0ns之间。 2. 抗干扰能力差 I2L的逻辑摆幅仅700mV左右，噪声容限UN不大于25
0mV，低于ECL电路，抗干扰能力较差。 3. 多片连接性能差 多片I2L芯片一起使用时，由于各管子
输入特性的离散性，基极电流分配不均，严重时电路无法正常工作。 I2 L门电路主要缺陷第五节 NMOS逻辑门电路 NMOS
反相器 前面介绍的TTL、ECL和I2L采用的都是双极型晶体管，两种载流子参与导电，称为双极型集成电路。
本节介绍只有一种载流子参与导电的单极型逻辑门电路-- MOS集成电路。 MOS集成电路主要包括NMOS、
PMOS以及CMOS电路。电路具有以下特点：制造工艺简单、成品率高、功耗低、集成度高、抗干扰能力强，适合大规模集成电路。 NMO
S门电路MOS管的开关特性 数字逻辑电路中的MOS管均是增强型MOS管，特点如下： 当|UGS|>|UT|
时，管子导通，导通电阻很小，D、S之间相当开关闭合。 当|UGS|<|UT| 时，管子截止， D、S之间相当于开关
断开。NMOSPMOSNMOS反相器1. A输入高电平UIH = 8V2. A输入低电平U IL = 0.3V结论：电路执行逻辑非
功能。 T1、T2均导通，输出低电平UOL≈0.3V。 T1截止、T2导通，输出高电平UOH =UD
D-UT2= 8V。NMOS门电路 T1和T2都导通，输出低电平。2. 当输入端有一个接低电平时， 与低电平相连的
驱动管截止，输出高电平。 电路实现与非逻辑功能： 注意：增加扇入，需增加串联驱动管的个数。扇入过多，则低电平升高，
因此扇入一般不超过3。1. 当两个输入端A和B均接高电平时，NMOS门电路 T1和T2都截止，输出高电平。2. 当输
入端有一个接高电平时， 与高电平相连的驱动管导通，输出低电平。电路实现或非逻辑功能： 增加扇入，增加
并联驱动管的个数。扇入越多，输出低电平降低，因此MOS电路中多采用或非门。1. 当输入端A和B均接低电平时，NMOS门电路电路实现
与或非逻辑功能： 驱动管T1与T2串联、T3与T4串联，然后再并联连接。 第六节 CMOS逻辑门电路 ? CM
OS反相器 为提高工作速度，降低输出阻抗和功耗，目前广泛采用由PMOS和NMOS两管组成的互补型MOS电路，简称CMOS电
路。 ?其它类型的CMOS门电路 ? CMOS门电路的改进型 ? CMOS电路的特点 ? CMOS门电路主要参数 CMOS反
相器1. 输入低电平UIL = 0V:UGS1＜UT1T1截止|UGS2|＞UT2 电路中电流近似为零，UDD主要
降在T1，输出高电平UOH≈UDD。T2导通2. 输入高电平UIH=UDD T1通、T2止，UDD主要降在T2，输出
低电平UOL≈0V。实现逻辑非功能： 两管特性对称，NMOS管的衬底接到电路的最低电位，PMOS管的衬底接到电路的
最高电位。衬底与漏源间的PN结始终处于反偏。 电源电压UDD＞UT1+|UT2|，UDD适用范围较大(3～18V)。
UT1：NMOS的开启电压; UT2：PMOS的开启电压。CMOS反相器AB段：由于UI=UGS1＜UT1，|U
GS2| ＞|UT2|，故T1截止，T2导通。输出高电平UOH≈UDD。CD段：UI=UGS1＞UT1，T1导通。UI＞UDD–|
UT2|，则|UGS2| ＜|UT2|，T2截止。输出低电平UOL≈0V。 电源电压UDD＞UT1+|UT2|，T1和
T2的参数对称，UT1=|UT2|。 UT1：NMOS的开启电压; UT2：PMOS的开启电压。BC段：由于UT1＜
UI＜UDD–|UT2|，所以UGS1 ＞UT1，|UGS2| ＞|UT2|，T1和T2同时导通。 T1和T2参数
完全对称的情况下，CMOS反相器的阈值电压等于电源电压的一半，获得较大的噪声容限。转折区的变化率很大，CMOS反相器更接近于理想开
关特性。CMOS反相器 在每个固定的UDD情况下，UNL和UNH始终相等。国产4000系列CMOS电路的测试结果表明，UNL=
UNH≥30%UDD。 随着电源电压UDD的增加，噪声容限也相应地变大。为了提高CMOS反相器的噪声容限，可以适当提高电源
电压UDD 。 CMOS反相器 CMOS反相器的输出电阻比TTL电路的输出电阻大，容性负载对前者传输延迟时间会产生
更大的影响。 CMOS反相器的输出电阻与UIH （ UIH≈UDD ）有关，因此CMOS反相器的传输延迟时间与UD
D有关。 根据CMOS反相器的互补对称性可知，当反相器接容性负载时，它的导通延迟时间tPHL和截止延迟时间tPLH
是相等的。CMOS反相器的平均传输延迟时间约为10ns。工作原理：1. C为低电平：T1、T2截止，传输门相当于开关断开。CL上电
压保持不变，传输门可以保存信息。2. C为高电平：T1、T2中至少有一只管子导通，使UO=UI，相当于开关闭合，传输门传输信息。结
论：传输门相当于一个理想的双向开关。其它类型的CMOS门电路 CMOS传输门与CMOS反相器一样，也是构成各种逻辑
电路的一种基本单元电路。 组成：T1是NMOS管，T2是PMOS管，开启电压分别为UT1、UT2，设UDD＞（UT1+|UT2|）
，T1和T2的参数对称。有一对互补的电压控制信号，CL为负载电容。信号特点：CMOS传输门的输出与输入端可以互换。一般输入电压变化
范围为0～UDD，控制电压为0或UDD。 逻辑符号门控信号 传输门的导通电阻为几百欧，截止电阻达50MΩ以上，平均延迟时间为
几十至一二百ns。 电路结构：逻辑符号：其它类型的CMOS门电路 控制模拟信号传输的电子开关。开关通与断由数字信号控制。工作
原理： 控制信号C = 1时：模拟开关闭合；C = 0时，模拟开关断开。传输控制信号高、低电平之间任意大小的模拟电压。 1.
CMOS与非门与非门电路结构：当A和B为高电平时：输出低电平当A和B有一个或一个以上低电平时：电路输出高电平结论：电路实现与非逻
辑功能。其它类型的CMOS门电路与非门工作原理： 每个输入端与一 对 NMOS和PMOS管的栅极相连。2. CMO
S或非门或非门电路结构：当A和B为低电平时：输出高电平当A和B有一个或一个以上高电平时：电路输出低电平结论：电路实现或非逻辑功能。
其它类型的CMOS门电路或非门工作原理： 当A和B为低电平时，T1和T2截止，T3和T4导通，输出高电平。
A和B有一个或一个以上为高电平时，与高电平相连的NMOS管导通、PMOS管截止，输出低电平。 每个输入端
与一 对 NMOS和PMOS管的栅极相连。3. CMOS异或门A=B=1：TG接通，C=B=1，反相器2的两只MOS管都截止，输出
F=0。? 输入A、B相同其它类型的CMOS门电路? 输入A、B不同A=1，B=0：TG通，F=1；A=0，B=1：TG断，F=1
。结论：电路实现异或逻辑功能。00110CMOS门电路的改进型 CMOS 4000系列IC虽然以其低功耗、高抗干扰
能力等独特的优点和完整的系列产品，受到用户的普遍欢迎，发展也相当迅速，但是它的工作速度低，应用范围受到一定限制。
在CMOS 4000系列IC基础上的改进型电路有高速CMOS和双极型CMOS电路，这两种改进型CMOS集成电路的出现是CMOS集成
电路最重要的突破，改进型的CMOS集合了CMOS和TTL的优点。CMOS门电路的改进型 CMOS 4000系列集成电
路于60年代开发，70年代逐步完善，由于受到当时工艺条件的限制，该系列用金属栅工艺制造，因此在MOS管各极之间存在着较大的寄生电容
，这些寄生电容的存在降低了MOS管的开关速度。 高速CMOS电路从工艺上作了改进：1. 采用硅栅工艺制造；2. 尽
可能地减小沟道的长度；3. 缩小MOS管的尺寸。使高速CMOS的寄生电容减小，高速CMOS的开关速度达到标准4000系列的8～10
倍。 高速CMOS有三种系列： HC系列：输入和输出都是CMOS电平，有输出缓冲级。 HCT系列：输
入是TTL电平，输出是CMOS电平，且有输出缓冲级。 HCU系列：输入和输出都是CMOS电平，无输出缓冲。
多数产品集中在前两个系列中，HCU系列的产品较少。CMOS门电路的改进型高速CMOS系列电路具有以下特点：1. 有简单门到大规
模集成电路的全系列产品；2. 器件功能、器件引脚与TTL 74系列相同；3. 电源电压和工作温度范围宽，功耗低，噪声容限高；4.
高速CMOS门的典型传输延迟为8～11.5ns，与TTL基本相同，比CMOS 4000系列提高一个数量级；5.相邻输入端之间电流耦
合小，有助于在交通或重工业噪声环境中使用。 CMOS门电路的改进型 Bi-CMOS电路特点：采用CMOS电路实现逻辑
功能，采用驱动能力强的TTL电路实现输出级。 Bi-CMOS性能特点：具有CMOS电路的低功耗，同时具有TTL输出电阻低、负
载能力强、传输延迟时间短等特点。 CMOS门电路的改进型1. Bi-CMOS非门 CMOS门电路的改进型组成：T1和T3是驱动管，
T5和T6是输出管，T2和T4分别是T5和T6基极的下拉负载管，形成有源负载。CL为负载电容。 输入高电平：T2、
T3和T6导通，T1、T4和T5截止，输出低电平。 输入低电平：T1、T4和T5导通，T2、T3和T6截止，输出高电
平。 输入与输出之间实现非逻辑。2. Bi-CMOS与非门 CMOS门电路的改进型A、B中有低电平：输出高电平。A、
B全为高电平：输出低电平。输入与输出之间实现与非逻辑。 3. Bi-CMOS或非门 CMOS门电路的改进型A、B全为低电平：则T1
和T4导通，且T7导通，使得T8导通、T9截止，输出高电平。A、B中有高电平：输出低电平。A、B全为低电平：输出高电平。输入与输出
之间实现或非逻辑。A、B中有高电平：A为高电平，则有T2、T3导通，T7截止，使得T8截止、T9导通，输出低电平。CMOS电路的特
点1. 静态功耗低：小规模约2.5～5μW；中规模约25～100μW。2. 集成度高、温度稳定性好。3. 抗辐射能力强：MOS管是
多数载流子受控导电器件，射线辐射对多数载流子浓度影响不大。4. 电源利用率高：逻辑摆幅约等于电源电压，使电源电压得到充分利用。5.
扇出系数大。6. 电源取值范围宽：国产CC74HC系列电源范围为3～18V，CC74C系列为7～15V。7. 易受静态干扰：由于
输入阻抗高，容易受静电感应，因此在使用和存放时应注意静电屏蔽，焊接时电烙铁应接地良好。 CMOS门电路不用的输入端不
能悬空。低速场合可将多余的输入端和有用的信号端并联使用。 CMOS门电路主要参数第七节 逻辑门的接口电路 TTL门驱动CMO
S门 系统设计的需要，将从速度、复杂性和功能等方面选择合适的系列芯片，或者从几种系列中选择性能最佳的芯片，组装起来。在不同
逻辑器件混合使用的系统中，常常碰到不同系列逻辑芯片的接口问题。 CMOS门驱动TTL门 门电路带负载的接口电路
有两个方面的接口问题需要考虑。1. 驱动门为负载门提供足够大的灌电流和拉电流。 驱动门与负载门电流之间的驱动应满
足： IOH(max)≥nIIH(max) ，IOL(max)≥mIIL(max)
（n和m是负载电流的个数）2. 驱动门的输出电压应在负载门所要求的输入电压范围内。 驱动门与负载门之间的逻辑电
平应满足： UOH(min)≥UIH(min)，UOL(max)≤UIL(max)。第七节 逻辑门的接口电
路 TTL门驱动CMOS门 TTL采用74LS系列，CMOS采用74HC系列，且电源电压相同都为5V。只有一个条件不满足，T
TL门电路输出高电平2.7V，CMOS电路的输入高电平要求高于3.5V。 接一上拉电阻Rx，使TTL门电路的输出高电平升高至电源电压，以实现与74HC电路的兼容。 TTL门驱动CMOS门CMOS电源UDD高于TTL电源UCC方案一：选用具有电平偏移功能的CMOS电路，该电路有两个电源输入端：UCC=5V、UDD=10V时，输入接收TTL电平1.5V/3.5V，输出CMOS电平9V/1V，满足CMOS电路对输入电压的要求。 方案二：采用TTL的OC门，将OC门T5管的外接电阻RL直接与CMOS电源UDD连接。 CMOS门驱动TTL门 4000系列CMOS电路驱动74系列TTL电路：CMOS门的驱动能力不满足TTL门的要求。为解决这个问题，有多种方法。 4000系列CMOS电路驱动74LS系列TTL电路：驱动一个TTL门时，可以直接相连。如果驱动门数增加，需要提高CMOS的驱动能力。 74HC系列、74HCT系列CMOS电路驱动TTL电路：无论负载门是74系列还是74LS系列，都可以直接相连，应计算驱动门的个数。CMOS门驱动TTL门 增加一级CMOS驱动器，如选择同相驱动器CC4010 。 采用漏极开路的CMOS驱动器，如CC40107 。 将CMOS门输出经分立元件驱动电路，实现电流的放大，再驱动TTL负载门。门电路带其它负载设LED的工作电流为ID、LED的正向压降为UD。 本章学习重点在TTL和CMOS集成电路的外部特性，主要有两个方面：一是输入与输出之间的逻辑功能；二是外部电气特性及其主要参数。 TTL电路输入级采用多发射极晶体管，输出级采用推拉式结构，工作速度快，负载能力强，是一种目前使用广泛的集成逻辑门。CMOS集成电路具有功耗低、扇出大、电源电压范围宽、抗干扰能力强、集成度高等一系列特点，在整个数字集成电路中占据主导地位。 在逻辑门电路的实际应用中，经常会碰到不同类型的门电路之间、门电路与负载之间的接口设计问题，正确分析和解决这些问题，是数字电路设计工作者应当掌握的。 小 结自我检测：2.4，2.8，2.11，2.12，2.13思考题： 2.4，2.7 习题： 2.2，2.7，2.12，2.20 ，2.22 ，2.27，2.30作 业 |
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