新成果展示：发光-探测双功能AlGaN基集成光电子器件模型的开发与应用原位集成的发光-探测双功能光电子器件中存在斯托克斯位移现象，这降低了发
射光谱和探测光谱的重叠率，从而抑制了集成光电子器件的光电耦合效应。近期天津赛米卡尔科技有限公司技术团队开发了发光-探测双功能物理模
型，同时提出并设计了具有非对称多量子阱结构的AlGaN基发光-探测双功能集成光电子器件：在发射区中采用极化自屏蔽的有源区结构，在探
测区中采用常规有源区结构。图1展示了LED与PD原位集成光电子器件结构示意图。图2（a）展示了器件的发射光谱和响应度光谱，极化自屏
蔽有源区设计可以提高LED发光谱和PD吸收谱的重合率，从而显著地提高了探测器的光电流强度，如图2（b）所示。图1. LED与PD
原位集成光电子器件的结构示意图：区域I和II分别为探测区和发射区图2. （a）LED发射光谱和探测器响应度，（b）探测器的光电流和
暗电流研究成果已被物理-光学领域权威期刊Optics Express收录，文章链接：https://doi.org/10.1364
/OE.558113。 |
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