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上图为典型的半桥自举驱动电路,由于寄生电感的存在,在高端MOS关闭后,低端MOS的体二极管钳位之前,寄生电感通过低端二极管进行续流,导致VS端产生负压,且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位,导致驱动电路异常,还可能让自举电容过充电导致驱动电路或者栅极损坏。如上图所示,在自举驱动芯片VS端与Q1的源极...
详解逆变H桥IGBT单管驱动+保护。详解逆变H桥IGBT单管驱动+保护转自《电力电子网》大家都知道,IGBT单管相当的脆弱,同样电流容量的IGBT单管,比同样电流容量的MOSFET脆弱多了,也就是说,在逆变H桥里头,MOSFET上去没有问题,但是IGBT上去,可能开机带载就炸了。这个要从IGBT的内部情况说起,简单来说,IGBT的GE上有一个寄生的电容,它和另外的...
由于大功率IGBT模块需要的瞬时驱动电流大,而常用IGBT驱动模块EX841、M57962等的驱动功率有限,至此, 选用了2SD31I-33。本文结合驱动模块2SD31I-33和光纤连接器HFBR1521/2521,给出了高压大功率逆变器中IGBT模块的驱动保护方法。光纤连接图如图3所示,PWM信号为DSP发出的控制信号,INA/INB送到驱动模块2SD31I-33的PWM接收脚INA和INB。图8和图9...
什么是双向IGBT.双向IGBT是业内根据常规IGBT在各种运用中存在的一些不足,提出了一种五层四段结构的新型双向IGBT功率半导体器件,其核心是以平面栅型IGBT为基础,通过对新器件采取对称机构和两路输入控制的方法,从而达到对新器件双向控制的目的。从双向IGBT的静态特性和动态特性,可以得出一个结论,即双向IGBT的电学特性在两个方向上都具有良...
三种IGBT驱动电路详解。本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大,以驱动IGBT,保证IGBT的可靠工作,驱动电路起着至关重要的作用,对IGBT驱动电路的基本要求如下:当 14脚和15脚无电流流过,则V1和V2导通,V2的导通使V4截止、V5导通,IGBT栅极电荷通过V5迅速放电,引脚3电位下降至0V,是 IGBT栅一 射间...
落木源电子。单管大功率IGBT模块驱动器,输出电流6A,输出电荷4uC,输出功率2.5W 三段式完善的过电流保护功能,先降栅压,再延迟判断,确实短路时实行软关断,并封锁短路信号以执行一个完整的保护过程 路保护各项参数均可灵活调节 IGBT短路时的集射极电压阈值的设定可用电阻精细调节 使用单一电源,驱动器内部设有负压分配器,减少了...
双刀双掷场效应管开关电路图。双刀双掷场效应管开关电路如下图所示,场效应管导通时,漏沟道电阻有几千MΩ。所以,场效应客可以构成比较理想的低频开关。场效应管的极间电容不利于高频信号的隔离,从而增大了响应时间,限制了最高工作频率。
耐压达650V的IGBT,单相光伏逆变器最佳选择。为了适应光伏系统发展模式的变化,本文针对单相光伏逆变器,介绍一款瑞萨公司推出的第八代IGBT单管RBN50H65T1FPQ-A0,并和竞争对手同规格的单管进行比较和测试,在保证光伏系统性能稳定的同时,可使系统获得更优越的性能。本文针对图1中的IGBT单管,重点介绍瑞萨公司推出的第八代IGBT单管RBN50H65T1...
测量IGBT好坏很简单,只需组装一个小电路,制作简,还可测量场管。
大规模用到IGBT的工业电源一般有开关电源、中高频IGBT逆变电源、不间断电源(UPS)、应急电源(EPS)等,这里我们以开关电源为例来看,开关电源主要有两种,分别为直流开关电源和交流开关电源。由于IGBT本身就具有驱动功率小、饱和压降低、节能等优点,所以内部采用IGBT的工业电源具有熔化速度快、节能、高次谐波污染低等优点,因此IGBT在工业...
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