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什么是 Cu clip 封装 失效分析 赵工 半导体工程师 2024.失效分析 赵工 半导体工程师 2024-04-01 09:03 北京功率芯片通过封装实现与外部电路的连接，其性能的发挥则依赖着封装的支持，在大功率场合下通常功率芯片会被封装为功率模块进行使用。● Source pad为Clip 方式, Gate为Wire方式，此键合方式较全铜片的稍便宜，节省晶圆面积（适用于Gate... 阅2 转0 评0 公众公开 24-04-01 12:55 |
如果在增加鳍片高度或堆叠 GAA 器件的数量的同时可以积极地缩放器件间距，FinFET 和横向 GAA 器件可以在单位面积上实现更高的驱动（通过在三维中启用驱动）。由于器件相互堆叠，器件之间的间距需要保持较小，以减少源极/漏极和栅极之间的寄生电容，同时仍为栅极电介质和 Vt 调节功函数金属沉积留出足够的空间。集成器件堆叠器件（例如 N 上的 P... 阅24 转0 评0 公众公开 23-05-05 17:46 |
罗姆和英飞凌是率先转向沟槽MOSFET的公司，电装的SiC沟槽MOSFET也已正式商用。罗姆：双沟槽结构的SiC MOSFET.Qorvo的SiC FET采用了高密度沟槽 SiC JFET 结构，SiC MOSFET中的沟道电阻Rchannel被SiC FET中低压硅MOSFET 的电阻所取代，后者的反转层电子迁移率要好得多，实现了超低单位面积导通电阻，因此损耗也更低。从各厂商的动作来看，SiC MOS... 阅22 转1 评0 公众公开 23-04-23 20:37 |
Prime wafers - "Prime" refers to the highest possible grade of a silicon wafer, however there are a variety of "prime" wafers.Test wafers are often wafers failed one or more specifications in the attempt to make prime wafers.Coin-roll wafers - Wafers that fail spec for any reason at all different s... 阅68 转0 评0 公众公开 23-03-29 23:09 |
芯片前道制造工艺包括氧化扩 散、薄膜沉积、涂胶显影、光刻、离子注入、刻蚀、清洗、检测等，薄膜沉积是其中的核心工艺之一，作用是在晶 圆表面通过物理/化学方法交替堆叠 SiO2、SiN 等绝缘介质薄膜和 Al、Cu 等金属导电膜等，在这些薄膜上可以进行 掩膜版图形转移（光刻）、刻蚀等工艺，最终形成各层电路结构。3）金属及金属化合物薄膜：金属... 阅66 转0 评0 公众公开 23-01-09 19:10 |
UL 94火焰分类UL 94，用于设备和器具部件的塑料材料可燃性安全标准测试在塑料材料上进行了两种类型的预选测试程序 ，以测量可燃性。UL 94-5VB表面烧伤;在60秒内停止燃烧，试样可能有烧穿现象（可能有孔） UL 94 V-0垂直燃烧燃烧在10秒内停止，不允许燃烧滴落 UL 94 V-1垂直燃烧燃烧在60秒内停止，不允许燃烧滴落 UL 94 V-2垂直燃烧燃烧在60秒... 阅32 转2 评0 公众公开 22-11-27 13:28 |
该步骤称为垂直堆叠双源/漏极工艺（vertically stacked dual source/drain process），在顶部纳米带（未来的 NMOS 器件）的两端生长掺磷硅（ phosphorous-doped silicon），同时在底部纳米带（未来的 PMOS 器件）上选择性地生长掺硼硅锗（boron-doped silicon germanium）。通过在 PMOS 晶体管上堆叠 NMOS，3D 堆叠有效地将每平方毫米的 CMOS ... 阅18 转1 评0 公众公开 22-08-12 10:04 |
这个新节点称为 Intel 4。由于Intel 4 的范围有限，并且其快速跟进的成熟Intel 3 节点具有全节点密度/PPA 特性，我们认为最好将Intel 4 视为临时权宜之计节点。Intel 4（连同其增强版 Intel 3）是 Intel 最后一个基于 FinFET 的节点。尽管如此，我们认为英intel 4 是一个权宜之计节点——一个最小可行的产品，是通往intel 3 的中间节点，这预计... 阅10 转0 评0 公众公开 22-06-22 09:00 |
巨头们纷纷展示NAND Flash路线图_2022.下表比较了 NAND 制造商的 3D NAND 分层状态、历史和计划： 制造开始日期是近似的WD 会说，层数稍高（例如 238（SK hynix）、232 vs 212）并没有固有的优势，因为它在横向、宽度和长度上缩小了单元尺寸，并增加了芯片高度通过添加图层。Solidigm、西部数据和美光的 NAND 路线图证明了 NAND 和 SSD 市场的... 阅69 转0 评0 公众公开 22-05-16 13:49 |
