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属性n”，根据上面给出的.prm的范例文件可以看出来，可能的形式有“DATA_FAR”、“DATA_NEAR”、“IBCC_FAR”、“IBCC_NEAR”四种类型。同理“IBCC_FAR”和“IBCC_NEAR”相对应，当内存区域包含代码时（Flash和EEPROM），必须指明上面两种属性中的一种，“IBCC_FAR”属性指定的内存块为可以保存代码的非固定页，而“IBCC_NEAR”属性指定的内存... 阅65 转2 评0 公众公开 18-05-14 11:29 |
MC9S12HY64局部地址、全局地址与逻辑地址的理解 一直以来被S12HY64的局部地址与全局地址的对应关系所困扰，今天通过看Datasheet貌似有了进一步的理解，记录下来以备参考，当然这些理解也不一定都对。为了不至于将局部地址、全局地址、逻辑地址的概念相混淆，可以这样理解：局部地址是寻址寄存器可以访问的地址（受总线位数限制），但是通过Pa... 阅155 转2 评0 公众公开 18-05-13 21:48 |
飞思卡尔 HCS12（X）系列 MCU 的 Prm 文件中的逻辑地址和全局地址的转换由于在我的项目中，需要实现对 HCS12单片机的 FLASH进行擦写，所以难免会遇到对全局地址的操作，因为对 FLASH的擦写操作是必须使用全局地址的。PAGE_0C后面的起始地址是 0x0C8000，这里的 8000是分页窗口逻辑地址范围内的起始地址，0C就是页号，按照图 2进行理解，全局地... 阅294 转1 评0 公众公开 17-11-06 15:57 |
