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宽禁带半导体SiC和GaN材料研究。SiC 的纤锌矿结构为α-SiC，SiC 的立方闪锌矿结构为β-SiC，根据晶体堆叠的不同呈现出多型结构，其中β-SiC（3C-SiC）和α-SiC（2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC）比较具有代表性，对于不同的晶体结构，其禁带宽度也有所差异，如图1 所示。图7 衬底材料的晶格失配和热失配关系1. SiC 衬底上GaN 基异质结构的外... 阅1 转自芯片失效... 公众公开 23-09-22 07:11 |
修改：功率器件必读：SiC材料、工艺及功率器件简介 | 求是缘半导体。采用SiC材料制造出的各种类型的MOS器件在耐压指标、温度指标上都达到了硅MOS器件无法达到的水平，是非常重要的功率器件类型。对于硅器件来说，欧姆接触不是什么问题，但对于碳化硅器件却是大问题，因为碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，这使所有金属与碳化硅形成的肖特基势垒高度... 阅1 转自leafcho 公众公开 23-09-22 07:11 |
碳化硅(SiC)：经历46亿年时光之旅的半导体材料。为了顺应这个趋势，SiC在汽车应用中也会变化，比如OBC在2017年之前是以SiC SBD为主，2017年后SiC SBD＋SiC MOS已经成熟；无线充电，SiC SBD＋SiC MOS正在研发中；将SiC逆变器用于电动汽车带来的经济收益显而易见，通过SiC可提高逆变器效率3%-5%，降低电池成本/容量，并且SiC MOS有很大机会率先引... 阅1 转自wzawxt 公众公开 23-09-22 07:10 |
瀚天天成电子科技（厦门）有限公司成立于2011年3月，是一家集研发、生产、销售碳化硅外延晶片的中美合资高新技术企业，已形成3英寸、4英寸以及6英寸的完整碳化硅半导体外延晶片生产线，并满足600V、1200V、1700V器件制作的需求。作为国内唯一一家碳化硅研发生产和平台服务型公司，泰科天润核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表，其中600V/5A～50... 阅1 转自嘟嘟j5wgl... 公众公开 23-09-22 07:09 |
【最新深度】碳化硅（SiC）：新一代半导体材料，打开新能源车百亿市场空间碳化硅：前途光明的第三代半导体材料。3.5射频领域在射频器件方面，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备了碳化硅的高导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，突破了砷化镓和硅基LDMOS器件的固有缺陷，能够满足5G通讯对高频性能和高功率处理能力的要求，碳... 阅1 转自新用户462... 公众公开 23-09-22 07:08 |
在宽禁带半导体材料领域就技术成熟度而言，碳化硅是这族材料中最高的，是宽禁带半导体的核心。GaN材料具有良好的电学特性，宽带隙(3.39eV)、高击穿电压(3×106V/cm)、高电子迁移率(室温1000cm2/V·s)、高异质结面电荷密度(1×1013cm-2)等，因而被认为是研究短波长光电子器件以及高温高频大功率器件的最优选材料，相对于硅、砷化镓... 阅1 转自h2reg 公众公开 23-09-22 07:07 |
干扰(噪声)一般通过耦合的方式对系统进行影响，常见的耦合机制有4种，分别是传导耦合、电容耦合、电感(感应)耦合以及辐射耦合。电容耦合出现在两个邻近导体存在变化的电场时，干扰电流通过导体间的耦合电容流入受干扰电路。在差分传输应用中，双绞线不仅可以降低自身对外界的干扰，同时可以消除与外界干扰源的电容耦合和感应耦合，具有一石二鸟... 阅1 转自长庆wcqjs 公众公开 22-01-28 09:55 |
具有良好的电磁兼容性的DSP电路板布线方法具有良好的电磁兼容性的DSP电路板布线方法 发布时间： 2019-02-12 22:24:46 来源： 查看21IC中国电子网中国电子工程师的首选网站。随着高速DSP技术的广泛应用，相应的高速DSP的PCB设计就显得十分重要。良好的电路板布线在电磁兼容性中是一个非常重要的因素，一个拙劣的电路板布线和设计会产生很多电... 阅1 转自西北望msm... 公众公开 22-01-28 09:54 |
原文来自国海证券《湿化学品与电特气体行业细分领域整合开启半导体材料进口替代新征程——半导体材料化学品系列报告三 》2017年至2020年，我国预计新增12寸晶圆制造厂达13条，达产后将新增12寸晶圆制造产能90.5万片/月，晶圆制造产能向国内转移将扩大包括湿电子化学品和电子特种气体等上游材料需求。①电子特种气体在半导体整个制程应用中成本... 阅1 转自leafcho 公众公开 22-01-11 17:47 |
