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微波功率器件及其材料的发展和应用前景文 剑 曾健平 晏 敏(湖南大学应用物理系，长沙410082) 0 概述由Ge、Si、Ⅲ-V化合物半导体等材料制成的，工作在微波波段的二极管、晶体管称为微波器件。与小功率微波HBT器件相比，微波功率器件的发射结大小的特性并不是最重要的。3 HEMT功率微波器件的特性及设计HEMT被公认为微波／毫米波器件和电路... 阅1330 转33 评0 公众公开 15-05-24 20:38 |
TI：GaN（氮化镓）将推动电源解决方案的进步。GaN器件使用的是一种适合于现有硅制造流程的硅上氮化镓(GaN-on-Si)工艺。如果尺寸更为小巧的GaN器件能够实现同样的电流功能，那么最终GaN晶体管就会和硅材料晶体管具有同样性价比。GaN在电源链中的位置。可高速开闭GaN开关的集成型硅基GaN驱动器已经推动着采用GaN的SMPS设计向前发展。通过与快速、... 阅1122 转19 评0 公众公开 15-05-24 18:41 |
冷静对待GaN工艺技术，无线基础设施应用须谨慎。Wilson指出：“尽管GaN可能会实现超级性能，但这也不能为之增添多少砝码。在移动无线基础设施领域，GaN和Si LDMOS在价格和性能上始终都是势均力敌。GaN可能在今后几年会在移动基础设施所需的RF功率放大器的市场上攻下一些地盘，但绝不可能只手遮天。”而且，在GaN市场上凑热闹的人太多了，将来至... 阅107 转2 评0 公众公开 15-05-24 11:25 |
半导体产业诞生于上世纪70年代，当时主要受两大因素驱动：一是为计算机行业提供更符合成本效益的存储器;二是为满足企业开发具备特定功能的新产品而快速生产的专用集成电路。存储器件每3年更新一次半导体技术，并随即被逻辑器件制造商采用。新器件结构，如多栅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)和超薄全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)将出现，一... 阅17 转自谈天说地1... 公众公开 15-05-23 23:21 |
传统的DPA包括载波功率放大器和峰值功率放大器，载波功放工作于B类或AB类，峰值功放工作于C类。在载波功放后面的1/4波长传输线起阻抗变换作用，同时也使两路功放产生了90°相差，为了使两路功放输出同相，就需要在峰值功放前补充90°相移。假设载波功放和峰值功放是等功率输入，则载波功放的输出阻抗Z1由2R逐渐减小，从而能输出更大的... 阅87 转3 评0 公众公开 15-05-17 23:29 |
LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比，能在较高的反射功率下运行而没有破坏LDMOS设备；我们的第五代 LDMOS 采用专利的四层金属堆栈来进一步提升可靠度与平均无故障时间 (MTTF)，而宽厚的 AlCu 金属化方式也比传统的 LDMOS 在相同 MTTF 下高了 25°C 的接点温度运作，如果使用于 160°C 的标准晶体管接点温度上，这项技术比传统 W... 阅1450 转10 评0 公众公开 15-05-17 21:44 |
