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| 共 467 篇文章 |
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EL测试常见缺陷分析。通过对EL测试图像分析可以及时清晰的发现晶硅电池及组件内部存在的隐性缺陷，这些缺陷包括硅材料缺陷（位错、层错、参杂异常）、扩散缺陷（方阻不均匀）、印刷缺陷（断栅、虚印）、烧结缺陷（履带印）、工艺污染以及组件封装过程中的隐形裂纹等。此种材料缺陷势必导致晶硅电池的缺陷部分少子寿命小，从而导致电池片中有此... 阅728 转13 评0 公众公开 18-03-07 20:47 |
干货 | 光伏组件可靠性与银浆相关和无关的因素。组件失效与其构成材料受到的内外界的复合应力刺激有关，主要包括外界环境应力如温度，湿度，机械载荷，酸碱腐蚀和光照辐射等，及组件内部材料如封装材料（如EVA，背板Backsheet，边框），接线盒，电池片，电路连接及焊带的抗腐蚀性和老化等因素影响。其中封装材料的抗湿热效应、密封质量，对组件... 阅735 转14 评0 公众公开 17-06-04 09:41 |
地位渐凸显，金属化工艺技术路向何方？由亚化咨询主办的第三届PERC太阳电池技术与市场研讨会2017将于6月6-7日在江苏常州召开。如需参加会议，请联系亚化咨询。陈小姐 13701609248 joanna.c@chemweekly.com.孔小姐 13918486381 emma.k@chemweekly.com.朱小姐 13918257168 rita@chemweekly.com.蒋小姐 13764589226 claire@chemweekly.com. 阅92 转4 评0 公众公开 17-05-30 10:35 |
多晶硅太阳电池效率提升途径研究。中国科学院微电子研究所太阳电池及系统应用研究中心主任 贾锐。根据马丁科林教授提供数据，到目前为止多晶硅电池的世界冠军效率是21.3%。2017年2月份，德国研究所发表了一个21.9%多晶硅太阳电池效率数据。21.9%的N型多晶硅太阳电池，诸多技术与单晶硅是池技术兼容，可以非常简单、有效的提升效率。 阅98 转7 评0 公众公开 17-05-15 19:45 |
湿法黑硅多晶太阳能电池研究及工业化生产评论。湿法黑硅（MCCE）技术利用AgNO3中的Ag/Ag 系统能量远低于硅的价带，使Ag 得到硅的价带电子，利用H2O2/HF腐蚀过程在Ag周围加速与硅反应，使得腐蚀系统能在硅片表面腐蚀出纳米级绒面。干法黑硅（RIE）技术利用微波将SF6、O2、Cl2三种气体等离子化，在电场加速下对硅片表面进行轰击，同时发生化学反... 阅101 转5 评0 公众公开 17-05-15 19:44 |
丝网开口率：丝网开口率亦称丝网通孔率、有效筛滤面积，网孔面积百分率等，即单位面积的丝网内，网孔面积所占的百分率。1.无网结网版与常规网版对电池电性能参数对比，如表一所示：通过网版印刷电性能参数，线型，高宽对比，发现无网结网版明显优于常规网版，不改变网版使用条件，实现了30um以下线宽印刷，印刷后线条平整度及线型更好，通过高... 阅3280 转33 评0 公众公开 17-05-10 09:02 |
从IBC,HJT到PERC，未来的高效电池技术如何叠加？...从低压扩散，二次印刷到MBB，黑硅，金刚线； 阅144 转8 评0 公众公开 17-05-06 11:54 |
