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这倒好，电路没学到，反而要去写电路仿真程序。恰好在九十年代中期，一种标准的设计语言VHDL开始向模拟电路扩展，这就是VHDL-AMS（VHDL的模拟电路及数模混合电路描述语言）。“它是新一代高速高精度并行晶体管级电路仿真工具，能够在保持高精度的前提下突破目前验证大规模电路所遇到的容量、速度瓶颈。Aeolus-AS能够处理上千万个元器件规模的设... 阅821 转5 评0 公众公开 18-08-16 13:27 |
【请问MOS管的有源导通区是不是就是常说的非饱和区,而线性导通区就是指饱和区?】作业帮答：你看这张图片,你就知道了,和你的理解刚好相反.有源导通区应该指饱和区,而线性导通区是非饱和区. 阅305 转0 评0 公众公开 18-08-08 13:01 |
电路大师课系列-模拟集成电路设计第一讲:绪论与线性时不变系统 https://zhuanlan.zhihu.com/p/26387677.模拟系统是指系统中的信号量在一定范围内连续可变的系统（与之相反，数字系统中信号只能取离散的0或者1）。第五，模拟电路相比数字电路更难建模和仿真。数字电路只需要使用布尔逻辑和延时两个参数即可完成建模，而模拟电路建模需要的参数（... 阅71 转1 评0 公众公开 18-08-08 10:39 |
Tutorials for the Use of EDA Tools at YZUTutorials for the Use of EDA Tools atYZU-CSE元智大學資訊工程學系 EDA 軟體使用教學 Full-Custom ASIC Design Flow.Tools Used.Circuit Simulation with Synopsys HSpice, andWaveform Viewing with Synopsys CosmosScope.HSpice,CosmosScope.Calibre, HSpice.References for HSpice.HSpice, Cosm... 阅30 转0 评0 公众公开 18-08-08 10:30 |
极点的产生就是由于引入电容与电阻的并联，产生极点的频率就是1/RC.这个与反馈无关，虽然反馈可以产生极点，但是，并不是所有的极点都是反馈产生的．极点对OP的增益是以－２０db/dec减小，相移是增加９０度．环路是否震荡，直接原因是环路的相位裕度是否>0．大于则系统稳定，小于０则系统震荡我也同意：极点决定的是系统的自然响应频率，通... 阅1 转自goandlove 公众公开 18-08-08 10:16 |
二极管的伏安特性曲线图解。在二极管两端加电压U，然后测出流过二极管的电流I，电压与电流之间的关系i=f(u)即是二极管的伏安特性曲线，如图1所示。死区电压与二极管的材料有关。一般硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压为0.1V左右。特性曲线1的左半部分称为反向特性，由图可见，当二极管加反向电压，反向电流很小，而且反向电流... 阅29985 转48 评0 公众公开 18-08-08 10:16 |
基准建立后，基准电压与输入电压无关。系统刚上电，基准启动模块通过信号线对电容C1充电，直到C1上的电压使M15和M16导通，基准模块的电流偏置建立起来;从而使运放工作，基准开始启动，当基准电压达到一定值(一般为O.9 V左右)，启动模块被关闭，没有电流从启动模块输出，此时电容C1作为频率补偿电容;所以经过一段时间(25μs左右)，这个闭合回路... 阅78 转0 评0 公众公开 18-08-08 10:15 |
CMOS集成电路设计中电阻设计方法的研究 电阻在集成电路中有极其重要的作用。讨论了集成电路设计中多晶硅条电阻、MOS管电阻和电容电阻等3种电阻器的实现方法，论述了他们各自的优点、缺点及其不同的作用；3电容电阻。可以看出，电容电阻比多晶硅电阻的面积少了很多。对于电容电阻器，由于其电阻值与电容大小成反比，因此有效的RC时间常数就与... 阅534 转7 评0 公众公开 18-08-08 10:10 |
如果M4直接连接到R比 V(R)=(Vsupply-Vth(M4)). V（R）随 Vsupply。I2 随 Vsupply. 我们要的是恒定电流独立从 Vsupply. 要做到这一点，我们使用M2隔离二极管连接M4 从 R的，因此，我们可以设置电压在 V(R)=Vth(M1).Since gate of M1 is high impedance and can not enforce a voltage on R. V(R) is solely controlled by V (R) = VDD-V (SG4 )... 阅99 转0 评0 公众公开 18-08-08 10:08 |
