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若UGS＝0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管，UGS＝0 时，漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。当UDS较大时，由于电阻沿沟道递增，使UDS沿沟道的电位从漏端到源端递降，所以沿沟道的各点上，栅极与沟道间的电位差沿沟道从d至s极递增，导致垂直于P型硅表面的电场强度从d至s极也递增，从而形成沟道宽度不均匀，漏端最窄，源端最宽... 阅2 转自福龙云天 公众公开 19-01-14 21:19 |
如何用万用表测试结型场效应管的放大能力。当调整电位器RP阻值增加时（图中为滑动触点向上滑），万用表指示电压值应增大；减小RP阻值，万用表指示电压值应减小。在调节RP 的过程中，万用表指示的电压值变化越大，说明管子的放大能力越强。如果在调节RP过程中，万用表电压指示无变化，说明管子放大能力很小或已经丧失放大能力。 阅2 转自福龙云天 公众公开 19-01-14 21:17 |
阅1 转自福龙云天 公众公开 19-01-14 21:16 |
三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区... 阅73 转0 评0 公众公开 19-01-14 16:57 |
6：栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。雪崩失效分析（电压失效）到底什么是雪崩失效呢，简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式。SOA失效（电流失效）再简单说下第二点，SOA失效SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同... 阅60 转1 评0 公众公开 18-05-08 14:43 |
详解MOSFET与IGBT的本质区别。Eon1是没有包括与硬开关二极管恢复损耗相关能耗的功率损耗;Eon2则包括了与二极管恢复相关的硬开关导通能耗，可通过恢复与IGBT组合封装的二极管相同的二极管来测量，典型的Eon2测试电路如图2所示。在硬开关电路中，如全桥和半桥拓扑中，与IGBT组合封装的是快恢复管或MOSFET体二极管，当对应的开关管导通时二极管有... 阅36 转2 评0 公众公开 18-04-23 16:15 |
导电机理与小功率mos管相同，但 结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高，耐压800... 阅59 转1 评0 公众公开 18-04-23 16:15 |
详解MOS管发热的原因。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中， MOS管的开关速度应该比三极管快。这就是MOS管做开关器件的原理。我们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON) 也是最重要的器件... 阅84 转0 评0 公众公开 18-04-13 15:07 |
（2）STI槽刻蚀：Si3N4的刻蚀菜单刻蚀硅速率过快，不好控制，需要分开刻蚀；STI填充：HDP高密度等离子淀积STI槽，用其他机器填充会提前将STI槽封死，里面会出现空洞，HDP机台是一遍淀积，一遍刻蚀，可以防止提前封口；（3）POLY光刻、刻蚀：光刻Gate，并刻蚀POLY，然后去胶；（3）Si3N4 spacer的刻蚀：氮化硅淀积及刻蚀。IMD淀积, CMP及Via光刻... 阅20133 转106 评0 公众公开 18-03-08 08:16 |
场效应管的测量方法图解。下面是对场效应管的测量方法场效应管英文缩写为FET。当然.对然P沟道的测量步骤也一样...只不过第一步为黑表笔测S极.红表笔测D极..可以测得500多的数值... 阅50 转1 评0 公众公开 17-12-18 15:33 |
