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简称时序电路，它是由最基本的逻辑门电路加上反馈逻辑回路（输出到输入）或器件组合而成的电路，与组合电路最本质的区别在于时序电路具有记忆功能。按集成电路的集成度进行分类，可分为小规模集成数字电路(SSI)、中规模集成数字电路(MSI)、大规模集成数字电路(LSI)和超大规模集成数字电路(VLSI)。数字电路主要研究对象是电路的输出与输入之间的... 阅53 转1 评0 公众公开 16-06-20 17:06 |
当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS (off)。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS>VGS (th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。场效应管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道的不同以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型... 阅4009 转29 评0 公众公开 16-06-11 01:29 |
n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。采用JFET设计放大器电路中，VGS 与ID 的关系即传输特性是最重要的，其次将就传输特性以怎样方式表示加以说明。图5表示式(10.4.1)、式(10.4.2)及实际的JFET的正规化传输... 阅78 转1 评0 公众公开 16-06-11 01:28 |
场效应管工作原理。当有一个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。2、VMOS场效应管 VMOS... 阅61 转3 评0 公众公开 16-06-11 01:27 |
当栅极加有电压时，若0＜Vgs＜Vgs(th)时（VGS(th) 称为开启电压），通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。VDS=VDG＋VGS= —VGD＋VGSVGD=VGS—VDS.当VDS增加到 VGD当VGS＞VGS(th)，且固定为某一值时，VDS对ID的影响，即iD=f(vDS)|VGS=const这一关系曲线如图02.16所示。由不等... 阅2012 转19 评0 公众公开 16-06-11 01:27 |
三极管工作原理？按晶体管公共电极的不同选择，晶体管放大电路有三种：共基极电路 ( Common base circuit)、共射极电路(Common emitter circuit) 和 共集极电路(Common collector circuit)，如下图示。简单来说，晶体管的放大原理是把微弱的电信号 (微弱的电压信号 Vi) 加在基极上，使基极电流按电信号变化，通过晶体管的电流控制作用，就可以... 阅226 转0 评0 公众公开 16-06-11 01:24 |
三极管开关原理与场效应管开关原理。当BJT的发射结和集电结均为反向偏置(VBE当发射结和集电结均为正向偏置(VBE>0，VBC>0)时，调节RB，使IB=VCC / RC，则BJT工作在上图中的C点，集电极电流iC已接近于最大值VCC / RC，由于iC受到RC的限制，它已不可能像放大区那样随着iB的增加而成比例地增加了，此时集电极电流达到饱和，对应的基极电流称... 阅33 转2 评0 公众公开 16-06-11 01:23 |
综上所述，在晶体三极管中很小的基极电流可以导致很大的集电极电流，这就是三极管的电流放大作用。图 2-20 三极管放大原理参考示意图 ⑤ 如图 2.20 （ e ）所示：当对发射结施加电压在 1V 或者 1V 以上时，相当于闸门已完全打开的状态时，水龙头底部所有的水已经可以通过水嘴流出来了，此时， ec 之间的电阻值也下降为“ 0 ”，或者说很小，可... 阅32 转3 评0 公众公开 16-06-11 01:23 |
2、电子在基区中的扩散与复合从发射区扩散到基区的电子到达基区后，由于基区靠发射区的一侧电子浓度较大，靠集电区一侧电子浓度较小.所以电子继续向集电区扩散。此外，半导体三极管工作时，集电结为反向连接，在反向电场作用下，基区与集电区之间少数载流子的漂移运动加强c因基区载流子很少.电子更少，故漂移运动主要是集电区的空穴流向基区。... 阅193 转1 评0 公众公开 16-06-11 01:22 |
