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降噪是关键,详解噪声来源及降噪方法。选择使用低噪声LDO和采取步骤减少内部噪声,都可以在不损害系统性能的同时形成净化电源轨的不可分割的措施。(应用报告,“如何测量LDO噪声,”介绍了丰富的噪声测量知识。) 图 2 绘制了1A低噪声LDO TPS7A91的输出噪声。分析跨越整个频谱的输出噪声,能帮助我们确定感兴趣噪声范围的噪声曲线。除选择低噪声...
对于采用 LDO 供电的射频频综来说,通常用 LDO 的指定频率偏移的频谱噪声密度Sldo(f)(Noise Spectrum Density)来表征电源噪声,由于它是一个 RMS 电压值,所以式(4)可以表示为。由式(8)可见,对于给定的 VCO,由于Kpush 是一个确定的值,因此由 LDO 噪声引起的 VCO 输出相噪是由 LDO 的噪声频谱密度(Noise Spectrum Density)决定的。...
对输出噪声有什么影响?LDO的噪声来源是什么?其中,电源引入的低频噪声往往对锁相环的近端相噪有着很大的影响。对于高性能的时钟和射频频综产品,为了获得极低的相噪性能,往往采用低噪声的 LDO 供电。然而,采用不同的 LDO 给频综供电,取得的相噪性能往往会有很大差别,同时,LDO 外围电路设计也会影响到频综的相噪性能。
1、LDO 噪声来源及环路稳定性对输出噪声影响。LDO 的噪声分为 LDO 内部的噪声和 LDO 外部的噪声。噪声源包括带隙基准源产生的噪声VN (REF) ,误差放大器产生的噪声VN (AMP) ,FET 产生的噪声VN (FET) 以及反馈电阻产生的噪声VN ( R1) 和VN ( R2) 。而且带隙基准源是误差放大器的输入,它所产生的噪声也会经由误差放大器放大来控制 FET,所以误...
2.ST集成磁力计和加速计的传感器模块LSM303DLH  2.1 磁力计工作原理  在LSM303DLH中磁力计采用各向异性磁致电阻(Anisotropic Magneto-Resistance)材料来检测空间中磁感应强度的大小。图8 LSM303DLH置位/复位电路  置位/复位电路给LSM303DLH带来很多优点:  1) 即使遇到外界强磁场的干扰,在干扰消失后LSM303DLH也能恢复正常工作...
USB Composite Device,USB组合设备。USB Composite Device,USB组合设备 科普下USB复合设备和USB组合设备的区别。很多人认为一个USB接口上实现多个设备,就是指复合设备,其实,这是不确切的,虽然USB Compound Device和USB Composite Device都会被百度翻译为USB复合设备。STM32F103实现的USB转多路串口,属于USB Comp...
USB Composite Device,USB组合设备。USB Composite Device,USB组合设备 科普下USB复合设备和USB组合设备的区别。很多人认为一个USB接口上实现多个设备,就是指复合设备,其实,这是不确切的,虽然USB Compound Device和USB Composite Device都会被百度翻译为USB复合设备。STM32F103实现的USB转多路串口,属于USB Comp...
池和镍-镉电池的可充电电池。b. 高电压 一个锂离子电池单体的工作电压为3.7V(平均值),相当于三个串联的镍镉或镍氢电池循环寿命高 c. 循环寿命高 在正常条件下,锂离子电池的充放电周期可超过500次,磷酸亚铁锂(以下称磷铁)则可以达到2000次。1. 高电压恒定电流模式: 一般...
BC1.2快充协议介绍。首先将PD-拉高至0.6V,然后检测PD+的电压,如果小于规定的参考电压则端口是CDP;如果大于规定的参考电压说明端口是DCP。下图是CDP端口的识别过程,经过首次检测后,进入二次检测阶段,首先将PD-拉高,然后判断PD+的电压小于参考电压0.4V,说明端口是CDP端口。下图是高通High Voltage DCP协议识别过程,可以看出首次检测和二...
手机充电协议BC1.2.##BC1.2协议要介绍手机的充电必须要说明BC1.2协议。CDP(Charging Downstream Port)充电下行端口这种端口既支持大电流充电,也支持完全兼容USB 2.0的数据传输。DCP(Dedicated Charging Port)检测充电端口该端口不支持数据传输,能够提供1.5A以上的电流。这种类型的端口支持较高充电能力的充电器和车载充电器,无需枚举。
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