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| 共 2 篇文章 |
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SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别。SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，由于漂移层电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。SiC及Si MOSFET的Id相对Vd（Vds）呈线性增加，但由于IGBT有上升电压，因此在低电流范围MOSFET元器件的Vds更低（对于IGBT来说是集电极电流、集电极-发射极间电压）。另外，... 阅176 转7 评0 公众公开 22-07-19 08:32 |
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨。驱动电压Vgs和栅极电压阈值Vgs(th)关系到SiC MOSFET在应用过程中的可靠性，功率损耗(导通电阻)，以及驱动电路的兼容性等。虽然驱动电压Vgs为0V时已经可以关断SiC MOSFET，但是由于dv/dt引起的ΔVgs，可能会导致SiC MOSFET误导通，导致设备损坏，故而不推荐使用。本文主要针对驱动电压V... 阅212 转3 评0 公众公开 22-05-31 21:11 |
