| 共 103 篇文章 |
|
只要了解高速电路的工程师都知道，差分线有紧耦合和松耦合之分，很多工程师在此都会纠结。如果内层采用紧耦合，信号会从紧耦合瞬变成松耦合，这会引起阻抗不连续。通常，PCB布线分为微带线和带状线。很多资料都在讨论高速信号到底是使用微带线还是带状线，个人认为，布线在哪一层都是可以的，根据需要，如果布线长度较长，那么建议布线在内层（... 阅508 转4 评0 公众公开 20-05-21 19:03 |
差分对紧耦合真的比松耦合好吗？在高速电路的设计中，往往对传输线的阻抗有明确的要求，比如要求为100ohm，对于差分对而言，影响阻抗的因素很多，包括传输线的线宽、线间距、材料的介电常数、传输线到参考层的距离、传输线导体的厚度，下图是ADSCILD的计算阻抗的示意图，红色圈圈出来的参数都会影响到阻抗：理论上来讲，为了保证阻抗一致性，在... 阅60 转0 评0 公众公开 20-03-25 11:52 |
M-Blocks 2.0：“骰子”机器人不仅可以旋转、跳跃、搭梯子，还可与同伴交流！Rus说，“M代表运动、磁力和魔力。运动是因为立方体可以通过跳跃来移动；磁力是因为这些立方体可以使用磁体连接到其他立方体，一旦连接，它们就可以成为组装体一起移动；魔力是因为我们看不到任何活动的部件，而立方体似乎是由魔术驱动的。”内部的机制虽然非常复杂... 阅56 转0 评0 公众公开 19-11-16 16:59 |
PCIE4.0 开放日深圳站召集令和北京｜台北 问答和回顾。A：为了克服链路损耗，PCIe4.0的发端采用了和PCIe3.0类似的11种Preset做信号的预加重，同时在接收端采用CTLE+2阶DFE（PCIe3.0只有1阶）的方式做信号的链路补偿，同时由于链路的裕量可能非常小，所以需要在上电阶段收发端做动态的链路协商以把发端的预加重和接收端的均衡系数优化到最佳的值... 阅231 转3 评0 公众公开 19-11-13 08:20 |
显然，只有UGS﹥UT时才有沟道，而且UGS越大，沟道越厚，沟道的导通电阻越小，导电能力越强。漏极电流由漏区流向源区，因为沟道有一定的电阻，所以沿着沟道产生电压降，使沟道各点的电位沿沟道由漏区到源区逐渐减小，靠近漏区一端的电压UGD最小，其值为UGD=UGS－UDS,相应的沟道最薄；指耗尽型MOS夹断电压UGS=UGS(off) 、增强型MOS管开启电压UGS(... 阅19 转0 评0 公众公开 19-09-19 08:10 |
由此还衍生出N周期—N周期抖动，比如针对DDR总线的时钟测试中就有5/10个连续时钟周期抖动的测试。因为上个世纪90年代末采样示波器相比实时示波器可以实现的带宽更高(因为等效采样无需高采样率配套，且无需考虑普遍信号测试需求通常输入信号幅度有限因此无衰减和放大器电路因而带宽更高)，同时高ADC位数提供的测量精度也更高，因此首先被用于高... 阅319 转4 评0 公众公开 19-09-03 21:54 |
10个常用的六西格玛统计工具。Gage R＆R评估连续型数据的重复性和再现性，而属性一致性分析评估的是属性数据，例如通过或失败。六西格玛可以为任何企业带来巨大的利益，但是获得这些收益需要收集和分析数据，以便您了解改进的机会并做出重大和可持续的变革。但是，通过对最常用的六西格玛统计数据和易于使用的统计软件（如Minitab）的基本了解... 阅4342 转10 评0 公众公开 19-04-21 10:23 |
PathWave 平台设计实践——加速 DDR 仿真以及测试。开放性：Pathwave 可以帮助连接并整合所有的设计与测试资源， Pathwave 平台提供开放式API，可以实现简单、快速的定制，轻松整合第三方软硬件。Pathwave Design 是 Pathwave 平台中专门针对仿真和设计的产品系列。Pathwave Design 产品系列中的 pathwave memory designer 是一款强大的仿真工... 阅281 转0 评0 公众公开 19-03-20 09:18 |
使用示波器的FFT对信号进行频域分析之一---FFT概述。如我们所见，最低频率分量是一次谐波（1/20μs=50 kHz），频率分量之间的间距也是一次谐波。采用快速傅立叶变换（FFT）的数学技巧，只有在采集窗口中有大量数据点对应2n点时，FFT才有效。图2：FFT采集的示例。执行FFT时需要注意两个条件，首先，必须使用2n个数据点，因此，如果采集窗口包含... 阅1631 转1 评0 公众公开 19-03-15 22:56 |
显然，只有UGS﹥UT时才有沟道，而且UGS越大，沟道越厚，沟道的导通电阻越小，导电能力越强。漏极电流由漏区流向源区，因为沟道有一定的电阻，所以沿着沟道产生电压降，使沟道各点的电位沿沟道由漏区到源区逐渐减小，靠近漏区一端的电压UGD最小，其值为UGD=UGS－UDS,相应的沟道最薄；指耗尽型MOS夹断电压UGS=UGS(off) 、增强型MOS管开启电压UGS(... 阅45 转0 评0 公众公开 19-01-28 09:05 |
