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随着锂电池的成本不断下降，在便携式电子电器设备中，锂电池如今早已取代了有记忆效应的可充电传统的镍氢电池（NiMH）等，得到了广泛的应用；多串电池的应用行业，在电池保护板行业，为了尽可能的扛住设备在启动瞬间需要的较大的工作电流，尤其是意外将电池正负极端子（VBAT+与P-）直接短路，带来的瞬间大电流，通常是多颗并联使用，每块PCBA上... 阅191 转1 评0 公众公开 23-10-10 11:51 |
MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS，栅极串多大电阻均能导通。但如果要求开关频率较高时，栅对地或VCC可以看做是一个电容，对于一个电容来说，串的电阻越大，栅极达到导通电压时间越长，MOS管处于半导通状态时间也越长，在半导通状态内阻较大，发热也会增大，极易损坏MOS，所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般... 阅622 转0 评0 公众公开 23-10-10 11:49 |
SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别。SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，由于漂移层电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。SiC及Si MOSFET的Id相对Vd（Vds）呈线性增加，但由于IGBT有上升电压，因此在低电流范围MOSFET元器件的Vds更低（对于IGBT来说是集电极电流、集电极-发射极间电压）。另外，... 阅1 转自六云ocboh... 公众公开 23-10-09 09:30 |
开关损耗(Switching-Loss)包括开通损耗(Turn-on Loss)和关断损耗(Turn-of Loss)，常常在硬开关(Hard-Switching)和软开关(Soft-Switching)中讨论。开启过程损耗，指在 MOSFET 开启过程中逐渐下降的漏源电压 VDS(off_on)(t) 与逐渐上升的负载电流(即漏源电流) IDS(off_on)(t) 交叉重叠部分造成的损耗。6 Coss电容的泄放损耗Pds.体内寄生二极管反... 阅7 转0 评0 公众公开 23-09-14 11:03 |
另外，DC 损耗大小同FET 的百分比导通时间成正比例关系，其为高侧 FET控制器占空比加上 1 减去低侧 FET 占空比，如前所述。但是，高 FET 电压带来高 AC 损耗，所以可以选择低栅极电荷的 FET，即使导通电阻较高。这是因为，导通/关断期间低侧 FET 的电压因 FET 体二极管而非常地低。就低侧 FET 而言，导通时间最短，且 AC 损耗较低，因此我们可... 阅25 转0 评0 公众公开 23-09-14 11:00 |
开关电源mos管有几种选型设计方法详解【钜大锂电】开关电源mos管选型。在ORingFET应用中，MOS管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。图2：用于开关电源应用的MOS管对。栅极电荷和导通阻抗RDS(ON)在半导体设计和制造工艺中相互关联，一般来说，器件的栅极电荷值较低，其导通阻抗参数就稍... 阅103 转0 评0 公众公开 23-09-14 10:53 |
MOS管如何选型_mos管选型。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。额定电压越大，器件的成本就越高。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。雪崩击... 阅11 转1 评0 公众公开 23-09-11 23:30 |
MOS管开关频率最高多少如何测算及MOS开关管的损耗计算MOS管开关电路。但是如果串接的电阻太大，会导致栅极达到导通电压的时间变长，也就是说MOS管处在半导通状态的时间太长，此时MOS管内阻较大，Rds->Rdson的时间比较长，Rds会消耗大量的功率，可能导致MOS管因发热而损坏。MOS管开关频率如何测算。Rds（on）为Mos管的导通电阻，会随着MOS管... 阅490 转2 评0 公众公开 23-09-11 13:54 |
MOS 管开关极限频率的计算_mos管开关频率。当电路的运行速度比较低的时候，MOS 管均能起到开关电路截至的作用，但是当频率 上升到5Mhz ，或者10Mhz ,50Mhz , 100Mhz的时候，就需要考虑到MOS 管的开关频率呢。例如： 是一个MOS 管的开关频率需要关注的6个参数，他们只是表明了一个周期的一部分，通常只是占到了MOS 管开关一个周期的1/7~1/10。 阅126 转1 评0 公众公开 23-08-03 13:58 |
超级详细的MOSFET功耗计算-MOSFET Power Losses_mos管功耗计算实例目录。After the UGS(th) has been reached, the drain current rises and takes over the load current. During the current rise-time, the free-wheeling diode is still conducting and the drain-source voltage is UDD. 注释：当栅极电压达到UGS(th)之后，iD开始上升，... 阅920 转4 评0 公众公开 23-05-19 11:49 |
