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阅443 转0 评0 公众公开 23-03-12 22:13 |
导电沟道形成以后，D、S间加负向电压时，那么在源极与漏极之间将有漏极电流ID流通，而且ID随VDS而增，ID沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等，该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用，使沟道从漏极到源极逐渐变窄，如图表7（1）所示。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极导通电压要比VCC高4V或1... 阅159 转3 评0 公众公开 23-03-12 21:25 |
导电沟道形成以后，D、S间加负向电压时，那么在源极与漏极之间将有漏极电流ID流通，而且ID随VDS而增，ID沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等，该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用，使沟道从漏极到源极逐渐变窄，如图表7（1）所示。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极导通电压要比VCC高4V或1... 阅47 转1 评0 公众公开 23-03-12 20:22 |
IGBT的米勒钳位和有源钳位是什么 | 光耦网。IGBT驱动光耦的米勒钳位和有源钳位都是IGBT中极其重要的功能，常见的带有源米勒钳位特征的型号有AVAGO的ACPL-331J ACPL-332J等IGBT栅极驱动光耦.下面我们将了解这2种功能的原理和作用。IGBT在正常情况关断时会产生一定的电压尖峰，但是数值不会太高，但在变流器过载或者桥臂短路时，如果要关断管子... 阅5526 转7 评0 公众公开 20-12-15 10:26 |
7、EAS - 单脉冲雪崩击穿能量 如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。9、IAR - 雪崩击穿电流 对于某些器件，雪崩击穿过程中芯片上电流集边的倾向要求对雪崩电流IAR进行限制。VGS(th)，VGS(off)：阈值电压。VGS(th)是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关... 阅5276 转11 评0 公众公开 20-12-09 10:07 |
TO TO-247-4L封装为什么和超级结MOS管是绝配最新数据显示，新型TO-247-4L封装能够解决超级结MOS管中的源级连接电感对开关速度的不利影响。几种典型超级结MOS管市场上，超级结MOS管有ROHM高压（600V～）功率MOS管产品、烜芯N沟道平面MOS管（700V～）系列等。多家MOS管厂商产品及数据分析证明，超级结MOS管采用TO-247-4L封装，能够降低导通电... 阅40 转0 评0 公众公开 20-12-03 10:55 |
采用 TO超级结MOSFET开关速度和导通损耗问题：超级结技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件而开发的，该技术已用于改善导通电阻与击穿电压之间的制衡。4引脚TO-247-4L封装的栅极开关速度比3引脚TO-247封装的栅极开关速度快。东芝利用仿真技术分析了4引脚TO-247-4L封装的机制并验证，3引脚TO-247封装中产生的反电动势并未在4引脚T... 阅41 转0 评0 公众公开 20-12-03 10:35 |
电力电子|碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估。臻驱科技计划将碳化硅芯片封装至功率模块，并应用于新能源车的电机驱动器中（以下简称“电控”），用于取代其现有的硅基IGBT功率模块（峰值功率约为150 kW）。模块性能测试，对标某知名IGBT功率模块；此外，在臻驱之前的碳化硅功率模块的设计项目中，发现碳化硅模块中较为明显的振荡现象... 阅45 转1 评0 公众公开 20-12-01 16:54 |
超级结MOSFET从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。平面MOSFET与超级结MOSFETSi-MOSFET根据制造工艺可分为平面MOSFET和超级结MOSFET。如下面的波形图所示，基本上超级结MOSFET的PN结面积比平面MOSFET大，因此与平面MOSFET相比，具有trr速度更快、但irr较多的特性。这种特性作为超级结MOSFET的课题在不断改善，因其... 阅1168 转5 评0 公众公开 20-10-17 13:37 |
当MOS导通时，栅极和源极的电场将栅极下的P区反型，在栅极下面的P区产生N型导电沟道，同时，源极区的电子通过导电沟道进入垂直的N+区，中和N+区的正电荷空穴，从而恢复被耗尽的N+型特性，因此导电沟道形成，垂直N+区掺杂浓度高，具有较低的电阻率，因此导通电阻低。内建横向电场的高压超结型结构与平面型结构相比较，同样面积的硅片可以设计更... 阅294 转1 评0 公众公开 20-10-17 13:13 |
