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不同的应用所需的功率和频率性能不同，无论硅器件还是新型WBG器件，每种类型的器件都有其用武之地。尤其需要指出，SiC器件能承受更高的电压，高达1200伏及以上，而GaN器件则能承受的电压和功率密度要低一些;另一方面，由于GaN器件的关断时间几乎为零(由于具有高电子迁移率，其dV/dt电压大于100V/s，而MOSFET硅器件仅50V/s)，特别适用于非常高频... 阅506 转2 评0 公众公开 21-06-28 16:19 |
1、三安光电股票600703，最新股价27.31元，市盈率96.70，市净率4.24。13、华灿光电股票300323，最新股价11.81元，市盈率-43.06，市净率2.73。2020年3月10日公司在互动平台称：公司全资子公司国星半导体业务范围包含蓝宝石氮化镓基的LED芯片，氮化镓基产品包含蓝绿显屏芯片、数码用芯片、白光照明芯片、车灯用大功率倒装芯片、UVA紫光芯片等。25... 阅13395 转34 评0 公众公开 21-02-18 21:14 |
2019年7月，三安光电 Mini/Micro LED芯片产业化项目在葛店开发区正式开工，据当时鄂州发改委消息，三安光电Mini/MicroLED芯片项目，用地约756亩，总投资120亿元，总建筑面积47.77万平方米，将建成Mini/MicroLED氮化镓芯片、Mini/MicroLED砷化镓芯片、4K显示屏用封装三大产品系列的研发生产基地，预计将形成年产MiniLED芯片210万片、Micro LED芯... 阅46 转0 评0 公众公开 20-11-10 19:31 |
