| 共 54 篇文章 |
|
在TVS选型时，有很多参数需要考虑，如钳位电压、击穿电压、脉冲峰值电流和负载电容等。以SMBJ15A为例，下图中提到了的两个参数：最大钳位电压和脉冲峰值电流，其承受的最大浪涌功率为 最大钳位电压 * 脉冲峰值电流 = 24.4V * 24.6A = 600.24W。从上面我们可以看出，一个TVS所能承受的最大浪涌电压，不仅与自身的参数相关（最大承受功率、钳位电... 阅65 转1 评0 公众公开 22-12-06 13:06 |
TVS管的关键参数如下图所示 VRM：截止电压， VBR：击穿电压， VCL 最大箍位电压 VRM, 指的TVS二极管的截止电压（最高工作电压），可连续施加而不引起TVS二极管劣化或损坏的最大直流电压或交流峰值电压。在截止电压下，TVS二极管是不工作的，即不导通的，所以TVS二极管的截止电压应大于被保护电路的最高工作电压。使用脉冲恒流源对TVS二极管施... 阅561 转1 评0 公众公开 22-12-06 12:49 |
（深度长文）电源设计中的电容选用规则。许多电子设计者都知道滤波电容在电源中起的作用，但在开关电源输出端用的滤波电容上，与工频电路中选用的滤波电容并不一样，其上的脉动电压频率仅有 100 赫兹，充放电时间是毫秒数量级，为获得较小的脉动系数，需要的电容量高达数十万微法，因而一般低频用普通铝电解电容器制造，目标是以提高电容量为主... 阅12 转0 评0 公众公开 22-09-15 17:41 |
从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率肖特基二极管来说它不仅影响效率也影响肖特基二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的肖特二极管。在75℃后成直线上升，该点的漏电流是导致肖特二极管外壳在额定电流下达到125℃的两大因素之一，只有通过降额反向电压和正向导通电流... 阅58 转0 评0 公众公开 22-09-07 08:49 |
方法3：通过电感电流波形来判断电感是否饱和。还是以MP2145为例，使用MPSmart仿真工具进行仿真，从仿真波形可以知道，当电感没有饱和时，电感电流是一个斜率一定的三角波，当电感饱和时电感电流波形会有一个明显畸变，这是由于饱和后感量降低造成的。方法4：测量电感是否异常温升，听是否有异常啸叫在工程实际中还有很多情况，我们可能不能准确... 阅52 转0 评0 公众公开 22-08-19 08:09 |
所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程（电容电压不能突变），所以mos源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。这个米勒电容是栅极和源级电容充电的绊脚石，因为栅极给栅-源电容Cgs充电达到一个平台后，栅极的充电电流必须给米勒电容Cgd充电，这时栅极和源级间电压不再升高，达到一个平台，这个是米勒平台（米勒平台... 阅22 转1 评0 公众公开 22-08-16 20:37 |
五种常见电路保护器件，都学会了吗？大家好，我是记得诚。今天分享一个不错的文档，关于电路保护器件的，TVS、TSS、压敏电阻等知识。给公众号发：保护器件，获取完整的文档。此文档仅用于交流学习，侵删。 阅14 转0 评0 公众公开 22-08-15 09:01 |
图14 微分运算电路波形如图15为微分运算仿真电路，为了防止运放出现饱和，必须限制输入电流，实际使用时需要在电容C1输入端串联一个小电阻R2。图16 微分运算仿真电路波形如图17、图18为积分运算电路的充放电过程：充电过程的电容C1可等效成一个可变电阻，C1开始充电时的容抗为0，电压不可突变则电压为0，运放-输入端得到的分压为0，于是Uo为0，... 阅82 转1 评0 公众公开 22-08-15 08:55 |
稳压二极管主要参数及选型（及常见电阻封装的可过的电流） 稳压二极管参数及如何选型。稳压原理选型参数选用原则：实战。是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,主要被作为稳压器或电... 阅1711 转1 评0 公众公开 22-08-12 21:52 |
