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光电耦合器工作原理详细解说。光电耦合器工作原理详细解说光电耦合器件简介光电偶合器件（简称光耦）是把发光器件（如发光二极体）和光敏器件（如光敏三极管）组装在一起，通过光线实现耦合构成电—光和光—电的转换器件。光电耦合器分为很多种类，图1所示为常用的三极管型光电耦合器原理图。注意事项（1）在光电耦合器的输入部分和输出部分必... 阅4424 转22 评0 公众公开 16-10-08 06:17 |
【集成电路有源器件性能参数】1.电子管 电子管又名真空管，所以又称为电真空器件。随着电子技术的发展，电子管因其体积大、重量重、耗电大等等缺点，而先后让位给晶体管和集成电路。2.晶体管 晶体管属于半导体器件。PN结是构成各种半导体器件的基础。3.集成电路集成电路顾名思义是将有源器件和无源器件及连接线等集中制造在一个很小的硅片上... 阅1 转自古罗 公众公开 16-10-07 13:24 |
MOS/CMOS集成电路MOS/CMOSMOS/CMOS集成电路。耗尽型MOS管在vGS=0时，漏——源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏——源极间的P型... 阅1 转自共同成长8... 公众公开 16-10-07 13:14 |
场效应管工作原理场效应管工作原理1(转载)目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。1、结型场效应管的管脚识别： 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。2、VMOS场效应管... 阅1 转自lauexue 公众公开 16-10-07 13:05 |
（4）直流电流放大系数b1（或hEF）这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即： b1=Ic/Ib 2、交流参数 （1）交流电流放大系数b（或hfe）这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即： b= △Ic/△Ib 一般电晶体的b大约在10-200之间，如果b太小，电流放... 阅1 转自nut 公众公开 16-10-07 13:03 |
Icbo：发射极开路，集电极和基极正向额定电流！Iceo：基极开路，集电极和发射极正向额定电流！ICBO集电结反向饱和电流，ICEO集电极发射极反向饱和电流。发射极开路时的反向漏电流ICBO：但是又由于发射结正偏，BJT是处于放大状态，有一定的放大作用（电流放大系数为β），因此通过器件的电流就成为了β×ICBO＋ICBO，这就是ICEO。 阅1 转自zbt1234 公众公开 16-10-07 13:01 |
