| 共 10 篇文章 |
|
Industrial Temperature and NAND Flash in SSD Products | EEWebIndustrial Temperature and NAND Flash in SSD Products Posted Jul 24, 2012 at 11:49 am.At high temperature, programming and erasing a NAND cell is relatively less stressful to its structure, but data retention of a NAND cell suffers.The effects of temperatu... 阅370 转2 评0 公众公开 13-07-19 11:22 |
But Esfarjani, while acknowledging there is a scaling limit for 2-D NAND flash, indicated in one of his slides that 2-D NAND flash can scale to two more nodes at about 15- and 10-nm."The NAND market will be with us and growing for years to come. 2-D NAND continues with the planar floating gate cell and 3-D NAND w... 阅61 转1 评0 公众公开 13-07-02 22:42 |
第七代电荷捕获技术MirrorBit的演进。这标志着Spanson实现了第七代电荷捕获技术。●在电荷捕获层中可存储多个不同的电荷位（distinct bits of charge）；闪存市场经历了十年的发展，而MirrorBit也经历了七个代际，包括从230nm、200 nm、110 nm、90 nm、65 nm到业内仅有的45nm 8 Gb NOR闪存，而我们目前正在开始向下一代32nm演进，不断推动技术... 阅131 转1 评0 公众公开 13-07-01 09:35 |
业内领先的NOR闪存提供商Spansion公司日前宣布其1Gb和512Mb Spansion GL NOR闪存产品已投入生产。同洲电子供应链副总经理袁华表示，“我们指定Spansion的NOR闪存产品是因其高密度、快速性能和集成安全性能以可靠地存储并即时检索操作系统代码与电子节目指南信息。除了创新技术，我们也非常看重Spansion强大的客户服务，近日我们已连续第二年将S... 阅61 转0 评0 公众公开 13-07-01 09:28 |
遭遇PCM、NAND两面夹击，NOR地位岌岌可危遭遇PCM、NAND两面夹击，NOR地位岌岌可危。但他也指出，就单元尺寸微缩进度来看，PCM仍无法取代NAND闪存市场，除非NAND的微缩技术面临极限。而面对大厂以核心技术及专利布局PCM市场态势，陈俊儒指出，中国台湾地区厂商开发Stand-alone PCM将遭遇极大挑战，因此，他建议应更着重在嵌入式PCM领域，以设计... 阅53 转0 评0 公众公开 13-07-01 09:22 |
预计今年无线领域的NOR营业收入将达到7.25亿美元，比2012年的10亿美元锐减28%。无线应用领域的NOR营业收入下滑趋势不可逆转，促使内存生产商开辟其它应用领域，进入嵌入应用并专注于多技术策略。虽然某些产品使用更多的NOR芯片并不能改变NOR的整体命运，但这类机会进一步显示出NOR应用的广泛性，也说明这种产品距离死亡还很遥远。考虑到NOR和PC... 阅35 转0 评0 公众公开 13-07-01 09:19 |
4.反选NAND flash nand_deselect()NAND_CMD_READ0 0 读操作 NAND_CMD_READ1 1 读操作 NAND_CMD_PAGEPROG 0x10 页编程操作 NAND_CMD_READOOB 0x50 读写OOB NAND_CMD_ERASE1 0x60 读写操作 NAND_CMD_STATUS 0x70 读取状态 NAND_CMD_STATUS_MULTI 0x71 读取状态 NAND_CMD_SEQIN 0x80 写操作 NAND_CMD_READID 0x90 读Flash... 阅41 转1 评0 公众公开 13-06-20 10:13 |
比如一个字符就是1byte,如果是汉字，则是2byte。下面是2个具体应用实例：Mbps=mega bits per second(兆位/秒)是速率单位，MB=mega bytes(兆比、兆字节)是量单位，1MB/S（兆字节/秒）=8MBPS（兆位/秒）。(与容量相关，应用层）1 KB = 1024 bytes =2^10 bytes1 MB = 1024 KB = 2^20 bytes1 GB = 1024 MB = 2^30 bytesUSB2.0标准接口传输速率是480... 阅8 转自kenan 公众公开 13-06-17 15:01 |
谈NAND Flash的底层结构和解析转自： http://blog.sina.com.cn/s/blog_4b4b54da01016rx3.html这里我想以一个纯玩家的角度来谈谈关于NAND Flash的底层结构和解析，可能会有错误的地方，如果有这方面专家强烈欢迎指正。随着工艺提升，ECC的要求越来越高，50nm的SLC颗粒，三星规定1bit ECC的就够了，而50nm MLC要4bit ECC,到了3xnm要求达到24bit E... 阅35 转自happy123g... 公众公开 13-06-17 11:40 |
目前业内最具争议的话题莫过于NAND闪存的两大架构MLC和SLC了，这两种架构最大的区别是存取技术不同，由此也带来了制造成本、工艺要求、辅助电路、存取次数上的迥异。对MLC和SLC两大架构现在网上存在一个普遍的认识误区，那就是大家都认为MLC架构的NAND闪存是劣品，只有SLC架构的NAND闪存才能在质量上有保障。MLC架构理论上只能承受约1万次的数... 阅2758 转10 评0 公众公开 13-06-17 10:29 |
