| 共 18 篇文章 |
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电源管理芯片现状分析。摘要：电源管理芯片应用领域广泛电源管理芯片在电子信息产品中发挥了关键作用、具有广泛的产品应用。电源管理芯片广泛应用于手机与通讯、消费类电子、工业控制、医疗仪器、汽车电子等应用领域，同时随着物联网、新能源、人工智能、机器人等新兴应用领域的发展，电源管理芯片下游市场有望持续发展。整体来看，未来电源管... 阅31 转0 评1 公众公开 19-10-20 21:00 |
你见过比这更全的电机控制总结吗？BLDC电机控制要求了解电机进行整流转向的转子位置和机制。对于闭环速度控制，有两个附加要求，即对于转子速度/或电机电流以及PWM信号进行测量，以控制电机速度功率。随着电机的转向，电机终端的电流在每转60度时，电开关一次(整流换向)，因此电流空间矢量总是在90度相移的最接近30度的位置。正弦整流换向无刷... 阅17 转0 评0 公众公开 19-08-26 12:08 |
37家快充芯片原厂参加2019（秋季） USB PD＆Type-C亚洲展。目前，全球电源行业的三大业内展会分别是APEC、PCIM、USB PD＆Type-C亚洲展。USB PD＆Type-C亚洲展，举办地点为中国深圳，时间每年3月份和8月份，分别是春季展和秋季展，展出产品以消费类电源解决方案为主。2019（秋季） USB PD＆Type-C亚洲展举办时间为8月23日，本次展会亮点颇多，截... 阅40 转0 评0 公众公开 19-07-20 23:04 |
至此，针对数字电源产品路线，ST拥有了较低端的STM32F334，高端STM32H743产品，与F3和H7两个平台之间过渡产品——STM32G4。ST微控制器事业部微控制器产品经理、数字电源及电机控制市场经理Jean-Marc Mathieu表示：“作为F334的继任者，G4系列的出现并不是为了取代前代产品，而是在STM32F334的基础上做了提升，去覆盖更复杂的一些数字电源应用场... 阅435 转1 评0 公众公开 19-06-25 12:35 |
ISPSD推进功率半导体技术发展之旅。笔者虽然无缘参加ISPSD，但是对ISPSD自1988年举办以来的情况非常关注，查阅了有关30年来ISPSD的文章。功率集成电路研发部专注于功率器件与功率集成技术研究，开展了功率半导体器件与可靠性（包括超结DMOS、IGBT、SiC功率器件和GaN功率器件等）、高低压集成工艺（包括硅基BCD和SOI BCD等）、功率集成电路（包... 阅341 转2 评0 公众公开 19-04-10 08:44 |
5)变压器和MOS的总杂散电容。高压时MOS的Cds很小,振荡的电容主体是变压器杂散电容.当MOS管电压上升到A点时,输出整流管导通,初级励磁电感箝位于V1. 此时,漏感和杂散电容谐振, 由于变压器线圈存在直流和交流电阻,该振荡位阻尼振荡,消耗了漏感中的能量在B点时,励磁电感中电流下降为零,次级整流管自然截止,励磁电感上电压下降为零. 励磁电感和杂散... 阅85 转0 评0 公众公开 18-01-07 11:21 |
提高电感线圈Q值的七个绝招!品质因数Q是反映线圈质量的重要参数，提高线圈的Q值，可以说是绕制线圈要注意的重点之一。线圈中采用磁芯，减少了线圈的圈数，不仅减小线圈的电阻值，有利Q值的提高，而且缩小了线圈的体积。6线圈直径适当选大些，利于减小损耗在可能的条件下，线圈直径选得大一些，体积增大了一些，有利于减小线圈的损耗。尽量采用... 阅80 转0 评0 公众公开 18-01-07 10:59 |
CPSSC''''''''2017大会报告 | 宋高升：功率模块技术进展与发展趋势。宋高升 先生。三菱电机半导体大中国区 技术总监。报告题目：功率模块技术进展与发展趋势。 阅124 转0 评0 公众公开 18-01-02 21:12 |
《氮化镓功率器件-2016版》本报告提供氮化镓功率器件市场及应用，以及未来发展趋势。已有的氮化镓功率器件。在不同的目标应用中，电源领域是目前最大的应用市场，高压和低压氮化镓功率器件为交流-直流（AC-DC）、隔离型直流（isolated DC-DC）、负载点（point of load）功能带来附加值。对于低压氮化镓功率器件，市场显得相当有前途：随着不同... 阅224 转2 评0 公众公开 17-10-30 08:15 |
较高的原边电压应力。●反激的原边电压应力较之其他拓扑更大，原因是反射电压、漏感尖峰电压叠加在输入电压上，导致开关电压应力为输入电压的1.5～2倍。●反激的副边二极管电压应力更是增加得离谱，按市电AC/DC变换的典型参数，这个电压应力更是高到了其输出电压的3到5倍，还可能有可观的尖峰电压叠加。在漏感最小化、吸收最佳配合后，副边二极... 阅204 转4 评0 公众公开 17-10-26 23:35 |
