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| 共 57 篇文章 |
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中科蓝讯“讯龙二代”蓝牙SoC芯片发布！12月17日，中科蓝讯CEO刘助展先生和北京声加科技CEO邱锋海先生联合发布了蓝讯“讯龙二代”蓝牙SoC芯片。声加与蓝讯通过算法与芯片设计的深度配合，将复杂的ENC运算要求，分布于并行的多核架构中，保证效果的同时，极大地优化了在40nm工艺下的整体功耗，双方已成功开发了针对“讯龙二代”的AI Single MIC ... 阅33 转0 评0 公众公开 20-12-19 21:34 |
内置晶体的高精度RTC芯片INS5902.实时时钟（RTC）产品主要是实现时钟计时功能，由RTC芯片与32K晶体配合来共同完成。RTC产品的计时精度由RTC芯片和32K晶体共同决定，其中32K晶体有内置和外置两种形式。INS5902通过内置晶体和负载电容，并集成高精度温度补偿电路和算法，在生产时对每个产品进行参数标定，实现RTC产品的全温区高计时精度。 阅46 转0 评0 公众公开 20-11-19 14:39 |
MTK买下Intel旗下电源管理芯片资产。供应链指出，由于电源管理IC大多采用8吋晶圆制造，鲜少厂商使用12吋晶圆生产，12吋晶圆大多提供给逻辑制程使用，且力积电由于具备DRAM产出技术，因此拥有12吋铝制程产能，较适合量产电源管理IC技术，相较台积电、联电在12吋生产大多以铜制程，相比之下不适合量产电源管理IC，因此联发科才会罕见采购设备回租... 阅14 转0 评0 公众公开 20-11-17 18:37 |
产能方面，8吋晶圆在1998年超过6吋晶圆产能并在2007年达到顶峰，2008年，12吋晶圆产能超过8吋的，8吋晶圆产能在2008年到2009年间下降，但仍为增长趋势。相比之下，使用其7nm制程节点的12吋晶圆价格约为9346美元，使用16nm或12nm制程技术制造的12吋晶圆的价格为3984美元。可见，两种制程的单个芯片成本几乎相同，之所以如此，一个很重要的原因就... 阅159 转0 评0 公众公开 20-09-30 12:08 |
而对于LCD TDDI驱动，随着高帧率(HFR)的成长，FHD TDDI驱动应升级到55nm节点，然而，为了保持更好的价格竞争力，高帧率(HFR)的HD TDDI驱动仍将采用80nm。之前ILITEK的HD TDDI几乎都是在UMC 80nm生产，现在因为UMC的退出，ILITEK需要将需求转移给台积电，台积电可以在90nm上提供大量的晶圆产能，并将在2020年9月开始量产。除了三星LSI外，40nm仍... 阅108 转0 评0 公众公开 20-09-03 10:53 |
一家拥有核心技术的半导体企业，为啥落在一个“偏僻”的地方？最近，在长三角生态绿色一体化发展示范区的核心区域，位于江苏吴江汾湖高新区的英诺赛科项目的工地上，恢复了热火朝天的景象。“我们与示范区的创新方向相吻合，比较适合与示范区共成长。”让骆衡非常期待的是，一体化带来的基础设施完善，未来，示范区还有沪苏湖和通苏嘉甬两条高... 阅57 转0 评0 公众公开 20-08-26 12:23 |
除了爆款应用芯片需求暴涨之外，8英寸硅片供给跟不上应用需求，以及相应晶圆加工设备的不足，同样影响着2020年这一波8英寸晶圆产能的供给。未来那一波以上谈到的8英寸晶圆主要是传统的Si（硅）材料和工艺，随着应用的需求和技术的进步，以SiC和GaN为代表的第三代化合物半导体需求正在提升，其中，GaN有Si基和SiC基两种，目前来看，Si基GaN市占... 阅18 转0 评0 公众公开 20-08-19 19:41 |
《BCD技术与成本对比分析-2020版》以下是报告样刊中英飞凌BCD器件部分内容展示，供参考：· STMicroelectronics: BCD6s, SOI-BCD6s, BCD8, BCD9, VIPower M0-3, VIPower M0-5, VIPower M0-7· Bosch: BCD6, BCD8.· NXP: A-BCD3, A-BCD9.· Analog devices: BCD0.5μm, BCD 0.18μm.· Denso: SOI-BCD 0.8μm, SOI-BCD 0.5... 阅133 转1 评0 公众公开 20-05-28 17:13 |
日前，韩国芯片制造商MagnaChip半导体公司在官网宣布，其已经就出售其代工业务和位于青州的Fab 4制造设施一事达成协议，交易总价约4.35亿（约人民币30.8亿元）美元。公开资料显示，MagnaChip是一家为消费类电子产品设计和制造模拟及混合信号半导体芯片的公司。MagnaChip公司开发、生产和分销系统集成电路芯片，主要致力于显示驱动集成电路、CMO... 阅35 转0 评0 公众公开 20-04-02 19:18 |
基于FD-SOI工艺、集成量子点和DAC电路的量子芯片诞生。ISSCC 2020期间，在题为“具有2.8GHz激励和片上双量子点nA电流检测功能的110mK 295μW 28nm FD-SOI CMOS量子集成电路”的论文中，作者认为基于硅的量子比特是一种有前途的方法，用于扩展占位面积在100nm范围内的量子点位数。，许多器件都可以集成到成熟的CMOS平台上，从而使IC可以在量子硅... 阅25 转1 评0 公众公开 20-02-21 18:12 |
