| 共 42 篇文章 |
|
从20世纪80年代起，日本Sanyo公司及随后的Panasonic公司在单晶硅异质结太阳电池(HIT，也称SHJ)领域一直处于领先地位，经过对本征a-Si∶H钝化层、背部场结构、高导电与高透过ITO、陷光结构、金属化栅线和硅片厚度等关键技术的不断优化与调整［35-37］，2013年将面积为101．8cm2的SHJ太阳电池效率提高到24．7%［38］，开路电压(Voc)达到750mV，远... 阅195 转0 评0 公众公开 19-08-23 13:38 |
美设计转化效率更高的硅太阳能电池。美国研究人员设计出一种新型硅太阳能电池方案，通过改变钝化层材料提高硅电池能量转化效率的上限，可从目前的约29%提升到35%。新方案的关键是用氮氧化铪对硅材料进行钝化，得到的钝化层厚度仅0.8纳米（1纳米等于十亿分之一米），可容许更多电子通过。研究表明，并四苯每吸收一个光子，平均有1.3个电子可穿过... 阅1 转自刘植荣 公众公开 19-07-31 11:23 |
因此我们对材料性能、质量和可靠性进行了研究:1)使用ECAs的绝缘粘接接头，以及2)测试组件内使用ECA连接的电池之间的互连特性。本文研究的主要目的是探究ECAs与组件其他材料，特别是封装和焊带材料的兼容性，并尝试探究光伏组件因使用ECA互连而新引入的失效模式。首先，探究分别由三种不同环氧树脂组成的ECA配方(ECA1、ECA2和ECA3)的释气现象；... 阅500 转1 评0 公众公开 19-07-03 12:52 |
光伏行研报告：《i-TOPCON实现25%效率的关键技术》采用SiOx/n- type poly-Si钝化接触技术，我们分别在抛光和金字塔制绒的硅片表面上获得了1.3fA/cm2和3.7fA/cm2的饱和电流密度，在金字塔制绒的硅片上获得了0.7mΩcm2的接触电阻率。在实验室实现全面积效率的24.58％的i-TOPCON太阳电池，并得到德国哈梅林太阳能研究所(ISFH)下属的检测实验室认证... 阅145 转3 评0 公众公开 19-07-03 12:08 |
高效电池中坚力量IBC电池研究进展与工艺技术。在电学方面，和常规电池相比，IBC电池的性能受前表面的影响更大，因为大部分的光生载流子在入射面产生，而这些载流子需要从前表面流动到电池背面直到接触电极，因此，需要更好的表面钝化来减少载流子的复合。IBC电池技术门槛高，成本和售价高，2014年仅有美国SunPower公司持有1.2GW的IBC电池年产能... 阅1 转自孙恩来168 公众公开 19-04-15 18:58 |
一文读懂IBC电池。一、IBC电池结构。在IBC结构简介中，你是否留意到IBC电池的衬底——N型硅。对于IBC等背接触电池来说，前表面收集到的大量载流子要穿过衬底“远“距离扩散到达背面结电极，而不能像传统电池直接从正面栅线电极引出，所以背接触电池要求衬底材料必须有较高的少子寿命，因此，背接触电池衬底一般都选择N型硅。高效的N型硅衬底，... 阅1 转自小陈84 公众公开 19-04-15 18:51 |
此次正泰电池片量产效率突破22%，是通过在单晶P型PERC电池片的基础上叠加激光SE技术，在光斑、扩散、烧结、浆料网版等方面进行优化，电池片量产平均效率达到22.23%，最高效率达到了22.55%。由于SE是针对于电池正面射极的改良，与PERC的背面钝化技术具有互相加成的效果，因此将SE应用在PERC高效率电池上预期可发挥出更好的价值，目前市场上多生... 阅45 转0 评0 公众公开 19-03-14 10:25 |
双层钝化薄膜为氧化铝/氮化硅叠层，在沉积氧化铝后测试厚度，然后采用等离子体化学气相沉积方法在氧化铝之上沉积90nm氮化硅，测试有效少子寿命，得到加盖氮化硅前后的钝化效果的变化。如图2所示为不同氧化铝厚度的钝化效果，从图中的相对变化来看，厚度为5nm、6nm的单层氧化铝薄膜相对于9nm以上的膜钝化效果较差，9nm以上的薄膜具有较高的少子... 阅1 转自孙恩来168 公众公开 18-09-30 16:24 |
从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。研究人员首先在电池背面用化学方法制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，这两层材料为硅片的背面提供了良好的表面钝化，而由于氧化层很薄，硅薄层有掺杂，多子可以穿透这... 阅391 转3 评0 公众公开 18-09-29 14:55 |
设置这个参数的原因是因为表面镀膜或外加电荷会表面硅片表面的电荷状态，如SiNx、SiOx、AlOx、a-Si膜都会影响硅片的表面电荷状态。Distance from front是各区距离前表面的距离，对于太阳能电池来说，发射极与前表面的距离为0um（即发射极电极在前表面），基区与前表面的距离为10000um,（基区在后表面）。表面复合速率包括前后表面两个部分，设... 阅1 转自booreen 公众公开 18-09-28 11:38 |
