| 共 72 篇文章 |
|
目前业界较为流行的几种先进硅基前驱体材料为二氯硅烷( DCS) 、乙硅烷( DS) 、八甲基环四硅氧烷( OMCTS) 、四甲基硅烷( 4MS) 、六氯乙硅烷( HCDS) 、双( 叔丁氨基) 硅烷( BTBAS) 、双( 二乙氨基) 硅烷( BDEAS) 、三( 二甲胺基)硅烷( 3DMAS) 和三甲硅烷基胺( TSA) 等。双( 二乙氨基) 硅烷( SiH2［N( CH2CH3)2］2，BDEAS) 也是一种氨基硅烷前驱体... 阅52 转0 评0 公众公开 24-03-17 11:54 |
连拿亿级融资，首款AI芯片已跑通，独家对话创始人。马恺声认为，Chiplet的市场发展已经很清晰，他预计到2030年，超过一半的高性能AI计算芯片以及智能驾驶相关主控芯片均会采用Chiplet架构。在今年9月14日-15日举行的2023全球AI芯片峰会期间，马恺声教授将对Chiplet架构在AI芯片中的商业价值进行进一步的深入解读，分享推动Chiplet架构在国内的... 阅7 转1 评0 公众公开 23-09-03 07:07 |
日本对半导体设备出口管制5月23日下午据日本经济新闻报道，日本经济产业省公布外汇法法令修正案，正式将先进芯片制造设备等23个品类纳入出口管制，该管制将在7月23日生效。可保持气压为0.01Pa以下真空状态（或者惰性环境）的、含多个腔体的、可处理多个工序的成膜设备，以及下面的所有工序中所使用的金属接触层成膜设备：（1）在维持晶圆温度为... 阅20 转0 评0 公众公开 23-05-24 08:09 |
头部玩家对先进封装动了哪些手脚？Ponte Vecchio结合了英特尔的前沿封装技术，即Foveros（一种3D堆叠技术）和EMIB：两个基础瓦片（基础瓦片——HBM和计算瓦片——RAMBO）之间的连接都通过EMIB连接，而计算瓦片——基础瓦片和RAMBO与基础瓦片通过Foveros堆叠技术连接。苹果公司的新M1 Ultra芯片并不是在台积电的CoWoS-S（带硅中介层的基板上晶圆... 阅9 转0 评0 公众公开 23-05-19 14:23 |
5月5日，安徽省池州市半导体产业集群工作专班推进会议在池州召开，池州市委书记方正指出，池州半导体产业发展进入“二次创业”的新阶段，要把池州半导体良好发展势头保持下去。2011年池州经开区升级为国家级经济技术开发区，次年池州就开始培育半导体产业，半导体要素要求很高，这对于一个内陆地级市来说既是远见，也是风险。为解决资金问题，... 阅9 转0 评0 公众公开 23-05-12 14:22 |
这项技术是1994年德国Robert Bosch公司在此前一项低温离子硅刻蚀技术的基础上发展的一项高深宽比硅刻蚀技术【4】。它的具体方法是：先在硅片把需要刻蚀微孔的位置的硅裸露出来，用各向同性的腐蚀气体在硅片上刻蚀下去一薄层，然后在刻蚀出来的坑的表面沉积保护层，再用等离子打掉坑底的保护层打掉，再用各向同性的腐蚀气体刻蚀一薄层，通过这样... 阅31 转0 评0 公众公开 23-04-06 06:37 |
市场研究公司 Yole 根 据产品的终端应用特点，将为追求最优计算性能而采 用的先进封装平台技术归类为高端性能封装，高端性 能封装主要包括超高密度扇出型封装（UHD FO）、嵌 入硅桥技术、2.5D 硅转接板技术、3D 存储堆叠和混合 键合技术。该标准描述了处理芯片、人工智 能芯片、网络处理器和网络交换芯片等应用场景的小 芯片接口总线技术要求，... 阅15 转1 评0 公众公开 23-04-05 12:32 |
用于SIP的DFT和测试架构，具有制造快速测试时间，如启用强大的并发测试架构和具有电源感知的诊断测试功能通过SIP配置自动扫描和算法测试模式生成、流式传输和采样，将SIP本身视为未来的超级SIP内置自测试（BIST）具有功率感知节流功能的超级SIP-BIST引擎更强的DFT，针对SIP中的非数字内容（如模拟、RF、毫米波、光子学）的SIP视角进行了优化，... 阅12 转0 评0 公众公开 23-03-24 14:15 |
半导体先进封装技术（各代半导体封装技术简介）第 1.5 代封装：CSP（Chipe-Size Package）在上面的 wire bond 中，有一个很大的问题，就是最终出来的芯片比实际的芯片要大很多，因为 lead frame 和芯片之间是有距离的。所以当 pin 角在增加的时候，芯片下面的面积根本不够摆放这么多焊接点2时序要求高高性能芯片需要多个芯片集成封装。就是多个... 阅705 转2 评0 公众公开 23-02-23 06:34 |
（3） 理论上 SiC 器件的工作温度可以达到 600 ℃ 以上的高温,同时抗辐射能力强,大大提升了 系统的可靠性,也使 SiC 在能源转换领域有巨大应用 潜力.对于 10 kW 以上的功率应用,主要使用功率模 块 封 装. SiC 的 模 块 配 置 又 分 为 混 合 模 块 （SiC IGBT 和 SiC SBD）和 全 SiC 模 块 （SiC MOSFET 和 SiC SBD）. 典型电源模块设计如图 18 ... 阅17 转0 评0 公众公开 23-02-20 17:02 |
