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| 共 70 篇文章 |
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在微波领域,铁氧体材料的应用非常普遍,无论是用于保护功能的环形器,还是移相器,都是微波基站的关键部件,要对铁氧体器件进行建模,首先要了解每个参数的意义,以下就对铁氧体材料的参数分别做介绍:铁氧体材料的磁导率为1,磁导率是表征物体的导通磁力线的能力,跟介电常数类似,但是在铁氧体材料中磁力线几乎可以完全穿过,因此磁导率为1。第五项为磁... 阅735 转6 评0 公众公开 20-01-12 07:33 |
半导体的世界——二极管。双二极管--由两个二级管封装在一个外壳下的二极管，从上面的学习中我们知道，二极管是有正向压降的，而两个二极管并联可以得到一个更小的电压降，不用小看这个电压降哦，它和二极管的功耗（相同的散热下，功耗越高温度越高）有着密切的关系，假如某二极管压降1V，流过它的电流为1A，功耗P = V*I = 1*1 = 1W，如果我们... 阅137 转3 评0 公众公开 20-01-04 02:03 |
三极管的兄弟——场效应管。所以，其驱动电流是由驱动信号的变化速度决定的，在变化很慢的情况下就使用大电阻（不能太大，太大电流小了容易受到干扰），而变化快时就使用小电阻（不能不用电阻，不用电阻直接连接非常容易造成异常振荡）RC时间要小于很多倍的DS极导通时间，假如设计的DS导通时间时10mS，极间电容为1nF，则0.01S/0.000000001F = 1... 阅383 转12 评0 公众公开 20-01-04 02:01 |
三极管放大电路——共集电极放大电路。从上面的交流等效电路中，我们可以看出，共集电极放大电路的电压增益Av = (Re//RL) / (Re//RL+re'''''''') ，在re''''''''远小于Re//RL时电压增益约等于1.电流放大倍数 Ai = Av*（Rin / (Re//RL)），而共集电极放大电路的电压增益约等于... 阅4234 转12 评0 公众公开 20-01-04 01:57 |
对于直流等效电路，电容相当于开路（隔直通交）对于交流等效电路，电容相当于短路，电源正负极相当于短路，引入发射极本征电阻re'''''''' = 25/Ic(mA)，发射极本征电阻受三极管温度影响，发射极本征电阻和发射极串联。 阅3866 转20 评0 公众公开 20-01-04 01:56 |
0欧姆电阻虽说只是连接当导线用，但它的作用很大，这12点要记牢。7.单点接地（指保护接地、工作接地、直流接地在设备上相互分开,各自成为独立系统。）电阻在所有频带上都有衰减作用(0欧电阻也有阻抗)，这点比磁珠强。还有就是不同尺寸0欧电阻允许通过电流不同，一般0603的1A，0805的2A，所以不同电流会选用不同尺寸的还有就是为磁珠、电感等预... 阅4511 转6 评0 公众公开 19-05-16 08:50 |
光耦电路中为何有串联与并联电阻。而在光耦电路中，电阻的作用分为串联与并联。首先对这两个电阻的作用进行讲解，R8的作用是限流，而R9是为了给TL431提供基础电流。如果电阻太小，很小的波动就会引起原边相对较大的电流，所以电路有可能不容易稳定。并联的电阻，一般是为TL431提供一个基础电流，防止TL431工作到太接过关闭的区域(过小的电流值)... 阅294 转7 评0 公众公开 19-04-30 12:32 |
深入理解MOSFET规格书/datasheet！从MOSFET Rds(on)与Tj的图表中可以看到：Tj增加Rds(on)增大，即Rds(on)是正温度系数，MOSFET的这一特性使得MOSFET易于并联使用。MOSFET要工作在SOA，即要让MOSFET的结温不超过Tj_max(150℃)，Tj_max=Tc+PD*ZthJC, ZthJC为瞬态热阻.雪崩发生时，如果流过RB的雪崩电流达到一定的大小，VBE大于三极管VBE的开启电... 阅59 转4 评0 公众公开 19-04-30 06:13 |
独石电容、瓷片电容、CBB电容、电解电容等各种电容。独石电容最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了.名称：铝电解电容。安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 它包括了X电容和... 阅69 转5 评0 公众公开 18-09-10 12:10 |
