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额外的电流Irr+负载电流短暂地流过高边MOSFET，直到存储电荷Qrr完全耗尽。在极端情况下，如果栅极反弹超过MOSFET的阈值电压，则MOSFET可以导通。但是，当发生栅极反弹时，低边MOSFET与高边同时导通，导致直通电流在电源轨之间流动，从而导致I2R损耗过大，并且在极端情况下造成MOSFET的破坏。将MOSFET供应商的4至8mΩ导通电阻、100V MOSFET的数... 阅1343 转0 评0 公众公开 22-05-28 17:15 |
一看就懂，电子元件基础知识图解。电阻、电容、电感、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带... 阅1 转自进易之喜 公众公开 21-07-01 15:14 |
TVS管和ESD管的区别是什么？TVS管和ESD管都是保护器件，但是作用很不一样。而ESD是静电放电管，主要用在关键引脚上起到静电保护作用。而ESD有三个引脚，是三脚器件。TVS主要用在电源输入端起到防浪涌的作用，瞬间吸收浪涌电流对后级电路起到保护作用。ESD二极管的正负接在电源引脚，公共端接在被保护引脚上起到释放静电的作用。 阅1 转自小苏你好... 公众公开 20-04-27 07:52 |
