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具有图形化衬底与空气腔反射镜混合结构的深紫外Micro-LED阵列芯片具有倾斜侧壁结构的深紫外Micro-LED的侧壁反射率是影响器件光提取 效率的重要因素。图1展示了设计有NPSS的深紫外Micro-LED阵列芯片的工艺流程，其中Device 1具有倾斜侧壁ODR结构，Device 2具有空气腔反射镜结构，空气腔反射镜制备工艺采用的是正负光刻胶混合工艺。 阅4 转0 评0 公众公开 24-04-18 11:19 |
新成果展示：AlGaN/GaN基紫外光电晶体管的设计与制备紫外光电探测器被广泛应用于导弹预警、火灾探测、非可见光通信、环境监测等民事和军事领 域，这些应用场景的实现需要器件具有高信噪比和高灵敏度。图1（a）展示了AlGaN/GaN基紫外光电晶体管的三维结构示意图，源极和漏极为左右两侧台面上的金属电极，栅极的设计采用凹 槽和Al0.20Ga0.80N层功... 阅7 转0 评0 公众公开 23-10-23 10:30 |
横向AlGaN/GaN基SBD结构及物理模型数据库的开发GaN基功率器件凭借其临界电场高、电子饱和漂移速度大、热导率高等优良性能在大功率快充 、充电桩、新能源汽车等领域具备广泛应用空间。为进一步助推半导体高频、高功率微电子器件的发展进程，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队依 托先进的半导体TCAD仿真平台成功开发出了横向AlGaN/GaN基SBD模型数... 阅8 转0 评0 公众公开 23-10-07 13:54 |
最新成果展示：GaN基Micro-LED热学模型数据库的开发及应用由于GaN基Micro-LED表面积-体积比增加，其在热学方面的性质有别于 大尺寸的LED，如缺陷复合导致的热效应将在发光区域中产生诸多“热”点，导致发光波长不均匀，这将影响后期显示系统的成像稳定性。针对上 述问题，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队开发出了GaN基Micro-LED热学模型数据... 阅17 转0 评0 公众公开 23-08-08 10:56 |
最新成果展示：AlInN/GaN DBR模型数据库的开发与应用由于AlN和GaN之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配，导致很难获得高质量的Al N/GaN布拉格反射镜（Distributed Bragg Reflection，DBR）结构。如图1所示，研究结果发现：采用AlInN/GaN底部DBR（VCSEL B2）能够有效地减小G aN基VCSEL有源区中的极化电场强度并同时降低量子垒与量子阱中能带倾斜... 阅8 转0 评0 公众公开 23-06-07 13:46 |
如图1所示，两种芯片的尺寸均为40×40 μ m2，器件A为传统Micro-LED结构，器件B为具有二次刻蚀台面的Micro-LED结构。（d）器件A和（e）器件B的p型区域的横截面透射电镜图像为了揭示具有二次刻蚀台面的Micro-LED结构中载流子的 输运与复合机制以及对器件的发光效率影响的物理机制，技术团队利用载流子输运与复合模型数据库系统地研究了器件... 阅3 转0 评0 公众公开 23-03-01 11:07 |
最新成果展示：半导体激光器光学模型数据库的开发及应用半导体激光器的光学模式分布及远场发散角是衡量激光输出质量的重要参数，在器件设计、光学系统 搭建及光束耦合等方面具有重要的参考价值。近期，天津赛米卡尔科技有限公司的技术团队基于先进的TCAD仿真设计平台开发出了半导体激光器 的光学模型数据库，并针对GaN基垂直腔面发射激光器（Ve... 阅20 转0 评0 公众公开 23-01-16 10:38 |
新成果展示：具有倾斜台面的Micro-LED模型数据库的开发与应用智能手机、平板、电脑等高分辨率显示产品的快速发展，促使整个行业对高性能显示 器的需求不断增加，基于Micro-LED的显示技术开始慢慢走进人们的视野。因此，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队基于TCAD仿 真平台开发了具有倾斜台面的GaN基Micro-LED的多种模型数据库，并系统地研究了... 阅9 转0 评0 公众公开 22-11-25 14:39 |
最新成果展示：Ga2O3材料数据库的开发及其在日盲紫外光电探测器中的应用Ga2O3材料是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，其 禁带宽度高达4.9 eV，可定向检测日盲波段的紫外光，且不受太阳光背景辐射的影响，使得该材料有天然的日盲特性。近期，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队开发出了完善的Ga 2O3材料数据库，并利用TCAD仿真设计平台... 阅25 转0 评0 公众公开 22-10-25 09:51 |
最新成果展示：利用缺陷信息数据库探索界面工程，助力GaN基肖特基势垒二极管的研究在电力电子器件的外延生长和器件制备过程中，特别是对于具有凹槽结构的GaN基肖特基势垒二极管（TMBS）而言，ICP刻蚀将不可避免地损伤材料的表面，产生大量的缺陷，最终牺牲器件的击穿电压、导通电阻等性能，同时影响器件的可靠性。同时该模型中还准确地考虑了TM... 阅22 转0 评0 公众公开 22-10-08 09:35 |
