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| 共 233 篇文章 |
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东工大研发激光加工超薄晶圆技术，切片留白宽度缩小至原来四分之一.实验中，使用了 TEG 晶圆，模拟“SDBG（Stealth Dicing Before Grinding）”工艺，使用波长为 1099nm 和 1342nm 的激光进行加工，评价了对厚度为 50um 的晶圆的损害程度。左图：用波长为 1342nm 的激光切割后的排线阻值，右图：用波长为 1099nm 的激光切割后的排线阻值 （图片... 阅589 转3 评0 公众公开 21-08-05 22:24 |
存储器芯片封装技术详解。存储器和终端厂商在成本允许的条件下，采用先进封装技术能够提升存储性能，以适应新一代高频、高速、大容量存储芯片的需求。随着芯片的厚度越薄，芯片强度越脆，传统的磨划工艺很容易产生芯片裂纹，这是由于传统机械切割会在芯片中产生应力，这将会导致芯片产生一些损伤，如侧崩、芯片碎裂等，而减薄后的圆片，厚度越... 阅889 转9 评0 公众公开 21-08-05 20:55 |
NAND闪存芯片封装技术综述 广告 电子封装技术丛书--三维电子封装的硅通孔技术。阐述存储器的发展与分类，NAND闪存芯片封装技术和封装的技术发展趋势，叠层芯片封装工艺包括先切后磨（DBG）工艺、芯片粘接技术、金线键合工艺。传统打线产品封装使用粘接胶实现芯片和芯片或者芯片和基板之间的粘接，对于NAND叠层芯片封装，芯片的厚度很薄，... 阅1018 转10 评0 公众公开 21-06-05 08:03 |
五个方面剖析SIP封装工艺，看懂真正的SIP PCBworld 2019-12-30 广告 电子封装技术丛书--电子封装技术与可靠性。本文从五个方面来剖析SIP封装工艺，从而让大家看懂SIP封装的真正用途。引线键合封装工艺倒装焊工艺流程引线键合封装工艺所需原料和设备引线封装工艺产品结构倒装工艺产品结构SIP导入流程二、SIP工艺解析引线键合封装工艺工序介... 阅659 转12 评0 公众公开 21-06-02 23:12 |
FCOL（FlipChip on Lead Frame）技术。FCOL（FlipChip on Lead Frame）技术介绍。我司采用FCOL（FlipChip on leadframe，金属框架上的倒装芯片封装）封装技术，为客户提供超小型，低成本，大电流，低电阻可靠的封装解决方案。将普通芯片在晶圆状态时的压点位置重新排列，然后在新压点位置上形成顶端有焊锡的铜柱，铜柱可根据需要长在芯片表面的... 阅404 转4 评0 公众公开 21-05-27 11:09 |
重分布层（RDL）它是金属或高分子介电材料层，裸片可以堆叠在封装中，从而缩小大芯片组的I/O间距。RDL已成为2.5D和3D封装解决方案中不可或缺的一部分，使其上芯片可以通过中介层相互进行通信。 阅1 转自芯片失效... 公众公开 21-05-25 23:47 |
RDL重新布线技术重新布线(RDL)是将原来设计的IC线路接点位置(I/O pad)，通过晶圆级金属布线制程和凸块制程改变其接点位置，使IC能适用于不同的封装形式。晶圓級金属布线制程，是在IC上涂布一层绝缘保护层，再以曝光显影的方式定义新的导线图案，然后利用电镀技术制作新的金属线路，以连接原来铝垫和新的凸块或者金垫，达到线路重新分布的目的。 阅667 转3 评0 公众公开 21-05-25 08:19 |
他说，''''''''英特尔在多芯片封装方面拥有大量的经验。“在VDD IO和GND IO的设计上也考量了从整个封装到EMIB周围及芯片上的周边bump阵列的电压传输。英特尔ATTD还对复合封装设计进行了热和机械完整性分析。由于MPC新兴市场的散热水平可能很高，并且由于芯片与EMIB硅和有机基板之间的热膨胀系数不同，因此bump... 阅1 转自whispers_... 公众公开 21-05-24 14:59 |
