共 52 篇文章
显示摘要每页显示  条
浅谈EOS机理与防护。当EOS超过其最大指定极限后,器件功能会减弱或损坏,同时EOS也是公认的IC器件的头号杀手。EOS是一个非常广的概念,物理上可以看成是一种较长时间的低电压,大电流的能量脉冲(通常电压500V,电流小于10A,纳秒发生时间),可以认定是EOS的一种特例。EOS成因很多,主要会出现在上下电瞬态过程,电流倒灌以及过度的电压电流驱动...
ESD保护能力是一个''''''''短板''''''''问题,芯片的ESD耐受能力是由所有ESD保护电路中表现最差的来决定,所以ESD保护电路设计中一定要考虑提高所有保护电路的抗ESD能力,而不是单单提高某些引脚的抗ESD能力。以上器件或单一使用实现ESD保护功能,或与其他器件组合使用实现ES...
CMOS集成电路中ESD保护技术分析。图1:内部电路中MOS结构和ESD保护电路中MOS结构。图4(a)利用电容耦合作用使大尺寸晶体管均匀导通,NMOS的杂散Cgd电容做耦合器件,通过场氧NMOS加强了耦合电容的效用,当正的ESD电压突然出现在PAD上时,由于电容耦合作用NMOS栅极电压跟着上升,故大尺寸NMOS均匀导通而进入骤回崩溃区(snapback region),ESD放...
谈谈集成电路ESD保护的器件和电路。对于系统级封装的ESD保护,首先要区分封装内部引脚和外部引脚,通过电路系统和片上ESD结构的分析,借助TLP测试手段,评估片上和板级ESD保护结构和器件的特征,说明系统级封装ESD保护协同设计技术,与系统级封装技术相融合,达到优化系统级封装ESD保护能力的目的。Answer:钳位电压保证不超过端口器件的击穿电...
电源pin组接地,同样其它pin中的任意一个pin分别对电源pin组加应力,其余pin悬空。好了,MM模型就介绍到这里,跟HBM模型测试方法差不多,测出来的电压等级不同,有做的朋友估计会有一些经验,这种我没做过,也只是存在于理论中,HBM见到客户的报告过,报告挺复杂的,一般达不到目标ESD电压要求,就比较麻烦,需要调工艺,或者客户改进ESD设计,...
ESD静电保护--CDM介绍。前面分别介绍了HBM和MM模型,两种模型都是应该要掌握的,尤其是HBM模型,实际应用得非常广泛,希望大家把它的模式搞透彻,如果觉得这里讲的不够多,可以自行百度,多看一些案例来帮助理解,然后再实际工作中如果有机会接触ESD设计和测试,对这方面的理解会更深入,不论如何,HBM模型一定要弄明白。好了,今天我们来继续...
ESD静电保护--HBM介绍。今天我们先介绍HBM人体模型:人体模型是使用最广泛的模型,它的标准也比较多,列于下面。HBM测量方法:定义好加应力的管脚,接地的管脚,以及需要悬空的针脚。IO管脚对其它接地的IO管脚加压,其它管脚悬空。它是工业界第一个器件级别的ESD测试方法,波形定义从最初的电压波形改到了今天的电流波形。器件ESD电压的等级分...
esd保护二极管原理。当电压超过二极管的导通电压的时候,就导通接地放掉,正常信号一般达不到导通电压,不会达到该电压,所以不会通过地损耗,而ESD电压一般超过导通电压,会使二极管导通,ESD电压通过接地放掉,不打坏仪器内部。
谈谈集成电路ESD保护的器件和电路。对于系统级封装的ESD保护,首先要区分封装内部引脚和外部引脚,通过电路系统和片上ESD结构的分析,借助TLP测试手段,评估片上和板级ESD保护结构和器件的特征,说明系统级封装ESD保护协同设计技术,与系统级封装技术相融合,达到优化系统级封装ESD保护能力的目的。Answer:钳位电压保证不超过端口器件的击穿电...
ESD的测试方法类似FAB里面的GOI测试,指定pin之后先给他一个ESD电压,持续一段时间后,然后再回来测试电性看看是否损坏,没问题再去加一个step的ESD电压再持续一段时间,再测电性,如此反复直至击穿,此时的击穿电压为ESD击穿的临界电压(ESD failure threshold Voltage)。1、制程上的ESD要么改变PN结,要么改变PN结的负载电阻,而改变PN结只能...
帮助 | 留言交流 | 联系我们 | 服务条款 | 下载网文摘手 | 下载手机客户端
北京六智信息技术股份有限公司 Copyright© 2005-2024 360doc.com , All Rights Reserved
京ICP证090625号 京ICP备05038915号 京网文[2016]6433-853号 京公网安备11010502030377号
返回
顶部