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| 共 16 篇文章 |
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当A，B端均为低电平时，VT1 PMOS，VT2 PMOS导通，VT3 NMOS，VT4 NMOS截止，Y端为高电平，即A=0，B=0时，Y=1;当A端为低电平，B端为高电平时，A端低电平使VT2 PMOS导通，VT3 NMOS截止，B端高电平使VT1 PMOS截止，VT4 NMOS导通，所以Y端输出高电平，即A=0，B=1时，Y=1;当A端为低电平，B端为高电平时，A端低电平使VT1导通，VT3截止，B端高电平使VT2... 阅240 转7 评0 公众公开 21-02-19 20:38 |
CMOS门电路。2）当C接高电平，C''''''''接低电平时，或者T(P)导通，或者T(N)导通，或者同时导通，此时传输门导通。3）CMOS传输门特点：当传输门导通时，当一管导通电阻减小，则另一管导通电阻就增加，由于两管并联运行，可近似认为开关的导通电阻近似为一个常数，约几百欧，后接运放等输入阻抗较大的器件时可... 阅1 转自GdRCWen 公众公开 21-01-31 13:59 |
MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图。高电平视为逻辑"1"，电平值的范围为：VDD的65%～VDD（或者VDD-1.5V～VDD）A端为低电平时，P型管导通，N型管截止，输出端C的电平与VDD一致，输出高电平。③、A输入低电平，B输入高电平时，情况与②类似，亦输出高电平。当控制端C为"1"时，N型管3导通，同... 阅1 转自雪梨100329 公众公开 21-01-31 13:58 |
MOSFET中的导电沟道也是在衬底中形成：栅极与衬底之间隔有SiO2绝缘层，因此栅与源、漏、衬底之间不导通，而是形成平行板电容器，加电压时栅与衬底之间形成电场，在该电场的影响下衬底中形成导电沟道，MOS管就开始导通，因此叫场效应晶体管(Field Effect Transistor)。随着vDS的增大，靠近漏极的沟道越来越薄，当vDS增加到使vGD=vGS－vDS=VT(或v... 阅656 转7 评0 公众公开 20-11-29 11:49 |
我们再来看看或非门： A = 0,B = 0: T 1 , T 3 T_1, T_3 T1?,T3?导通， T 2 , T 4 T_2,T_4 T2?,T4?截止，输出高电平1A = 0,B = 1: T 1 , T 4 T_1, T_4 T1?,T4?导通， T 2 , T 3 T_2,T_3 T2?,T3?截止，输出低电平0A = 1,B = 0时， T 2 , T 3 T_2,T_3 T2?,T3?导通， T 1 , T 4 T_1,T_4 T1?,T4?截止，输出低电平0A = 1,B = 1时， T 2 , T 4 T_2,... 阅173 转2 评0 公众公开 20-11-29 11:40 |
数字电路5（基本CMOS逻辑门电路） 热门频道。1、各种逻辑门电路系列简介 2、开关电路 3、MOS管及其开关特性 4、 CMOS 反相器 5、其他基本CMOS 逻辑门电路 展开全文。由于它具有逻辑运算和逻辑处理功能,所以又称数字逻辑电路。与TTL门电路相比，MOS门电路的速度较低。数字电路：逻辑门电路 3.1逻辑门电路简介3... 阅102 转4 评0 公众公开 20-11-29 11:29 |
解剖CMOS门电路。而且在逻辑门处于静态下没有直流通过，其结果是：(1)逻辑电平等于电源电压值(Vdd和地)，故逻辑摆幅最大，(2)CMOS静态门为无比(Ratioless)电路，即门电路的正确操作与PFET和NFET的相对尺寸(两管沟道宽／长比的比值)无关。根据这个原则，可知CMOS与非门的工作原理是：当输入端A、B中有一个或两个同时是低电平，则NMOS管BG3与BG4... 阅345 转2 评0 公众公开 20-11-29 09:29 |
MOS管及简单CMOS逻辑门电路。2、CMOS逻辑电平。高电平视为逻辑“1”，电平值的范围为：VDD的65%～VDD(或者VDD-1.5V～VDD)A端为高电平时，P型管截止，N型管导通，输出端C的电平与Vss保持一致，输出低电平;A端为低电平时，P型管导通，N型管截止，输出端C的电平与VDD一致，输出高电平。当控制端C为“1”时，N型管3导通，同时，C端电平通过反向器后... 阅42 转1 评0 公众公开 20-11-29 09:26 |
几种简单CMOS逻辑门电路原理图。2、CMOS逻辑电平。高电平视为逻辑“1”，电平值的范围为：VDD的65%～VDD(或者VDD-1.5V～VDD)A端为高电平时，P型管截止，N型管导通，输出端C的电平与Vss保持一致，输出低电平;A端为低电平时，P型管导通，N型管截止，输出端C的电平与VDD一致，输出高电平。当控制端C为“1”时，N型管3导通，同时，C端电平通过反向... 阅1 转自Ycp2016 公众公开 20-11-29 09:21 |
mos管与门电路图详情与概述mos管与门电路图mos管mos管与门电路图，mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。其工作原理如下：A端为高电平时，P型管截止，N型管导通，输出端C的电平与Vss保持一致，输出低电平;A端为低电平时，P型管导通，N型管截止，输出端C的电平与VD... 阅2290 转3 评0 公众公开 20-11-28 21:44 |
