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| 共 39 篇文章 |
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谈谈CMP对于平坦化工艺的意义！iPhone X 没有它也做不出来！我也来蹭个热度，谁让iPhone这两天这么火呢！今天主要目的是蹭热度，没有平坦化，就做不出iPhone X里面需要的各种各样的器件，没有平坦化其实也就没有现代半导体行业的蓬勃发展，所以说，平坦化工艺是相当重要的一块，平坦化可以用于STI层，POLY层，大马士革工艺，W-plug工艺，IMD工... 阅464 转7 评0 公众公开 20-11-16 22:41 |
我们回想一下CMOS流程中都有哪些步骤用到了CMP就知道了，STI的CMP，ILD的CMP，W-plug的CMP，IMD的CMP，以及metal的CMP，更为先进的工艺还有POLY的CMP，看到没，这些用到CMP的步骤都是工艺中非常关键的步骤，这些关键步骤的好坏，会对整个器件的特性好坏起到决定性作用，你说它的作用关键不关键，重要不重要，所以我们分两次来专门讲解它。高密... 阅362 转9 评0 公众公开 20-11-15 23:40 |
【Study】小尺寸节点下 CMP-aware的版图优化——《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》编者按：中国科学院大学微电子学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解，本学期微电子学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》研讨课。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。 阅170 转8 评0 公众公开 20-08-23 09:56 |
铜互连工艺中的CMP制程。由于铜具有良好的导电性能和优异的电迁移特性,因此铜工艺''''''''''''''''>铜工艺''''''''>铜工艺化学机械研磨（Cu CMP）正逐渐进入人们的视野。Cu CMP研磨工艺通常包括三步。Cu CMP工艺会产生许多表面污染颗... 阅1562 转14 评0 公众公开 20-06-29 22:46 |
铜互连工艺中的CMP制程。由于铜具有良好的导电性能和优异的电迁移特性,因此铜工艺化学机械研磨(Cu CMP)正逐渐进入人们的。铜互连工艺中的 CM制程 P互 l第次用P)在互一采Cg连艺中钨(P A连 Wu工中的塞 M l是的平坦化工艺中。CICM口工艺机理及特点 1 E’因为铜的硬度要明显低于研磨液中研磨颗粒的硬度 ( A1或如 z O SO2, i )在铜表面形成机械研磨... 阅597 转7 评0 公众公开 20-05-13 12:22 |
化学机械研磨（CMP）详细讲解。半导体行业第一新媒体平台：中国半导体论坛。寻求资本、企业或机构合作，共赢发展！联系微信号：jason211ic. 阅1 转自leafcho 公众公开 20-04-05 23:01 |
dd-sti cmp工艺在0.18微米逻辑芯片应用。doc芯片封装工艺热度:doc单流体高压微米级喷雾抑尘技术在输煤皮带系统应用的优越性热度:pdfD-STI CMP工艺在018微米逻辑芯片应用热度:热度:doc逻辑和思维在现实生活中的应用热度:docx05微米逻辑工艺实现嵌入式OTP器件特征研究热度:docx8英寸晶圆0.18微米逻辑制程工艺热度:举报。该文档为侵权文档该文档含... 阅49 转3 评0 公众公开 20-04-04 21:35 |
sTI CMP的要求和演化 初期的s''''''''r1CMP延用H~1,CMP的研磨液,以硅胶作为研磨颗OP2177ARZ粒(siIica based slurry)。这样,SiN!就成F抛光的停止层(stop laycr),丁艺窗口大大加宽,反向光罩的方法成为历史,直接抛光(direct STI CMI))梦想成真,STI CMP大大地向前迈进了一步。至今为止,使用Ccria Based Slurry的... 阅577 转4 评0 公众公开 20-04-04 21:17 |
CMP Slurry的蜕与进。Slurry是CMP的关键要素之一，其性能直接影响抛光后表面的质量。“随着芯片制造技术的提升，对slurry性能的要求也愈发的严格。除了最基本的质量要求外，如何保证CMP工艺整体足够可靠、如何保证slurry在全部供应链（包括运输及储藏）过程中稳定等，一直是slurry过去和现在面对的关键。摩尔定律推动技术节点的代代前进，这将... 阅1 转自牛厨馆 公众公开 20-04-04 20:35 |
