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STT-MRAM非易失存储器特点及应用。STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作，也可以像ROM/Flash一样非挥发性，保留时间长的存储。STT-MRAM的优点·足够快，可以作为工作记忆→更换psRAM和SRAM·非易失性，无需电源即可维护数据→替换nvSRAM、NOR·无电容器，无需电池→更换nvSRAM+Super ... 阅6 转0 评0 公众公开 22-11-29 14:26 |
Everspin代理MR20H40CDF串行MRAM替换CypressCY15B104Q铁电存储器。Everspin代理英尚微电子支持提供样品测试及产品相关技术方案. MR20H40CDF概述MR20H40CDF是一款SPI接口MRAM系列，其存储器阵列在逻辑上组织为512Kx8，使用芯片选择(CS\)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)的四引脚接口。SPI MRAM (MR20H40CDF)Everspin不建议在PCB上焊... 阅8 转0 评0 公众公开 21-08-17 15:33 |
MR25H10CDC是一款位宽128Kx8的非易失存储器MRAM芯片。MR25H10CDC提供串行EEPROM和串行闪存兼容读/写时序，无写延迟和无限读/写耐久性。读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。 阅20 转0 评0 公众公开 21-08-17 15:30 |
[原]疫情推动智能表计迅速发展 随着低功耗传感器技术的进步，设备仅需极小电量就可高效地传输数据。作为蜂窝物联网设备的一个类别，智能表计在全球各地均有广泛地应用。特别是疫情期间，其远程抄表、远程缴费功能，给疫情防护提供了极大的便利。 阅16 转0 评0 公众公开 21-07-27 14:58 |
MR25H10CDF提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写定时，没有写入延迟和无限读/写耐久性。与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在内存中随机发生，写入之间没有延迟。 阅12 转0 评0 公众公开 21-06-24 16:54 |
MRAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRAM的设备可以为“黑匣子”应用提供解决方案，因为它以SRAM的速度写入数据，同时在发生总功耗之前保留数据。 阅11 转0 评0 公众公开 21-06-22 17:08 |
MR25H256ACDF是一种串行MRAM，其存储器阵列逻辑组织为32Kx8，使用串行外围接口的片选(CS)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)四个引脚接口(SPI)总线。串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集，允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。 阅9 转0 评0 公众公开 21-06-17 15:10 |
MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都声称具有相似的性能优势：低电压操作、长寿命和非常高的速度。他们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，性能突破背后都有创新的材料技术。 阅10 转0 评0 公众公开 21-06-08 15:21 |
MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存储器并口mram，组织为131072个16位字。MR1A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。 阅1 转0 评0 公众公开 21-05-25 15:25 |
Everspin 2Mb MRAM MR1A16A可以在赛普拉斯2Mb FRAM FM28V202A较慢的时序下运行，但也使系统设计人员可以利用MRAM的随机存取周期时间快三倍的优势 阅4 转0 评0 公众公开 21-05-21 15:53 |
