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基本运放应用电路实例、电路中参数计算。(1)此类电路的电压放大倍数不宜过大。当Rf//R1=0时,即使用一根导线替代Rf,Auf=1,电路演变成为电压跟随器。若fi<<1/(2?*pi*RfC),则电路近似于反相比例运算器,其低频电压放大倍数Avf约等于-Rf/ R1 。当Rf=100kΩ、C=0.022uF时,积分与比例运算的分界频率约为1/(2*pi*pi*RfC)= 1/(2*pi*1...
UART、I2C、SPI、TTL、RS232、RS422、RS485、CAN、USB、SD卡、1-WIRE、Ethernet.UART是异步,全双工串口总线。SPI 的工作时序模式由CPOL(Clock Polarity,时钟极性)和CPHA(Clock Phase,时钟相位)之间的相位关系决定,CPOL 表示时钟信号的初始电平的状态,CPOL 为0 表示时钟信号初始状态为低电平,为1 表示时钟信号的初始电平是高电平。单...
USB信号线差分阻抗为90欧姆,以太网差分信号线差分阻抗为100欧姆。小范围的不等距对差分信号影响并不是很大,间距不一致虽然会导致差分阻抗发生变化,但因为差分对之间的耦合本身就不显著,所以阻抗变化范围也是很小的,通常在10%以内,只相当于一个过孔造成的反射,这对信号传输不会造成明显的影响。通孔是贯穿整个PCB的过孔,盲孔是从PCB表层...
MOS管和IGBT的区别在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。MOSFET种类与电路符号有的MOSFET内部会有个二极管,这是体二极管,或者叫寄生二极管、续流二极管。IGBT的理想等效电路如下图所示,IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合,MOSFET存在导通电阻高的缺点,但...
图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚,图1-6-B所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。当激励方波信号的正半周来到时,晶体三极管Q1(NPN)导通、Q2(PNP)截止,VCC经过Q1导通对MOS开关管Q3的栅极充电,由于Q1是饱和导通,VCC等效是直接加到MOS管Q3的栅极,瞬间充电电流极大,充电时间极短,保证了MOS开关管Q3的迅速的“开”...
升压型、降压型、极性反转型,3种开关电源工作方式!在此电路中,脉宽调制(pwm)电路的输出加到晶体管开关Q1的基极,以控制其导通和截止。pwm电路将它的变化转变成能控制开关导通和截止时间之比的pwm信号,达到稳定的目的。03极性反转型电路。如下图为极性反转型电路,也叫倒置型电路。由此产生与输人电压极性相反的输出电压。
原来PWM这么简单!!PWM实现的原理是通过锯齿波/三角波(载波)所需要合成的波形(调制波)进行比较,然后确定PWM所需要输出的极性,通常是ON或者是OFF,因为一般都是作用到开关元器件上;振荡器输出的锯齿波和参考值 进行比较,然后就可以输出PWM波形了;中央对齐PWM.本文简单介绍了PWM的原理,以及如何产生PWM,可以通过锯齿波作为载波和调...
计算电阻电路中电流、电压、电阻和功率之间的关系。欧姆定律解释了电压、电流和电阻之间的关系,即通过导体两点间的电流与这两点间的电势差成正比。说明两点间的电压差、流经该两点的电流和该电流路径电阻之间关系的定律。该定律的数学表达式为V=IR,其中V是电压差,I是以安培为单位的电流,R是以欧姆为单位的电阻。欧姆定律解释了电压、电流和...
X电容和Y电容的区别。安规电容包含X电容和Y电容两种,它普通电容不一样的是,普通电容即使在外部电源断开之后,它内部储存电荷依然会保留很长一段时间,但是安规电容不会出现这个问题。Y电容串接在高压地和低压地之间,有时会采用两个Y电容串联是为了提高高压地和低压地之间之间的耐压,有时候会出现耐压不足的情况,导致安规电容打耐压过不了...
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