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射频干扰去噪与单点地PCB布局分析!上图中,仅有金属防护时,当外界产生强辐射干扰时,整个系统的输出噪声明显增加,波动近50mV,这对于我们的亚微幅高精度采集系统来说,是致命的,必须加以整改!下图中,增加滤波后,当有电磁干扰时,输出噪声明显被压制,由上图的50mV波动,降低到下图的0.2mV波动,抑制效果明显,但是依然有明显的干扰噪声。
从定义可以看出,输入电压瞬态响应越小越好,因为这样才能在输入电压变化时,对输出的影响越小,LDO性能越好,图2-27 左图是某LDO的输入电压瞬态响应曲线,当第一行的输入电压突然增加时,会引起第二行中输出电压微小上冲,反之亦然,由于这个变化很小只有20mV,与LDO输出的几伏电压相比非常小,因此左图中第二行是交流测量,减掉了LDO输出的直...
BUCK-BOOST负电源原理。BUCK-BOOST是一种经典的负电源拓扑,广泛应用在OLED屏幕驱动等领域,其基本结构见图2-12 ,与BUCK、BOOST一样,都是由基本的开关、二极管和电感几大元件组成。BUCK-BOOST工作流程也分为开关导通和断开两个过程,开关的周期为T,占空比为D,当开关导通时,电源对电感充电,充电的路径见图2-12 黑色实线箭头,此时电感两端...
1300字,NMOS LDO原理!图2-16是一个NMOS LDO的基本框图,在1.4节中已经介绍了NMOS特点,在开关结构电源中MOS是工作在开关状态,在LDO电源中MOS工作在饱和区,注意:LDO一定是工作在饱和区(特殊情况会在可变电阻区),所以VG要大于VS,因此NMOS LDO除了有Vi引脚,一般还会有个Vbias引脚来给MOS的G极提供高压驱动源;下面我们对NMOS LDO进行仿...
BOOST 升压电源原理,有仿真文件!和BUCK电源类似,当开关S导通时,SW点通过导通的开关S接地,SW电压为0,Vi直接给电感L充电,此时电感两端电压是Vi,电流变化量是△Ion,充电电流路经见图中实线箭头,开关导通时间△ton=占空比*开关周期=D*T,根据公式2-1可列出公式2-12,整理后得到公式(2-13),F是开关频率,它是开关周期T的倒数。我们基于仿...
为了把我们的主要精力放在理解BUCK原理上,我们选择非同步BUCK进行开环分析,也就是电路中只有一个开关管,由二极管对电感进行续流放电,见图2-2 ,简约的东西经过组合往往会迸发出不可思议的结果,BUCK就是这样的电路。图2-2 中,当开关S导通时,SW电压为高电压,等于Vin,Vin给电感L充电,流过电感L的电流逐渐增加,充电电流路径如图中虚线箭...
我刚参加工作时leader和我说:要从用户的角度出发,设计出一款真正符合用户需求的、能让用户满意的好产品。书也是产品,市场上关于硬件电路的书籍纷繁复杂,哪本才算是好?因此,本书囊括了基本器件、常见的开关电源、线性电源等电源拓扑,此外还有模拟电路、信号完整性、电源完整性、传感器、测试仪表等重要内容,而且加入了大量的仿真和原创...
下面分享一个来自《运放秘籍》-仪表放大器专项的优秀学习笔记,说实话,我看了后感觉非常惊艳,简约美观,一目了然,部分笔记截图如下,作者:冰朔。笔记记录的都是干货内容,假如某天,他忘记某个知识点,只要打开笔记,马上就可以找到对应位置,这就是笔记的价值。很多时候,我也会忘掉一些概念或方法,我也经常翻阅自己的笔记。我们平时学习...
实战讲解:为什么MOS管要并联个二极管?图1-49 是NMOS的示意图,从图中红色框内可以看到,MOS在D、S极之间并联了一个二极管,有人说这个二极管是寄生二极管,有人说是体二极管,很多同学非常好奇:为什么要并联这个二极管?这要从MOS的工艺和结构说起,不管是MOS还是二极管,都是由半导体材料构成,我们都知道二极管是由一对PN结组成,见图1-50...
话不多说,直接干货,图1是差分放大电路的基本结构,由一个运算放大器和4个外围匹配电阻组成,常用来进行电流检测或差分信号放大,差分放大器有几个固有的弊端,如果不了解这些弊端,将影响我们的电路设计,看看这些弊端,你知道几个?差分放大器的输入阻抗不但低,而且两个输入端的阻抗并不对称,如果连接到差分放大器的信号源的两个引脚源阻...
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