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滤波扼流圈(差模电感)的设计方法和电感量大小计算方法电子电路设计过程中中，为了获得平滑的直流电流，将交流电经整流后得到直流电，由于脉动比较大，必须采用电容滤波或电感滤波，以减少整流后的纹波电压，虽然许多小功率的整流电路，只需在整流后并联上一只大容量的电解电容器，即可满足要求。那么要求滤波扼流圈的电感量L:所以某个滤波扼流... 阅2 转自hxcnz 公众公开 16-10-14 13:22 |
MOSFET 高速驱动设计分享到。其回路由MOSFET源极寄生电感（包括MOSFET封装电感以及PCB布线等效电感），MOSFET结电容Cgs, MOSFET门极电感Lg（包括MOSFET封装电感以及PCB布线等效电感）,MOSFET内置门极驱动电阻Rgini，MOSFET外置门极驱动电阻Rgext组成。由于震荡， 并联MOSFET的门极驱动电压并不能保持一致，门极电压高于Vgsth的MOSFET仍然开通... 阅1381 转14 评0 公众公开 15-09-09 09:45 |
元器件降额使用指南综述元器件降额使用指南综述。降额考虑的主要因素是电应力和温度，电应力我们考虑得多，温度也经常被考虑到，但隐性温度条件常被忽视，比如环境温度是40℃，机箱内散热不好温度肯定会上升，设备周边如果有设备，工作时也会发热，也会导致温度上升，这部分就是隐性温度条件，也是不能不考虑降额的参考条件。电阻的可靠性主要... 阅4246 转46 评0 公众公开 12-06-07 14:06 |
3. 漏源击穿电压BVDS ·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ·ID剧增的原因有下列两个方面： （1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿 （2）漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生... 阅1865 转31 评0 公众公开 12-05-30 17:02 |
MOSFET参数理解及其主要特性MOSFET参数理解及其主要特性1 极限参数： ID ：最大漏源电流。图 结电容与漏源电压之关系曲线 4 雪崩击穿特性参数 这些参数是 MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标。图 3 gfs----VGS 曲线图 图4 MOSFET开通时间和关断时间定义二、在 应用过程中，以下几个特性是经常需要考虑的：1、 V （ BR ）... 阅7466 转113 评0 公众公开 12-05-17 17:51 |
银离子迁移可严重破坏正电极表面银层，引线焊点与电极表面银层之间，间隔着具有半导体性质的氧化银，使无机介质电容器的等效串联电阻增大，金属部分损耗增加，电容器的损耗角正切值显著上升。值得一提的是：银电极低频陶瓷独石电容器由于银离子迁移而引起失效的现象比其他类型的陶瓷介质电容器严重得多，原因在于这种电容器的一次烧成工艺与多... 阅2706 转32 评0 公众公开 12-01-22 13:42 |
电容的工作原理和基本类型电容的工作原理和基本类型一、基本原理。经常有人会混淆，其实分别是正极铝箔、三氧化二铝（附在正极铝箔的一面）、电解液（通过负极铝箔做引脚搭接）2、钽电解电容极性电容，正极、负极、电介质分别是：钽丝、二氧化锰MnO2（石墨、银层做引脚搭接）、五氧化二钽Ta2O5（在制造过程中形成）3、片状多层陶瓷电容（MLCC）... 阅1379 转16 评0 公众公开 12-01-22 13:40 |
高压双向触发器件SIDAC的特点及其应用高压双向触发器件SIDAC的特点及其应用。在电子镇流器中广泛采用的双向触发器件是DB3，其触发开通电压在30V左右，触发电流较小（mA级），导通后的残余电压在20V左右，这些特点决定了只能用于小电流的触发电路中。一旦加在SIDAC两端的电压超过其击穿电压UBO，便会通过一个负阻区立刻转为导通状态。只有当流过... 阅549 转5 评0 公众公开 12-01-05 20:29 |
