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1、同步电路和异步电路的区别是什么?(汉王笔试)module divide2( clk , clk_o, reset); input clk , reset; output clk_o; wire in; reg out ; always @ ( posedge clk or posedge reset) if ( reset) out <= 0; else out <= in; assign in = ~out; assign clk_o = out; endmodule64、可编程...
(仕兰微面试题目)(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题) 4、我们将研发人员分为若干研究方向,对协议和算法理解(主要应用在网络通信、图象 语音压缩方面)、电子系统方案的研究、用MCU、DSP编程实现电路功能、用ASIC设计技术 设计电路(包括MCU、DSP本身)、电路功能模块设计(包括模拟电路和数字电路)、集成 电路后端设计(主要是指综...
手机RAM,Flash ROM、内存概念的困惑,看你是否真的明白Flash其实也算ROM的一种,要知道ROM随着发展已出现很多种不同的类型,最早的是掩模ROM,这一类就像你买的D版光盘一样,数据已经用专门的工具压在里面了,你除了读数据其他什么也不能干。其实不是真不能写,而是有一类ROM中的数据一般不希望使用ROM的人修改,比如手机里的ROM装的就是操作系...
智能手机中RAM和ROM区别。存储器分为随机存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两种。RAM和ROM就好比是电脑的内存和硬盘。RAM和ROM相比,两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失,而ROM就不会。2、Flash ROM由于ROM不易更改的特性让更新资料变得相当麻烦,因此就有了Flash Memory的发展 ,Flash Memory具有ROM不需电力维持资料的...
按内存的工作方式,内存又有FPA EDO DRAM和SDRAM(同步动态RAM)等形式。SDRAM从发展到现在已经经历了四代,分别是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM.第一代与第二代SDRAM均采用单端(Single-Ended)时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快,所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。DDR的读...
常见存储器概念辨析:RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器http://blog.chinaunix.net/space.php?uid=22342666&do=blog&id=1774747常见存储器概念:RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类,其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM(随机存取存储器)和ROM(只读存储器),其中RAM的访问速度...
CPU的主要性能指标 CPU是整个微机系统的核心,它往往是各种档次微机的代名词,CPU的性能大致上反映出微机的性能,因此,它的性能指标十分重要。CPU主要的性能指标有:1、主频:也叫时钟频率,单位是MHz(每秒百万次),用来表示CPU的运算速度。5、CPU内核和I/O工作电压:CPU的工作电压分内核电压和I/O电压两种。早期CPU的工作电压一般为5V,...
实时操作系统与通用操作系统的一些比较嵌入式实时系统中采用的操作系统我们称为嵌入式实时操作系统,它既是嵌入式操作系统,又是实时操作系统。而作为一种实时操作系统(本文对实时操作系统特性的讨论仅限于强实时操作系统,下面提到的实时操作系统也均指强实时操作系统),它与通用操作系统(如Windows、Unix、Linux等)相比有很大的差别,下...
影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。与TTL门电路的情况不同,影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部,即负载电容CL。TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。一般图腾式输出,高电平400UA,低电平8MA四、什么是CMOS电路的锁定效应 COMS电路由于输入太大的电流,...
差分电路。具体地,差分电路包括单晶体管电流镜像,所述单晶体管电流镜像包括通过开关与晶体管相连的电容器以及通过各自独立的开关与电流镜像相连的两个电流源,与电容器开关一起操作电流源之一的开关,以便充电电容器,并且操作另一个电流源的开关,以便所述电路作为具有电流源负载的源极跟随放大器进行操作。差动输入时,Vi1=-Vi2,虽然IE为...
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